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9195da5604360c8ca7850cb4b715a9e863dc7035
[lectures/latex.git] / nlsop / talk / talk_german.tex
1 \documentclass{beamer}
2
3 \mode<presentation>
4 {
5 %\usetheme{Berkeley}
6 \usetheme{Warsaw}
7 %\usetheme{Singapore}
8 \setbeamercovered{transparent}
9 }
10 \usepackage{verbatim}
11 \usepackage[german]{babel}
12 \usepackage[latin1]{inputenc}
13 \usepackage[T1]{fontenc}
14 \usepackage{amsmath}
15 \usepackage{ae}
16 \usepackage{aecompl}
17 \usepackage{colortbl}
18 \usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
19 \usepackage{graphicx}
20 \graphicspath{{../img}}
21 \usepackage{hyperref}
22
23 \begin{document}
24
25 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
26 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
27 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
28 \institute{
29 Institut f"ur Physik\\
30 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
31 Universit"at Augsburg
32 }
33 \date{10. November 2005}
34 %\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
35 %\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
36
37 %\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
38
39 \AtBeginSubsection[]
40 {
41   \begin{frame}<beamer>
42     \frametitle{"Uberblick}
43     \tableofcontents[currentsubsection]
44   \end{frame}
45 }
46
47 \begin{frame}
48   \titlepage
49 \end{frame}
50
51 \begin{frame}
52   \frametitle{"Uberblick}
53   \tableofcontents%[pausesections]
54 \end{frame}
55
56 \section{Einf"uhrung und Grundlagen}
57
58   \subsection{Einf"uhrung}
59
60 \begin{frame}
61   \frametitle{Einf"uhrung}
62   \framesubtitle{Ionenimplantation}
63   \begin{block}{Funktionsweise}
64     \begin{itemize}
65       \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
66       \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($10^2 \, eV -  \, GeV$)
67       \item Bestrahlung eines Festk"orpers
68     \end{itemize}
69   \end{block}
70   \onslide<2->
71   $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
72   \begin{block}{Anwendung}
73   Dotierung von Halbleiterkristallen
74   \end{block}
75 \end{frame}
76
77 \begin{frame}
78   \frametitle{Einf"uhrung}
79   \framesubtitle{Ionenimplantation}
80   \begin{block}{Vorteile}
81     \begin{itemize}
82       \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
83       \item Reproduzierbarkeit
84       \item Homogenit"at
85       \item Schnelligkeit
86       \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
87       \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
88     \end{itemize}
89   \end{block}
90 \end{frame}
91
92 \begin{frame}
93   \frametitle{Einf"uhrung}
94   \framesubtitle{Selbstorganisation}
95   \begin{columns}
96     \column{4.5cm}
97       \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh.eps}}
98       \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg.eps}}
99       \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2.eps}}
100     \column{6.5cm}
101       \begin{enumerate}
102         \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
103         \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
104         \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
105       \end{enumerate}
106   \end{columns}
107 \end{frame}
108
109   \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung}
110
111 \begin{frame}
112   \frametitle{Grundlagen}
113   \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
114      \onslide<2->
115      \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
116        elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
117        $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
118      \end{block}
119      \onslide<3->
120      \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
121        inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
122        $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
123      \end{block}
124      \onslide<4->
125      \begin{block}{Bremskraft}
126        $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
127      \end{block}
128 \end{frame}
129
130   \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
131
132 \begin{frame}
133   \frametitle{Grundlagen}
134   \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
135   \begin{block}{Prinzip}
136     \begin{itemize}
137       \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
138       \pause
139       \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
140       \pause
141       \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
142       \pause
143       \item Energieverlust durch St"o"se
144       \pause
145       \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_k$
146       \pause
147       \item Abbildung von Zufallszahlen auf:
148         \begin{itemize}
149            \item freie Wegl"ange $l$
150            \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$
151            \item Azimutwinkel $\Phi$
152         \end{itemize}
153     \end{itemize}
154   \end{block}
155 \end{frame}
156
157 \section{Experimentelle Befunde und Modell}
158
159   \subsection{Experimentelle Befunde}
160
161 \begin{frame}
162   \frametitle{Experimentelle Befunde}
163   \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
164     \begin{center}
165       \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
166     \end{center}
167     \begin{center}
