8 \setbeamercovered{transparent}
11 \usepackage[german]{babel}
12 \usepackage[latin1]{inputenc}
13 \usepackage[T1]{fontenc}
18 \usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
19 %\usepackage{pstricks}
21 \graphicspath{{../img}}
26 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
27 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
28 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
30 Institut f"ur Physik\\
31 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
34 \date{10. November 2005}
35 %\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
36 %\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
38 %\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
43 \frametitle{"Uberblick}
44 \tableofcontents[currentsubsection]
53 \frametitle{"Uberblick}
54 \tableofcontents%[pausesections]
57 \section{Einf"uhrung und Grundlagen}
59 \subsection{Einf"uhrung}
62 \frametitle{Einf"uhrung}
63 \framesubtitle{Ionenimplantation}
64 \begin{block}{Funktionsweise}
66 \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
67 \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($10^2 \, eV - \, GeV$)
68 \item Bestrahlung eines Festk"orpers
72 $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
73 \begin{block}{Anwendung}
74 Dotierung von Halbleiterkristallen
79 \frametitle{Einf"uhrung}
80 \framesubtitle{Ionenimplantation}
81 \begin{block}{Vorteile}
83 \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
84 \item Reproduzierbarkeit
87 \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
88 \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
94 \frametitle{Einf"uhrung}
95 \framesubtitle{Selbstorganisation}
99 \includegraphics[height=5.8cm]{ripple_bh.eps}\\
102 R. M. Bradley, J. M. E. Harper.\\
103 J. Vac. Sci. Technol. A 6 (1988) 2390.
107 \includegraphics[width=5cm]{frost.eps}
109 $1000 \, eV$ $Ar^+ \rightarrow$ $InAs$,\\
110 rotierendes Target,\\
111 $T=285 \, K$, $\dot{D}=270 \, \mu A \, cm^{-2}$,\\
112 $t=60 \, min.$, $\alpha = 30 \, ^{\circ}$.\\
116 B. Ziberi, F. Frost, M. Tartz, H. Neumann,\\
118 Thin Solid Films 459 (2004) 106.
122 \includegraphics[height=5cm]{bin_leg.eps}\\
124 R. A. Enrique, P. Bellon.\\
125 Phys. Rev. B 60 (1999) 14649.
129 \includegraphics[width=5cm]{bolse2.eps}
131 $230 \, MeV$ $Kr^+ \rightarrow NiO/SiO_2$,\\
132 $D=1.7 \times 10^{14} cm{-2}$, $\theta = 75 \, ^{\circ}$.
136 W. Bolse, A. Schattat, A. Feyh.\\
137 Appl. Phys. A 77 (2003) 11.
142 \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
143 \item<2-> selbstorganisierte Nanostrukturen durch Sputtererosion
144 \item<3-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
145 \item<4-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
150 \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung}
153 \frametitle{Grundlagen}
154 \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
156 \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
157 elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
158 $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
161 \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
162 inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
163 $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
166 \begin{block}{Bremskraft}
167 $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
171 \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
174 \frametitle{Grundlagen}
175 \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
176 \begin{block}{Monte-Carlo-Methode}
177 Abbildung von Zufallszahlen auf physikalische Gr"o"sen
180 \begin{block}{Das Prinzip von TRIM}
182 \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
184 \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
186 \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
188 \item Energieverlust durch St"o"se
190 \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_k$
196 \frametitle{Grundlagen}
197 \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
198 Abbildung der Zufallszahlen auf die physikalischen Gr"o"sen
201 \begin{pgfpicture}{0cm}{0cm}{8cm}{7cm}
202 % free path of flight l
206 \pgfputat{\pgfxy(1.75,5.1)}{\pgfbox[center,bottom]{$l$}}
209 % the atom and impact parameter p
211 \pgfcircle[fill]{\pgfxy(3,6)}{0.1cm}
212 \pgfputat{\pgfxy(3.2,6)}{\pgfbox[left,base]{Atom}}
214 \pgfsetstartarrow{\pgfarrowbar}
215 \pgfsetendarrow{\pgfarrowbar}
219 \pgfputat{\pgfxy(2.9,5.5)}{\pgfbox[right,base]{$p$}}
222 % the scattering angle theta
224 \pgfmoveto{\pgfxy(3,5)}
225 \pgflineto{\pgfxy(7,2)}
226 \pgfsetdash{{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}}{0cm}
228 \pgfsetdash{{1cm}{0cm}{1cm}{0cm}}{0cm} % reset dash ... strange!
