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2
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6 \usepackage[T1]{fontenc}
7 \usepackage{amsmath}
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9
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17
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20
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24
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26 \input{seminar.bg2}             % Unofficial bugs corrections
27
28 \author{Frank Zirkelbach}
29 \title{Simulation von nanolamellaren Selbstordnugsprozessen}
30
31 \begin{document}
32
33 \extraslideheight{5in}
34
35 \begin{slide}
36 \maketitle
37 \end{slide}
38
39 \begin{slide}
40 \tableofcontents
41 \end{slide}
42
43 \begin{slide}
44 \section{Einf"uhrung}
45 \end{slide}
46
47 \begin{slide}
48 \subsection{Abbremsung von Ionen}
49 Abbremsung der Ionen durch:
50 \begin{itemize}
51  \item inelastische Streuung an Targetelektronen
52  \item elastische Streuung an Atomkernen des Targets
53 \end{itemize}
54 Energieverlust der Ionen durch obere Bremsprozesse.\\
55 Diese sind unabh"angig voneinander.
56 \end{slide}
57
58 \begin{slide}
59 \slideheading{Bremsquerschnitt}
60 Definition: Bremsquerschnitt $S_{e,n}$
61 \[
62  S_{e,n} = - \frac{1}{N} \Big( \frac{\partial E}{\partial x} \Big)_{e,n}
63 \]
64 mit:
65 \[
66 \begin{array}{ll}
67  N & \equiv \textrm{atomare Dichte} \\
68  E & \equiv \textrm{Energie des Ions} \\
69  x & \equiv \textrm{zur"uckgelegter Weg}
70 \end{array}
71 \]
72 Wegen der Unabh"angigkeit gilt:
73 \[
74  - \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_e(E) + S_n(E) \Big)
75 \]
76 Mittlere Reichweite $R$:
77 \[
78  R = \frac{1}{N} \int_0^{E_0} \frac{\partial E}{S_e(E) +S_n(E)} \qquad \textrm{, mit} \, E_0 \equiv \textrm{Anfangsenergie}
79 \]
80 \end{slide}
81
82 \begin{slide}
83 \slideheading{nuklearer Energieverlust}
84 Beschreibung durch elastischen Sto"s:
85 \[
86  T_n(E,p) = E \frac{2 M_1 M_2}{(M_1 + M_2)^2} (1 - \sin \theta)
87 \]
88 wobei:
89 \[
90 \begin{array}{ll}
91  T_n & \equiv \textrm{Energie"ubertrag beim Sto"s} \\
92  p & \equiv \textrm{Sto"sparameter} \\
93  \theta & \equiv \textrm{Streuwinkel im Schwerpunktsystem} \\
94  M_1, Z_1, E & \equiv \textrm{Masse, Ladung, Energie des Ions}
95 \end{array}
96 \]
97 Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $
98 S_n$:
99 \[
100  S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi p \partial p = \int_0^{T_{max}} T \sigma(E,T_n) \partial \sigma
101 \]
102 \end{slide}
103
104 \begin{slide}
105 Festlegung von $\theta$ abh"angig vom Potential $V(r)$. Wahl:
106 \[
107  V(r) = \frac{Z_1 Z_2 e^2}{4 \pi \epsilon_0 r} \Phi \Big( \frac{r}{a} \Big)
108 \]
109 \begin{itemize}
110  \item Coulombpotential mit Abschirmfunktion $\Phi$
111  \item $\Phi$ berechnet mit Hartree-Fock-Verfahren (gemittelte Elektronenverteilung)