168       {\scriptsize\bf Hellfeld-TEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
169     \end{center}
170 \end{frame}
171
172 \begin{frame}
173   \frametitle{Experimentelle Befunde}
174   \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
175     \begin{columns}
176       \column{5.5cm}
177         \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps}
178         {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$}
179       \column{5.5cm}
180         \vspace{0.5cm}
181         \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps}
182         {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
183     \end{columns}
184 \end{frame}
185
186 \begin{frame}
187   \frametitle{Experimentelle Befunde}
188   \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation}
189     \begin{center}
190       \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps}
191         {\scriptsize Hellfeld-TEM- und Elementverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.}
192     \end{center}
193 \end{frame}
194
195   \subsection{Modell}
196
197 \begin{frame}
198   \frametitle{Modell}
199     \begin{center}
200       \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps}
201     \end{center}
202     \scriptsize{
203     \begin{itemize}
204       \pause
205       \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
206             $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
207       \pause
208       \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $3C-SiC$ und $c-Si$\\
209             $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
210       \pause
211       \item $20 - 30\,\%$geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
212             $\rightarrow$ laterale {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
213       \pause
214       \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten\\
215             $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
216       \pause
217       \item Druckspannungen\\
218             $\rightarrow$ {\bf spannungsunterst"utzte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
219     \end{itemize}}
220 \end{frame}
221
222 \section{Simulation und Ergebnisse}
223
224   \subsection{Simulation}
225
226 \begin{frame}
227   \frametitle{Simulation}
228   \begin{block}{Name}
229   {\bf N}ano {\bf L}amellar {\bf S}elbst{\bf o}rganisations{\bf p}rozess
230   \end{block}
231   \begin{columns}
232     \column{6cm}
233       \scriptsize{
234       \begin{block}{Grober Ablauf}
235         \begin{itemize}
236           \item Amorphisierung/Rekristallisation
237           \item Kohlenstoffeinbau
238           \item Diffusion/Sputtern
239         \end{itemize}
240       \end{block}
241       \begin{block}{Versionen}
242         \begin{itemize}
243           \item Version 1 - Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe
244           \item Version 2 - Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich
245         \end{itemize}
246       \end{block}
247       }
248     \column{6cm}
249       \includegraphics[width=6cm]{gitter_oZ.eps}
250       \begin{center}
251         \scriptsize{Unterteilung des Targets}
252       \end{center}
253   \end{columns}
254 \end{frame}
255
256 \begin{frame}
257   \frametitle{Simulation}
258   \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
259   \begin{columns}
260     \column{5.5cm}
261       \includegraphics[width=5.5cm]{trim_nel.eps}
262       {\scriptsize SRIM 2003.26, nukleare Bremskraft,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
263     \column{5.5cm}
264       \includegraphics[width=5.5cm]{trim_impl2.eps}
265       {\scriptsize SRIM 2003.26, Implantationsprofil,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
266   \end{columns}
267 \end{frame}
268
269 \begin{frame}
270   \frametitle{Simulation}
271   \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
272   \begin{center}
273     \includegraphics[width=7cm]{trim_coll.eps}\\
274   \end{center}
275     {\scriptsize $\Rightarrow$ Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}\\
276     {\scriptsize $\Rightarrow$ Mittlere W"urfel-Trefferzahl eines Ions}
277 \end{frame}
278
279 \begin{frame}
280   \frametitle{Simulation}
281   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
282   \begin{block}{Amorphisierungswahrscheinlichkeit}
283     \[
284     p_{c \rightarrow a}(\vec{r}) = \pause \color{green}{p_b} \pause + \color{blue}{p_c c_C(\vec{r})} \pause + \color{red}{\sum_{\textrm{amorphe Nachbarn}} \frac{p_s c_C(\vec{r'})}{(r-r')^2}}
285     \]
286   \begin{itemize}
287     \onslide<2-> \item \color{green}{ballistische Amorphisierung}
288     \onslide<3-> \item \color{blue}{kohlenstoffinduzierte Amorphisierung}
289     \onslide<4-> \item \color{red}{spannungsuntert"utzte Amorphisierung}
290   \end{itemize}
291   \end{block}
292 \end{frame}
293
294 \begin{frame}
295   \frametitle{Simulation}
296   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallsiation}
297   \begin{block}{Rekristallisationswahrscheinlichkeit}
298     \[
299     p_{a \rightarrow c}(\vec{r}) = \pause (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec{r})) \pause \Big( 1 - \frac{\sum_{\textrm{direkte Nachbarn}} \delta(\vec{r'})}{6} \Big)
300     \]
301     mit\\
302     \[
303     \delta(\vec{r}) = \left\{
304       \begin{array}{ll}
305         1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
306         0 & \textrm{sonst} \\
307       \end{array}
308     \right.