229 \pgfputat{\pgfxy(3.9,4.6)}{\pgfbox[right,base]{$\Theta$}}
233 \pgfcircle[fill]{\pgfxy(1,5)}{0.1cm}
234 \pgfputat{\pgfxy(1,4.9)}{\pgfbox[center,top]{Ion}}
235 \pgfmoveto{\pgfxy(1,5)}
236 \pgflineto{\pgfxy(7,5)}
237 \pgfsetdash{{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}}{0cm}
239 \pgfsetdash{{1cm}{0cm}{1cm}{0cm}}{0cm} % reset dash ... strange!
244 \item<3-> mittlere freie Wegl"ange \color{blue}{$l$}
245 \item<4-> Sto"sparameter \color{red}{$p$}\\
246 \color{black} % reset color ...
247 \onslide<5->{$\Rightarrow$ $\Theta$, $\Delta E$}
248 \item<6-> Azimutwinkel $\Phi$
253 \section{Experimentelle Befunde und Modell}
255 \subsection{Experimentelle Befunde}
258 \frametitle{Experimentelle Befunde}
259 \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
261 \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
264 {\scriptsize\bf Hellfeld-XTEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
269 \frametitle{Experimentelle Befunde}
270 \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
273 \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps}
274 {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$}
277 \includegraphics[width=5.5cm]{trim92_2.eps}
278 {\scriptsize TRIM 92: Nukleares/Elektronisches Bremskraft- und Implantationsprofil f"ur $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$}
283 \frametitle{Experimentelle Befunde}
284 \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation}
286 \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps}
287 {\scriptsize Hellfeld-XTEM- und Kohlenstoffverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.}
296 \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps}
299 \begin{itemize}[<+-| alert@+>]
301 \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
302 $\rightarrow$ {\bf kohlenstoffinduzierte Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
303 \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $3C-SiC$ und $c-Si$\\
304 $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
305 \item $20 - 30\,\%$ geringere $Si$-Dichte des amorphen $SiC_x$ im Vergleich zu $c-Si$\\
306 $\rightarrow$ {\bf laterale Druckspannungen} auf Umgebung (Relaxation in vertikaler Richtung)
307 \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten\\
308 $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
309 \item Druckspannungen\\
310 $\rightarrow$ {\bf spannungsunterst"utzte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
314 \section{Simulation und Ergebnisse}
316 \subsection{Simulation}
319 \frametitle{Simulation}
321 {\bf N}ano {\bf L}amellar {\bf S}elbst{\bf o}rganisations{\bf p}rozess
326 \begin{block}{Grober Ablauf}
328 \item Amorphisierung/Rekristallisation
329 \item Kohlenstoffeinbau
330 \item Diffusion/Sputtern
333 \begin{block}{Versionen}
335 \item Version 1 - Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe
336 \item Version 2 - Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich
341 \includegraphics[width=6cm]{gitter_oZ.eps}
343 \scriptsize{Unterteilung des Targets}
349 \frametitle{Simulation}
350 \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
353 \includegraphics[width=5.5cm]{trim_impl2.eps}
354 {\scriptsize SRIM 2003.26, Implantationsprofil,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
356 \includegraphics[width=5.5cm]{trim_nel.eps}
357 {\scriptsize SRIM 2003.26, nukleare Bremskraft,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
362 \frametitle{Simulation}
363 \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
365 \includegraphics[width=7cm]{trim_coll.eps}\\
367 {\scriptsize $\Rightarrow$ Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}\\
368 {\scriptsize $\Rightarrow$ Mittlere W"urfel-Trefferzahl eines Ions}
372 \frametitle{Simulation}
373 \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
374 \begin{block}{Amorphisierungswahrscheinlichkeit}
