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[lectures/latex.git] / nlsop / talk / talk_german.tex
1 \documentclass{beamer}
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4 {
5 \usetheme{Warsaw}
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7 }
8 \usepackage{verbatim}
9 \usepackage[german]{babel}
10 \usepackage[latin1]{inputenc}
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17 \graphicspath{{../img}}
18 \usepackage{hyperref}
19
20 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
21 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
22 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
23 \institute{
24 Institut f"ur Physik\\
25 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
26 Universit"at Augsburg
27 }
28 \pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps}
29 \logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
30
31 \begin{document}
32
33 \begin{frame}
34   \titlepage
35 }
36
37 \begin{frame}
38   \frametitle{"Uberblick}
39
40 \end{frame}
41
42 \begin{slide}{"Uberblick}
43 \begin{itemize}
44   \item Motivation
45   \item Grundlagen
46   \item Experimentelle Befunde
47   \item Das Modell
48   \item Die Simulation
49   \item Ergebnisse
50   \item Anwendung
51   \item Zusammenfassung
52 \end{itemize}
53 \end{slide}
54
55 \overlays{5}{
56 \begin{slide}{Ionenimplantation}
57 Funktionsweise:
58 \begin{itemstep}
59  \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
60  \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
61  \item Bestrahlung eines Festk"orpers
62 \end{itemstep}
63 \FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
64 \vspace{15pt}
65 \FromSlide{5}{
66 Industrielle Anwendung:\\
67 Dotierung von Halbleiterkristallen}
68 \end{slide}}
69
70 \begin{slide}{Ionenimplantation}
71 Vorteile:
72 \begin{itemize}
73  \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
74  \item Reproduzierbarkeit
75  \item Homogenit"at
76  \item Schnelligkeit
77  \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
78  \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
79 \end{itemize}
80 \end{slide}
81
82 \overlays{3}{
83 \begin{slide}{Selbstorganisation}
84 \begin{tabular}{c}
85   \begin{tabular}{ll}
86     \begin{minipage}{3.5cm}
87       \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}}
88       \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}}
89       \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}}
90     \end{minipage} &
91     \begin{minipage}{7.5cm}
92       \begin{itemstep}
93        \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache
94        \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
95        \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
96       \end{itemstep}
97     \end{minipage}
98   \end{tabular} \\
99 %\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}}
100 %\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}}
101 %\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}}
102 \end{tabular}
103 \end{slide}}
104
105 \overlays{2}{
106 \begin{slide}{Grundlagen}
107 Abbremsung der Ionen
108   \begin{tabular}{ll}
109     \begin{minipage}[l]{5cm}
110       \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots}
111       \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$}
112     \end{minipage} &
113     \begin{minipage}[l]{6cm}
114       \begin{itemstep}
115         \item {\red nukleare Bremskraft}\\
116               elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets
117         \item {\blue elektronische Bremskraft}\\
118               inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets
119       \end{itemstep}
120     \end{minipage}
121   \end{tabular}
122 \end{slide}}
123
124
125 \end{document}