309     \]
310   \end{block}
311 \end{frame}
312
313
314 \begin{frame}
315   \frametitle{Simulation}
316   \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
317   \begin{block}{Sto"skoordinaten}
318     \begin{itemize}
319       \item $x,y$ gleichverteilt
320       \item $z$ entsprechend nuklearer Bremskraft
321     \end{itemize}
322   \end{block}
323   \begin{block}{Ablauf}
324     \begin{itemize}
325       \pause
326       \item Ausw"urfeln der Sto"skoordinaten
327       \pause
328       \item Berechnung von $p_{c \rightarrow a}$ bzw. $p_{a \rightarrow c}$
329       \pause
330       \item Zufallszahl $\rightarrow$ Amorphisierung/Rekristallisation
331       \pause
332       \item Wiederholung f"ur mittlere Anzahl der Treffer des Ions
333     \end{itemize}
334   \end{block}
335 \end{frame}
336
337 \begin{frame}
338   \frametitle{Simulation}
339   \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau}
340   \begin{block}{Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau}
341     \begin{itemize}
342       \item $x,y$ gleichverteilt
343       \item $z$ entsprechend Implantationsprofil
344     \end{itemize}
345   \end{block}
346   \begin{block}{Ablauf}
347     \begin{itemize}
348       \pause
349       \item Ausw"urfeln der Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau
350       \pause
351       \item Lokale Erh"ohung der Anzahl der Kohlenstoffatome
352     \end{itemize}
353   \end{block}
354 \end{frame}
355
356 \begin{frame}
357   \frametitle{Simulation}
358   \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern}
359   \begin{block}{Ablauf der Diffusion alle $d_v$ Schritte}
360     \begin{itemize}
361       \pause
362       \item Gehe alle Zellen durch
363       \pause
364       \item Wenn Zelle amorph
365             \begin{itemize}
366               \pause
367               \item Gehe alle Nachbarzellen durch
368               \pause
369               \item Wenn Nachbarzelle kristallin\\
370                     \pause
371                     $\Rightarrow$ Transferiere den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs
372             \end{itemize}
373     \end{itemize}
374   \end{block}
375   \pause
376   \begin{block}{Sputterablauf alle $S$ Schritte}
377     \begin{itemize}
378       \pause
379       \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach Ebene $i-1$\\
380             $i = 2,3,\ldots,Z-1,Z$
381       \pause
382       \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin
383       \pause
384       \item Setze den Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null
385     \end{itemize}
386   \end{block}
387 \end{frame}
388
389   \subsection{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe}
390
391 \begin{frame}
392   \frametitle{Ergebnisse}
393   \framesubtitle{Simulation, Version 1}
394   \begin{block}{Eigenschaften}
395     \begin{itemize}
396       \pause
397       \item Linear gen"ahertes Implantations- und Bremskraftprofil
398       \pause
399       \item Ein W"urfel-Treffer pro Ion
400       \pause
401       \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit unabh"angig von direkter Nachbarschaft
402       \pause
403       \item Tiefenbereich $0 - 300 \, nm$
404       \pause
405       \item Kein Sputtervorgang
406     \end{itemize}
407   \end{block}
408 \end{frame}
409
410 \begin{frame}
411   \frametitle{Ergebnisse}
412   \framesubtitle{Erste Simulationen, $s=3 \times 10^5$, $p_c=0$}
413   \begin{center}
414   \includegraphics[width=10cm]{first_sims.eps}
415   \end{center}
416   \pause
417   \scriptsize{
418   $\Rightarrow$ Abbruchradius $r=5$\\
419   $\Rightarrow$ niedrige Simulationsparameter\\
420   $\Rightarrow$ gro"se Anzahl an Durchl"aufen $\rightarrow$ $2$ bzw. $3 \times 10^7$\\}
421 \end{frame}
422
423 \begin{frame}
424   \frametitle{Ergebnisse}
425   \framesubtitle{Vergleich mit TEM-Aufnahme, $p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.003$, $d_v=10$, $d_r=0.5$}
426   \color{red}{Lamellare Strukturen}
427   \begin{center}
428     \includegraphics[width=10cm]{if_cmp3.eps}
429   \end{center}