112 \end{itemize}
113 \end{slide}
114
115 \begin{slide}
116 \slideheading{elektronischer Energieverlust}
117 Elektronischer Energieverlust haupts"achlich durch inelastische St"o"se.
118 \begin{itemize}
119  \item Anregung / Ionisation des Targets
120  \item Anregung / Ionisation / Elektroneneinfang des eingeschossenen Ions
121 \end{itemize}
122 \end{slide}
123
124 \begin{slide}
125 Energieverlust abh"angig von Energie $E$ der Ionen. (LSS, Firsov)
126 \begin{itemize}
127  \item niedrige Teilchenenergie: $S_e(E) \sim \sqrt{E}$
128  \item hohe, nicht relativistische Teilchenenergie: $S_e(E) = N \frac{4 \pi Z_1^2 Z_2^2 e^2}{m_e v_0^2} \textrm{ln} \, \Big( \frac{2 m_e v_0^2}{I} \Big)$
129 \end{itemize}
130 wobei
131 \[
132 \begin{array}{ll}
133  S_e & \equiv \textrm{elektronische Bremskraft} \\
134  v_0 & \equiv \textrm{Geschwindigkeit des Elektrons} \\
135  m_e & \equiv \textrm{Elektronenmasse} \\
136  I = I_0 Z^2 & \equiv \textrm{mittlere Ionisierungsenergie} \, I_0 \simeq 11eV
137 \end{array}
138 \]
139 \end{slide}
140
141 \begin{slide}
142 \slideheading{Implantationsprofil}
143 Wegen Richtungs"anderungen der Ionen:
144 \[
145  R \neq \textrm{mittlere Implantationstiefe}
146 \]
147 N"aherung des Konzentartionsprofils durch Gau"sverteilung:
148 \[
149  N(x) = \frac{D}{\sqrt{2 \pi} \Delta R_p} e^{ \Big( - \frac{(x-R_p)^2}{2 \Delta R_p^2} \Big)}
150 \]
151 mit:
152 \[
153 \begin{array}{ll}
154  D & \equiv \textrm{Dosis} \\
155  \Delta R_p & \equiv \textrm{Standardabweichung der projezierten Reichweite} \, R_p
156 \end{array}
157 \]
158 (Lindhard, Scharff, Schiott)\\
159 \end{slide}
160
161 \begin{slide}
162 Implantationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
163 \\
164 \includegraphics[width=10cm,clip,draft=no]{implsim_.eps}
165 \end{slide}
166
167 \begin{slide}
168 \subsection{Amorphisierung}
169 Bestrahlung $\rightarrow$ Sch"aden im Kristallgitter durch:
170 \begin{itemize}
171  \item Sto"s mit Ion
172  \item angesto"sene Atome $\rightarrow$ Verlagerungskaskaden
173 \end{itemize}
174 Defektausheilung, Rekristallisation:\\
175 verlagerte Gitteratome kehren an Gitterplatz zur"uck, durch:
176 \begin{itemize}
177  \item thermische Ausheilung (Mobilit"at $\sim T$) 
178  \item ionenstrahlinduzierte Ausheilung
179 \end{itemize}
180 Beobachtung aus Experiment:\\
181 $\rightarrow$ Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft.
182 \end{slide}
183
184 \begin{slide}
185 \section{Nanolamellare Selbstordnungsprozesse}
186 \end{slide}
187
188 \begin{slide}
189 \subsection{Beobachtungen}
190 Parameter:
191 \begin{itemize}
192  \item niedrige Targettemperaturen, $T < 400$ Grad Celsius
193  \item Implantation in $(100)$-orientiertes Silizium
194 \end{itemize}
195 Beobachtungen an oberer Grenzfl"ache zur amorphen Schicht:\\
196 $\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen
197 \end{slide}
198
199 \begin{slide}
200 TEM-Aufnahme lamellarer und sph"arischer amorpher Gebiete:\\
201 \\
202 \includegraphics[width=10cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps}
203 \end{slide}
204
205 \begin{slide}
206 \subsection{Das Modell}
207 Entstehung der geordneten amorphen Ausscheidungen:
208 \begin{itemize}
209  \item geringe L"oslichkeit von $C$ in $Si$ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
210  \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
211  \item $SiC$-Dichte im amorphen um $20-30\%$ geringer als im kristallinen Zustand $\rightarrow$ Ausdehnung, Druckspannung auf Umgebung $\rightarrow$ Erschweren des \dq Wiedereinbaus\dq{} verlagerter Atome
212  \item Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
213  \item Reduzierung der Kohlenstoff"ubers"attigung: Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
214 \end{itemize}
215 \end{slide}
216
217 \begin{slide}
218 Folgen:
219 \begin{itemize}
220  \item Nukleation amorpher sph"arischer Ausscheidungen
221  \item F"orderung der Amorphisierung zwischen 2 Ausscheidungen
222  \item Bildung kohlenstoffreicher geordneter amorpher lamellarer Strukturen
223 \end{itemize}
224 \includegraphics[width=10cm,clip,draft=no]{model1_.eps}
225 \end{slide}
226
227 \begin{slide}
228 \subsection{Die Simulation}
229 Annahmen:
230 \begin{itemize}
231  \item Betrachte nur Gebiet vor amorpher Grenzfl"ache
232  \item lineare N"aherung der nuklearen Bremskraft in diesem Bereich
233  \item lineare N"aherung der Kohlenstoffkonzentartion in diesem Bereich
234  \item Wahrscheinlichkeit f"ur Sto"skaskade $\sim$ nuklearer Bremskraft
235  \item $p(cryst \rightarrow amorph) \sim$ Druckspannung und Kohlenstoffkonzentartion
