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finished trim intro
[lectures/latex.git] / nlsop / talk / talk_german.tex
1 \documentclass{beamer}
2
3 \mode<presentation>
4 {
5 %\usetheme{Berkeley}
6 \usetheme{Warsaw}
7 \setbeamercovered{transparent}
8 }
9 \usepackage{verbatim}
10 \usepackage[german]{babel}
11 \usepackage[latin1]{inputenc}
12 \usepackage[T1]{fontenc}
13 \usepackage{amsmath}
14 \usepackage{ae}
15 \usepackage{aecompl}
16 \usepackage{colortbl}
17 \usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
18 \usepackage{graphicx}
19 \graphicspath{{../img}}
20 \usepackage{hyperref}
21
22 \begin{document}
23
24 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
25 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
26 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
27 \institute{
28 Institut f"ur Physik\\
29 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
30 Universit"at Augsburg
31 }
32 \date{10. November 2005}
33 %\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
34 %\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
35
36 %\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
37
38 \AtBeginSubsection[]
39 {
40   \begin{frame}<beamer>
41     \frametitle{"Uberblick}
42     \tableofcontents[currentsubsection]
43   \end{frame}
44 }
45
46 \begin{frame}
47   \titlepage
48 \end{frame}
49
50 \begin{frame}
51   \frametitle{"Uberblick}
52   \tableofcontents%[pausesections]
53 \end{frame}
54
55 \section{Einf"uhrung}
56
57   \subsection{Ionenimplantation}
58
59 \begin{frame}
60   \frametitle{Einf"uhrung}
61   \framesubtitle{Ionenimplantation}
62   \begin{block}{Funktionsweise}
63     \begin{itemize}
64       \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
65       \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
66       \item Bestrahlung eines Festk"orpers
67     \end{itemize}
68   \end{block}
69   \onslide<2->
70   $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
71   \begin{block}{Anwendung}
72   Dotierung von Halbleiterkristallen
73   \end{block}
74 \end{frame}
75
76 \begin{frame}
77   \frametitle{Einf"uhrung}
78   \framesubtitle{Ionenimplantation}
79   \begin{block}{Vorteile}
80     \begin{itemize}
81       \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
82       \item Reproduzierbarkeit
83       \item Homogenit"at
84       \item Schnelligkeit
85       \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
86       \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
87     \end{itemize}
88   \end{block}
89 \end{frame}
90
91   \subsection{Selbstorganisation}
92
93 \begin{frame}
94   \frametitle{Einf"uhrung}
95   \framesubtitle{Selbstorganisation}
96   \begin{columns}
97     \column{4.5cm}
98       \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}}
99       \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}}
100       \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}}
101     \column{6.5cm}
102       \begin{enumerate}
103         \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
104         \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
105         \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
106       \end{enumerate}
107   \end{columns}
108 \end{frame}
109
110 \section{Grundlagen}
111
112   \subsection{Abbremsung der Ionen}
113
114 \begin{frame}
115   \frametitle{Grundlagen}
116   \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
117      \onslide<2->
118      \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
119        elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
120        $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
121      \end{block}
122      \onslide<3->
123      \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
124        inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
125        $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
126      \end{block}
127      \onslide<4->
128      \begin{block}{Bremskraft}
129        $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
130      \end{block}
131 \end{frame}
132
133   \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
134
135 \begin{frame}
136   \frametitle{Grundlagen}
137   \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
138   \begin{block}{Prinzip}
139     \begin{itemize}
140       \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
141       \pause
142       \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
143       \pause
144       \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
145       \pause
146       \item Energieverlust durch St"o"se
147       \pause
148       \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$
149       \pause
150       \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
151         \begin{itemize}
152            \item freie Wegl"ange $l$
153            \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
154            \item Azimutwinkel $\Phi$
155         \end{itemize}
156     \end{itemize}
157   \end{block}
158 \end{frame}
159
160 \end{document}