430 \end{frame}
431
432 \begin{frame}
433   \frametitle{Ergebnisse}
434   \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsrate $d_r$}
435   \begin{columns}
436     \column{6cm}
437       \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss.eps}
438       \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.004$, $d_v=10$}
439     \column{6cm}
440       \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss_ls.eps}
441   \end{columns}
442 \end{frame}
443
444 \begin{frame}
445   \frametitle{Ergebnisse}
446   \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsgeschwindigkeit $d_v$}
447   \begin{columns}
448     \column{8cm} 
449       \includegraphics[width=8cm]{low_to_high_dv.eps}
450       \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.003$, $d_r=0.5$}
451     \column{4cm} \includegraphics[width=4cm]{ls_dv_cmp.eps}
452   \end{columns}
453 \end{frame}
454
455 \begin{frame}
456   \frametitle{Ergebnisse}
457   \framesubtitle{Einfluss der Druckspannung}
458   \begin{columns}
459     \column{8cm} 
460       \includegraphics[width=8cm]{high_to_low_a.eps}
461       \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $d_v=10$, $d_r=0.5$}
462     \column{4cm}
463       \includegraphics[width=4cm]{ps_einfluss_ls.eps}
464       \begin{center}
465       \scriptsize{
466       a) $p_s=0.002$\\
467       b) $p_s=0.003$\\
468       c) $p_s=0.004$\\
469       }
470       \end{center}
471   \end{columns}
472 \end{frame}
473
474 \begin{frame}
475   \frametitle{Ergebnisse}
476   \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
477   \begin{columns}
478     \column{5cm} \includegraphics[width=5cm]{97_98_ng.eps}
479     \column{7cm} \includegraphics[width=7cm]{ac_cconc_ver1.eps}
480   \end{columns}
481 \end{frame}
482
483 \begin{frame}
484   \frametitle{Ergebnisse}
485   \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 1}
486   \begin{itemize}
487     \item Modell/Simulation reproduziert die Bildung geordneter Lamellenstrukturen
488     \item Bildungsprozess nachvollziehbar durch die Simulation
489     \item hohe Anzahl an Simulationsdurchl"aufen,\\
490           kleine Amorphisierungswahrscheinlichkeiten
491     \item Diffusion essentiell, insbesondere die Diffusion in $z$-Richtung
492     \item hoher Beitrag durch kohlenstoffinduzierte Amorphisierung
493     \item Kohlenstoffverteilung im Einklang mit EFTEM-Aufnahme
494   \end{itemize}
495 \end{frame}
496
497   \subsection{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
498
499 \begin{frame}
500   \frametitle{Ergebnisse}
501   \framesubtitle{Simulation, Version 2}
502   \begin{block}{Eigenschaften}
503     \begin{itemize}
504       \pause
505       \item exaktes TRIM Implantations- und Bremskraftprofil
506       \pause
507       \item mittlere Anzahl W"urfel-Treffer pro Ion aus TRIM
508       \pause
509       \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit abh"angig von direkter Nachbarschaft
510       \pause
511       \item Tiefenbereich $0 - 700 \, nm$
512       \pause
513       \item Sputtervorgang
514     \end{itemize}
515   \end{block}
516 \end{frame}
517
518 \begin{frame}
519   \frametitle{Ergebnisse}
520   \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
521   \begin{center}
522     \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng1-2.eps}
523   \end{center}
524 \end{frame}
525
526 \begin{frame}
527   \frametitle{Ergebnisse}
528   \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
529   \begin{center}
530     \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng2-2.eps}
531   \end{center}
532 \end{frame}
533
534 \begin{frame}
535   \frametitle{Ergebnisse}
536   \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
537   \begin{columns}
538     \column{6cm}
539       \includegraphics[width=6cm]{position_al.eps}
540       \begin{center}
541       {\scriptsize Simulation}
542       \end{center}
543     \column{6cm}
544       \includegraphics[width=6cm]{a-d.eps}
545       \begin{center}
546       {\scriptsize Experiment}
547       \end{center}
548   \end{columns}
549 \end{frame}