236  \item $p(amorph \rightarrow cryst) = 1 - p(cryst \rightarrow amorph)$
237  \item Vernachl"assige Druckspannungen in $z$-Richtung
238  \item Druckspannung $\sim \frac{1}{r^2}$
239 \end{itemize}
240 \end{slide}
241
242 \begin{slide}
243 Programmablauf:
244 \begin{itemize}
245  \item Zerlege Target in Zellen (Kantenl"ange $a \simeq 3nm$)
246  \item zuf"allige Wahl einer Zelle $(x,y,z)$ f"ur Sto"skaskade, $p(x/y)$ gleichverteilt, $p(z)=az+c$
247  \item Berechnen von $p(cryst \rightarrow amorph)$
248  \item Entscheidung anhand Zufallszahl
249  \item Erh"ohung der Kohlenstoffkonzentration
250  \item Kohlenstoffdiffusion
251  \begin{itemize}
252   \item aus kristallinen $Si$-Gitter in amorphe Bereiche
253   \item innerhalb kristalliner Bereiche
254  \end{itemize} 
255 \end{itemize}
256 \end{slide}
257
258 \begin{slide}
259 Wichtigste variable Parameter:
260 \begin{itemize}
261  \item Steigung/Y-Abschnitt von
262  \begin{itemize}
263   \item nuklearer Energieverlust
264   \item Kohlenstoffverteilung
265  \end{itemize}
266  \item Anzahl der Durchg"ange $\equiv$ Anzahl der implantierten Ionen
267  \item Abbruchkriterium f"ur Einfluss der Druckspannungen
268  \item Proportionalit"atskonstante:\\ Druckspannung $\leftrightarrow p(cryst \rightarrow amorph)$
269  \item $p_0(cryst \rightarrow amorph)$
270 \end{itemize}
271 \end{slide}
272
273 \begin{slide}
274 \subsection{Ergebnisse}
275 Erfolg:
276 \begin{itemize}
277  \item Grad der Amorphisierung geht linear mit $z$
278  \item Bildung einzelner Lamellen
279  \item hohe $C$-Konzentration in amorphen Gebieten
280 \end{itemize}
281 Nicht beobachtet:
282 \begin{itemize}
283  \item Regelm"assigkeit der lamellaren amorphen Ausscheidungen
284  \item Anwachsen der Gr"o"se der Ausscheidungen sowie deren Abst"ande in $z$-Richtung
285 \end{itemize}
286 \end{slide}
287
288 \begin{slide}
289 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
290 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--1.eps}
291 \end{slide}
292
293 \begin{slide}
294 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
295 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--2.eps}
296 \end{slide}
297
298 \begin{slide}
299 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
300 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--3.eps}
301 \end{slide}
302
303 \begin{slide}
304 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
305 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--4.eps}
306 \end{slide}
307
308 \begin{slide}
309 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
310 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--1.eps}
311 \end{slide}
312
313 \begin{slide}
314 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
315 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--2.eps}
316 \end{slide}
317
318 \begin{slide}
319 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
320 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--3.eps}
321 \end{slide}
322
323 \begin{slide}
324 $a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
325 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--4.eps}
326 \end{slide}
327
328 \begin{slide}
329 $a_{ap}=0.2 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
330 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.2-0.1--1.eps}
331 \end{slide}
332
333 \begin{slide}
334 $a_{ap}=0.2 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
335 \includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.2-0.1--2.eps}
336 \end{slide}
337
338 \begin{slide}
339 \slideheading{Zusammenfassung}
340 \begin{itemize}
341  \item Variation von $b_{ap}$
342  \begin{itemize}
343   \item Zunahme amorpher Gebiete
344   \item keine Zunahme lamellarer Strukturen
345  \end{itemize}
346  \item Variation von $a_{ap}$
347  \begin{itemize}
348   \item Zunahme amorpher Gebiete
349   \item eher Abnahme der lamellaren Struktur
350  \end{itemize}
351 \end{itemize}
352 \end{slide}
353
354 \begin{slide}
355 \section{Todo}
356 \end{slide}
357
358 \begin{slide}
359 Ideen f"ur zuk"unftige Versionen:
360 \begin{itemize}
361  \item Durchspielen weiterer Parameter
362  \begin{itemize}
363   \item $b_{ap} = 0 \,$, $a_{ap} \,$ klein
364   \item Anzahl der Schritte erh"ohen
365  \end{itemize}
366  \item Anfangsbedingung (setzen geordneter sph"arische $SiC_x$-Ausscheidungen)
367  \item Druckspannungen in $z$-Richtung
368  \item Messen des Anteils an lamellaren Strukturen (Autokorrelation)
369  \item 3 dimensionale Visualisierung
370 \end{itemize}
371 \end{slide}
372
373 \end{document}