376 p_{c \rightarrow a}(\vec{r}) = \pause \color{green}{p_b} \pause + \color{blue}{p_c c_C(\vec{r})} \pause + \color{red}{\sum_{\textrm{amorphe Nachbarn}} \frac{p_s c_C(\vec{r'})}{(r-r')^2}}
379 \onslide<2-> \item \color{green}{ballistische Amorphisierung}
380 \onslide<3-> \item \color{blue}{kohlenstoffinduzierte Amorphisierung}
381 \onslide<4-> \item \color{red}{spannungsuntert"utzte Amorphisierung}
387 \frametitle{Simulation}
388 \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallsiation}
389 \begin{block}{Rekristallisationswahrscheinlichkeit}
391 p_{a \rightarrow c}(\vec{r}) = \pause (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec{r})) \pause \Big( 1 - \frac{\sum_{\textrm{direkte Nachbarn}} \delta(\vec{r'})}{6} \Big)
395 \delta(\vec{r}) = \left\{
397 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
398 0 & \textrm{sonst} \\
407 \frametitle{Simulation}
408 \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
409 \begin{block}{Sto"skoordinaten}
411 \item $x,y$ gleichverteilt
412 \item $z$ entsprechend nuklearer Bremskraft
415 \begin{block}{Ablauf}
418 \item Ausw"urfeln der Sto"skoordinaten
420 \item Berechnung von $p_{c \rightarrow a}$ bzw. $p_{a \rightarrow c}$
422 \item Zufallszahl $\rightarrow$ Amorphisierung/Rekristallisation
424 \item Wiederholung f"ur mittlere Anzahl der Treffer des Ions
430 \frametitle{Simulation}
431 \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau}
432 \begin{block}{Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau}
434 \item $x,y$ gleichverteilt
435 \item $z$ entsprechend Implantationsprofil
438 \begin{block}{Ablauf}
441 \item Ausw"urfeln der Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau
443 \item Lokale Erh"ohung der Anzahl der Kohlenstoffatome
449 \frametitle{Simulation}
450 \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern}
451 \begin{block}{Ablauf der Diffusion alle $d_v$ Schritte}
454 \item Gehe alle Zellen durch
456 \item Wenn Zelle amorph
459 \item Gehe alle Nachbarzellen durch
461 \item Wenn Nachbarzelle kristallin\\
463 $\Rightarrow$ Transferiere den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs
468 \begin{block}{Sputterablauf alle $S$ Schritte}
471 \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach Ebene $i-1$\\
472 $i = 2,3,\ldots,Z-1,Z$
474 \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin
476 \item Setze den Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null
481 \subsection{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe}
484 \frametitle{Ergebnisse}
485 \framesubtitle{Simulation, Version 1}
486 \begin{block}{Eigenschaften}
487 \begin{itemize}[<+-| alert@+>]
489 \item Tiefenbereich $0 - 300 \, nm$
490 \item Linear gen"ahertes Implantations- und Bremskraftprofil
491 \item Ein W"urfel-Treffer pro Ion
492 \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit unabh"angig von direkter Nachbarschaft
493 \item Kein Sputtervorgang
499 \frametitle{Ergebnisse}
500 \framesubtitle{Erste Simulationen, $s=3 \times 10^5$, $p_c=0$}
502 \includegraphics[width=10cm]{first_sims.eps}
506 $\Rightarrow$ Abbruchradius $r=5$\\
508 $\Rightarrow$ gro"se Anzahl an Durchl"aufen $\rightarrow$ $2$ bzw. $3 \times 10^7$\\
509 $\Rightarrow$ kleinere Simulationsparameter $p_b$, $p_c$ und $p_s$\\}
513 \frametitle{Ergebnisse}
514 \framesubtitle{Vergleich mit TEM-Aufnahme, $p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.003$, $d_v=10$, $d_r=0.5$}
515 \color{red}{Lamellare Strukturen}
517 \includegraphics[width=10cm]{if_cmp3.eps}
522 \frametitle{Ergebnisse}
523 \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsrate $d_r$}
526 \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss.eps}
527 \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.004$, $d_v=10$}
529 \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss_ls.eps}
