2 \label{chapter:simulation}
4 Im Folgenden soll die Implementation der Monte-Carlo-Simulation nach dem vorangegangen Modell diskutiert werden.
5 Die Simulation tr"agt den Namen \linebreak[4] {\em NLSOP}, was f"ur die Schlagw"orter {\bf N}ano, {\bf L}amellar und {\bf S}elbst{\bf O}ragnisations-{\bf P}rozess steht.
6 Ziel der Simulation ist die Verifizierung des Modells anhand der experimentellen Ergebnisse, die in Abbildung \ref{img:xtem_img} vorliegen.
7 Die genauen Daten sind:
9 \item Energie: $E=180 keV$
10 \item Dosis: $D = 4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$
11 \item Temperatur: $T = 150 ^{\circ} \mathrm{C}$
12 \item Implantationswinkel: $\alpha = 7 ^{\circ}$
13 \item Ion/Target Kombination: $C^+ \rightarrow Si (100)$
15 Anzumerken ist, dass es zwei Versionen der Simulation gibt, die unterschiedliche Tiefenbereiche abdecken.
16 Diese unterscheiden sich in einigen Punkten, was den Simualtionsalgorithmus betrifft.
17 Darauf wird in einem gesonderten Abschnitt genauer eingegangen.
18 Der Simulationsalgorithmus wird erkl"art und die dazu ben"otigten Annahmen und Informationen aus {\em TRIM}-Ergebnissen werden besprochen.
19 Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen und dem Ablaufschema der Simulation.
21 \section{Annahmen der Simulation}
23 \subsection{Unterteilung des Targets}
24 \label{subsection:unterteilung}
26 Wie in Abbildung \ref{img:sim_gitter} zu sehen ist, wird das Target in W"urfel mit der Seitenl"ange $a = 3 nm$ zerlegt.
28 \includegraphics[width=12cm]{gitter_oZ.eps}
29 \caption{Unterteilung des Targets in W"urfel mit $3 nm$ Kantenl"ange. Jedes Volumen ist entwerder amorph (rot) oder kristallin (blau) und protokolliert die lokale Kohlenstoffkonzentration}
30 \label{img:sim_gitter}
32 Die Anzahl der W"urfel in $x$, $y$ und $z$ Richtung sind frei einstellbar.
33 Ein solches Volumen kann durch den Ortsvektor $\vec{r}(k,l,m)$, wobei $k$, $l$ und $m$ ganze Zahlen sind, addressiert werden.
34 Jeder W"urfel hat entweder den Zustand amorph (rot), oder ist kristallin (blau).
35 Die lokale Anzahl der implantierten Kohlenstoffatome wird ebenfalls protokolliert.
37 Die Ausdehnung des Targets in $x,y$-Richtung ist im Gegensatz zur Tiefe sehr gro"s und kann als unendlich ausgedehnt angenommen werden.
38 Um die Anzahl der W"urfel in diese Richtungen in der Simulation, aus Gr"unden der Rechenzeit, m"oglichst klein halten zu k"onnen, werden periodische Randbedingungen in der $x,y$-Ebene verwendet.
40 \subsection{Amorphisierung und Rekristallisation}
41 \label{subsection:a_and_r}
43 Nach dem in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellten Modell gibt es drei zur Amorphisierung beitragende Mechanismen.
44 Eine lokale Wahrscheinlichkeit f"ur die Amorphisierung $p_{c \rightarrow a}$ eines beliebigen kristallinen Volumens $\vec{r}$ setzt sich aus den drei Einzelwahrscheinlichkeiten f"ur die
46 \item \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistische}
47 \item \textcolor{red}{kohlenstoffinduzierte}
48 \item \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduzierte}
50 Amorphisierung zusammen.
51 Sie wird wie folgt berechnet:
53 p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} + \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}}
57 Die ballistische Amorphisierung besteht nur aus der Konstanten $p_b$.
58 Sie ist unabh"angig vom Ort und somit ein konstanter Beitrag f"ur jedes Volumen.
59 Sie hat keine Einheit.
60 Wieso dieser Beitrag in dieser Art sinnvoll ist, wird in Abschnitt \ref{subsection:parse_trim_coll} gekl"art.
62 Die Wahrscheinlichkeit f"ur die kohlenstoffinduzierte Amorphisierung wird proportional zur lokalen Kohlenstoffkonzentration $c_{Kohlenstoff}$ angenommen.