550
551 \begin{frame}
552   \frametitle{Ergebnisse}
553   \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
554   \begin{center}
555      \includegraphics[height=6.5cm]{ac_cconc_ver2_new_pres.eps}
556   \end{center}
557 \end{frame}
558
559 \begin{frame}
560   \frametitle{Ergebnisse}
561   \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung an den Grenzfl"achen zur amorphen Schicht}
562       \scriptsize{
563       \begin{center}
564       Experiment\\
565       \begin{tabular}{|c|c|c|}
566         \hline
567         Dosis & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
568         \hline
569         $2,1 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 16 $at. \%$ & 13 $at. \%$ \\
570         \hline
571         $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 13 $at. \%$ & 14 $at. \%$ \\
572         \hline
573         $3,4 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 14 $at. \%$ & 12 $at. \%$ \\
574         \hline
575       \end{tabular}
576       \end{center}
577       \begin{center}
578       Simulation\\
579       \begin{tabular}{|c|c|c|c|}
580         \hline
581         Durchl"aufe & \begin{minipage}{2.5cm} \begin{center} "aquivalente Dosis \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
582
583         \hline
584         $80 \times 10^6$ & $2,16 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,21 $at. \%$ & 16,62 $at. \%$ \\
585         \hline
586         $120 \times 10^6$ & $3,25 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,80 $at. \%$ & 17,67 $at. \%$ \\
587         \hline
588         $159 \times 10^6$ & $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 17,28 $at. \%$ & 17,73 $at. \%$ \\
589         \hline
590       \end{tabular}\\
591       \end{center}}
592 \end{frame}
593
594 \begin{frame}
595   \frametitle{Ergebnisse}
596   \framesubtitle{Variation der Simulationsparameter}
597   \begin{columns}
598     \column{8.5cm}
599       \includegraphics[width=8.5cm]{var_sim_paramters.eps}
600     \column{0.5cm}
601     \column{3cm}
602       \scriptsize{
603       \[
604       \begin{array}{ccl}
605       p_b & = & 0.01 \\
606       p_c & = & 0.001 \\
607       p_s & = & 0.0001 \\
608       d_r & = & 0.05 \\
609       d_v & = & 10^6 \\
610       s   & = & 158 \times 10^6
611       \end{array}
612       \]
613       }
614   \end{columns}
615 \end{frame}
616
617 \begin{frame}
618   \frametitle{Ergebnisse}
619   \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 2}
620   \begin{itemize}
621     \item Modell/Simulation reproduziert die dosisabh"angige Bildung der amorphen Phasen
622     \item Gute "Ubereinstimmung zwischen Experiment und Simulation (bis auf $30 \, nm$-Shift)
623     \item Entwicklung der Grenzfl"achen und lamellaren Ausscheidungen reproduzierbar
624     \item "Ubereinstimmung der Kohlenstoffkonzentration an den Grenzfl"achen
625     \item Detaillierte Untersuchungen zur Kohlenstoffkonzentration und zur genauen Struktur der Ausscheidungen
626   \end{itemize} 
627 \end{frame}
628
629   \subsection{Herstellung breiter Bereiche mit lamellarer Struktur}
630
631 \begin{frame}
632   \frametitle{Ergebnisse}
633   \framesubtitle{Herstellung breiter lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt}
634   \begin{columns}
635     \column{5cm}
636       \begin{block}{Idee}
637         \begin{itemize}
638           \item Grundlage: $180 \, keV$ $C^+$-implantiertes $Si$-Target
639           \item Target durchgehend kristallin (Implantation bei h"oherer Temperatur)
640           \item Bestrahlung mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$
641         \end{itemize}
642       \end{block}
643     \column{7cm}
644       \includegraphics[width=7cm]{carbon_sim.eps}
645   \end{columns}
646 \end{frame}
647
648 \begin{frame}
649   \frametitle{Ergebnisse}
650   \framesubtitle{Nukleares Brmeskraft- und Implantationsprofil von $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$}
651   \begin{columns}
652     \column{6cm}
653       \includegraphics[width=6cm]{nel_2mev.eps}
654       \begin{center}