534 \frametitle{Ergebnisse}
535 \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsgeschwindigkeit $d_v$}
538 \includegraphics[width=8cm]{low_to_high_dv.eps}
539 \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.003$, $d_r=0.5$}
540 \column{4cm} \includegraphics[width=4cm]{ls_dv_cmp.eps}
545 \frametitle{Ergebnisse}
546 \framesubtitle{Einfluss der Druckspannung}
549 \includegraphics[width=8cm]{high_to_low_a.eps}
550 \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $d_v=10$, $d_r=0.5$}
552 \includegraphics[width=4cm]{ps_einfluss_ls.eps}
564 \frametitle{Ergebnisse}
565 \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
567 \column{5cm} \includegraphics[width=5cm]{97_98_ng.eps}
568 \column{7cm} \includegraphics[width=7cm]{ac_cconc_ver1.eps}
573 \frametitle{Ergebnisse}
574 \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 1}
576 \item Modell/Simulation reproduziert die Bildung geordneter Lamellenstrukturen
577 \item Bildungsprozess nachvollziehbar durch die Simulation
578 \item hohe Anzahl an Simulationsdurchl"aufen,\\
579 kleine Amorphisierungswahrscheinlichkeiten
580 \item Diffusion essentiell, insbesondere die Diffusion in $z$-Richtung
581 \item hoher Beitrag durch kohlenstoffinduzierte Amorphisierung
582 \item Kohlenstoffverteilung im Einklang mit EFTEM-Aufnahme
586 \subsection{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
589 \frametitle{Ergebnisse}
590 \framesubtitle{Simulation, Version 2}
591 \begin{block}{Eigenschaften}
592 \begin{itemize}[<+-| alert@+>]
594 \item exaktes TRIM Implantations- und Bremskraftprofil
595 \item mittlere Anzahl W"urfel-Treffer pro Ion aus TRIM
596 \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit abh"angig von direkter Nachbarschaft
597 \item Tiefenbereich $0 - 700 \, nm$
604 \frametitle{Ergebnisse}
605 \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
607 \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng1-2.eps}
612 \frametitle{Ergebnisse}
613 \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
615 \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng2-2.eps}
620 \frametitle{Ergebnisse}
621 \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
624 \includegraphics[width=6cm]{position_al.eps}
626 {\scriptsize Simulation}
629 \includegraphics[width=6cm]{a-d.eps}
631 {\scriptsize Experiment}
637 \frametitle{Ergebnisse}
638 \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
640 \includegraphics[height=6.5cm]{ac_cconc_ver2_new_pres.eps}
645 \frametitle{Ergebnisse}
646 \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung an den Grenzfl"achen zur amorphen Schicht}
650 \begin{tabular}{|c|c|c|}
652 Dosis & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
654 $2,1 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 16 $at. \%$ & 13 $at. \%$ \\
656 $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 13 $at. \%$ & 14 $at. \%$ \\
658 $3,4 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 14 $at. \%$ & 12 $at. \%$ \\
664 \begin{tabular}{|c|c|c|c|}
666 Durchl"aufe & \begin{minipage}{2.5cm} \begin{center} "aquivalente Dosis \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
669 $80 \times 10^6$ & $2,16 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,21 $at. \%$ & 16,62 $at. \%$ \\
671 $120 \times 10^6$ & $3,25 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,80 $at. \%$ & 17,67 $at. \%$ \\
673 $159 \times 10^6$ & $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 17,28 $at. \%$ & 17,73 $at. \%$ \\
680 \frametitle{Ergebnisse}
681 \framesubtitle{Variation der Simulationsparameter}
684 \includegraphics[width=8.5cm]{var_sim_paramters.eps}
695 s & = & 158 \times 10^6
703 \frametitle{Ergebnisse}
704 \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 2}
706 \item Modell/Simulation reproduziert die dosisabh"angige Bildung der amorphen Phasen