655       Nukleare Bremskraft $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$
656       \end{center}
657     \column{6cm}
658       \includegraphics[width=6cm]{impl_2mev.eps}
659       \begin{center}
660       Implantationsprofil $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$
661       \end{center}
662   \end{columns}
663 \end{frame}
664
665 \begin{frame}
666   \frametitle{Ergebnisse}
667   \framesubtitle{Ergebnisse des zweiten Implantationsschrittes mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen}
668   \scriptsize{
669   \begin{center}
670     Grundlage: $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV$ $C^+$-Implantation\\
671     \includegraphics[width=8cm]{2nd_impl_4_3.eps}
672   \end{center}
673   }
674 \end{frame}
675
676 \begin{frame}
677   \frametitle{Ergebnisse}
678   \framesubtitle{Ergebnisse des zweiten Implantationsschrittes mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen}
679   \scriptsize{
680   \begin{center}
681     Grundlage: $1.1 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV$ $C^+$-Implantation\\
682     \includegraphics[width=8cm]{2nd_impl_1_1.eps}
683   \end{center}
684   }
685 \end{frame}
686
687 \begin{frame}
688   \frametitle{Ergebnisse}
689   \framesubtitle{Herstellung noch breiterer lamellarer Bereiche durch Mehrfachimplantation}
690   \begin{columns}
691     \column{7cm}
692       \includegraphics[width=7cm]{multiple_impl_cp.eps}
693     \column{5cm}
694       \begin{block}{Idee}
695         \begin{itemize}
696           \item breite, konstante, kastenf"ormige Verteilung des Kohlenstoffs
697           \item Mehrfachimplantation, Energien zwischen $180$ und $10 \, keV$
698           \item Konzentrationsmaximum: $10 \, at.\%$
699           \item Bestrahlung mit $2\, MeV$ $C^+$-Ionen
700         \end{itemize}
701       \end{block}
702   \end{columns}
703 \end{frame}
704
705 \begin{frame}
706   \frametitle{Ergebnisse}
707   \framesubtitle{Ergebniss der $2\, MeV$ $C^+$-Bestrahlung}
708   \begin{center}
709     \includegraphics[width=11cm]{multiple_impl.eps}
710   \end{center}
711 \end{frame}
712
713 \begin{frame}
714   \frametitle{Ergebnisse}
715   \framesubtitle{Ergebniss der $2\, MeV$ $C^+$-Bestrahlung}
716   \begin{center}
717     \includegraphics[width=10cm]{multiple_ls.eps}
718   \end{center}
719 \end{frame}
720
721 \section{Zusammenfassung und Ausblick}
722
723   \subsection{Zusammenfassung}
724
725 \begin{frame}
726   \frametitle{Zusammenfassung}
727   \begin{itemize}
728     \pause
729     \item Experimentell beobachtete selbstorganisierte Anordnung amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen
730     \pause
731     \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorganges
732     \pause
733     \item Implementierung in einen Monte-Carlo-Simulationscode
734     \pause
735     \item Ergebnisse der Simulation reproduzieren die experimentellen Befunde
736     \pause
737     \item Detaillierte Untersuchungen zur Kohlenstoffkonzentration und zur Struktur der Ausscheidungen m"oglich
738     \pause
739     \item Vorhersage zur Herstellung gro"ser Bereiche lamellar geordneter Strukturen
740   \end{itemize}
741 \end{frame}
742
743   \subsection{Ausblick}
744
745 \begin{frame}
746   \frametitle{Ausblick}
747   \begin{itemize}
748     \pause
749     \item Simulation: Variation der Ionensorte/Temperatur\\
750           \footnotesize{
751           $\rightarrow$ Abh"angigkeit der Simulationsparameter vom Materialsystem\\
752           $\rightarrow$ Abh"angigkeit der Simulationsparameter von der Temperatur}
753     \pause
754     \normalsize{
755     \item Experimentell: "Uberpr"ufung der Vorhersage
756     }
757   \end{itemize}
758 \end{frame}
759
760 \begin{frame}
761   \frametitle{Danksagung}
762   \begin{itemize}
763     \item Prof. Dr. Bernd Stritzker
764     \item PD Volker Eyert
765     \item PD J"org Lindner
766     \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen
767     \item Dipl. Phys. Ralf Utermann
768     \item EP4 + Diplomanden
769   \end{itemize}
770 \end{frame}
771
772
773 \end{document}