707 \item Gute "Ubereinstimmung zwischen Experiment und Simulation (bis auf $30 \, nm$-Shift)
708 \item Entwicklung der Grenzfl"achen und lamellaren Ausscheidungen reproduzierbar
709 \item "Ubereinstimmung der Kohlenstoffkonzentration an den Grenzfl"achen
710 \item Detaillierte Untersuchungen zur Kohlenstoffkonzentration und zur genauen Struktur der Ausscheidungen
711 \item Variation der Simulationparameter\\
712 $\Rightarrow$ Bildungsprozess der amorphen Phasen nachvollziehbar
716 \subsection{Herstellung breiter Bereiche mit lamellarer Struktur}
719 \frametitle{Ergebnisse}
720 \framesubtitle{Herstellung breiter lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt}
725 \item Grundlage: $180 \, keV$ $C^+$-implantiertes $Si$-Target
726 \item Target durchgehend kristallin (Implantation bei h"oherer Temperatur)
727 \item Bestrahlung mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$
731 \includegraphics[width=7cm]{carbon_sim.eps}
736 \frametitle{Ergebnisse}
737 \framesubtitle{Nukleares Brmeskraft- und Implantationsprofil von $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$}
740 \includegraphics[width=6cm]{nel_2mev.eps}
742 Nukleare Bremskraft $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$
745 \includegraphics[width=6cm]{impl_2mev.eps}
747 Implantationsprofil $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$
753 \frametitle{Ergebnisse}
754 \framesubtitle{Ergebnisse des zweiten Implantationsschrittes mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen}
757 Grundlage: $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV$ $C^+$-Implantation\\
758 \includegraphics[width=8cm]{2nd_impl_4_3.eps}
764 \frametitle{Ergebnisse}
765 \framesubtitle{Ergebnisse des zweiten Implantationsschrittes mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen}
768 Grundlage: $1.1 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV$ $C^+$-Implantation\\
769 \includegraphics[width=8cm]{2nd_impl_1_1.eps}
775 \frametitle{Ergebnisse}
776 \framesubtitle{Herstellung noch breiterer lamellarer Bereiche durch Mehrfachimplantation}
779 \includegraphics[width=7cm]{multiple_impl_cp.eps}
783 \item breite, konstante, kastenf"ormige Verteilung des Kohlenstoffs
784 \item Mehrfachimplantation, Energien zwischen $180$ und $10 \, keV$
785 \item Konzentrationsmaximum: $10 \, at.\%$
786 \item Bestrahlung mit $2\, MeV$ $C^+$-Ionen
793 \frametitle{Ergebnisse}
794 \framesubtitle{Ergebniss der $2\, MeV$ $C^+$-Bestrahlung}
796 \includegraphics[width=11cm]{multiple_impl.eps}
801 \frametitle{Ergebnisse}
802 \framesubtitle{Ergebniss der $2\, MeV$ $C^+$-Bestrahlung}
804 \includegraphics[width=10cm]{multiple_ls.eps}
808 \section{Zusammenfassung und Ausblick}
810 \subsection{Zusammenfassung}
813 \frametitle{Zusammenfassung}
816 \item Experimentell beobachtete selbstorganisierte Anordnung amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen
818 \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorganges
820 \item Implementierung in einen Monte-Carlo-Simulationscode
822 \item Ergebnisse der Simulation reproduzieren die experimentellen Befunde
824 \item Detaillierte Untersuchungen zur Kohlenstoffkonzentration und zur Struktur der Ausscheidungen m"oglich
826 \item Vorhersage zur Herstellung gro"ser Bereiche lamellar geordneter Strukturen
830 \subsection{Ausblick}
833 \frametitle{Ausblick}
836 \item Simulation: Variation der Ionensorte/Temperatur\\
838 $\rightarrow$ Abh"angigkeit der Simulationsparameter vom Materialsystem\\
839 $\rightarrow$ Abh"angigkeit der Simulationsparameter von der Temperatur}
842 \item Experimentell: "Uberpr"ufung der Vorhersage
848 \frametitle{Danksagung}
850 \item Prof. Dr. Bernd Stritzker
851 \item PD Volker Eyert
852 \item PD J"org Lindner
853 \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen
854 \item Dipl. Phys. Ralf Utermann
855 \item EP4 + Diplomanden