63 $p_c$ ist die dazugeh"orige Proportionalit"atskonstante und hat demnach die Einheit $[p_c] = m^3$.
65 Der Beitrag der Druckspannungen setzt sich aus den einzelnen Beitr"agen amorpher Gebiete in der selben Ebene zusammen, da nur diese Spannungen aus"uben.
66 Dabei ist der Wahrscheinlichkeitsbeitrag eines amorphen Volumens $\vec{r'}$ auf das Volumen $\vec{r}$ wieder proportional zur lokalen Kohlenstoffkonzentration in $\vec{r'}$.
67 Dies ist offensichtlich, denn je mehr Kohlenstoff in dem Volumen, das auf Grund der Dichtereduktion in dem amorphen Gebiet vorhanden ist, desto gr"o"ser die ausgehende Spannung auf die Umgebung.
68 Gleichzeitig ist der Beitrag indirekt proportional zum Abstandsquadrat $(\vec r - \vec{r'})^2$, da der Druck (Druck = Kraft pro Fl"ache) quadratisch mit der Entfernung abf"allt.
69 $p_s$ ist eine Proportionalit"atskonstante und hat somit die Einheit $[p_s] = m^5$.
71 Die Rekristallisationswahrscheinlichkeit amorpher Gebiete $p_{a \rightarrow c}$ sollte sich genau entgegensetzt zu $p_{c \rightarrow a}$ verhalten und wird deshalb als
73 p_{a \rightarrow c}(\vec r) = 1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)
77 Jedoch muss die direkte Nachbarschaft des Volumens ber"ucksichtigt werden.
78 F"ur die Rekristallisation ist die Strukturinformation der kristallinen Nachbarschaft notwendig.
79 Mit einer zunehmenden Anzahl von amorphen Nachbarn sollte die Rekristallisationswahrscheinlichkeit also sukzessive abnehmen und ganz verschwinden, wenn kein einziger kristalliner Nachabr vorhanden ist.
80 Mit der im Abschnitt \ref{subsection:unterteilung} beschriebenen Unterteilung hat ein Volumen genau sechs Angriffsfl"achen die als Rekristallisationsfront dienen k"onnen.
81 Damit kann man \eqref{eq:p_ac_local} neu schreiben und man erh"alt:
83 p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \Big(1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{,}
88 \delta (\vec r) = \left\{
90 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
97 Die Proportionalit"atskonstanten $p_b$, $p_c$ und $p_s$ sind frei w"ahlbare Simulationsparameter.
98 Es gilt somit einen Satz von Parametern zu finden, der die gr"o"stm"oglichste "Ubereinstimmung von Simulationsergebniss und dem experimentell gefundenen Ergebniss aus Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt.
99 Durch Variation der gefundenen Parameter k"onnen dann die unterschiedlichen Einfl"usse der verschiedenen Amorphisierungsmechanismen untersucht und der Selbstorganisationsprozess verstanden werden.
101 \subsection{Diffusion}
103 Weiterhin sieht das Modell die M"oglichkeit der Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in umliegende amorphe Volumina vor.
104 Die Diffusion wird durch zwei weitere Parameter beschrieben.
105 In Zeitintervallen $T_{Diff}$ wird ein Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs eines kristallinen Volumens in das benachbarte amorphe Volumen transferiert.
106 Da von einem konstanten Strahlstrom ausgegangen wird, kann die Zeit $T_{Diff}$ auf eine Anzahl von implantierten Ionen $d_v$ abgebildet werden.
107 Die Diffusion des Kohlenstoffs von amorphe in kristalline Gebiete wird also durch die zwei Parameter $d_r$ und $d_v$ gesteuert.
108 Die Parameter sind ebenfalls frei w"ahlbar.
109 Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete sowie Diffusion innerhalb amorpher Gebiete wird ausgeschlossen.
111 Prinzipiell sollte man den Kohlenstoff"ubertrag abh"angig von dem bereits vorhandenen Kohlenstoff in dem amorphen Volumen bestimmen.
112 Da die implantierte Dosis maximal die St"ochiometriedosis und der Parameter $d_r$ gro"s genug gew"ahlt ist, kommt es nicht zur "Ubers"attigung.
113 Da die S"attigungsgrenze in der kristallinen Struktur sehr viel niedriger ist, wird der Kohlenstoff immer bestrebt sein von dem kristallinen Bereich in die amorphen Gebiete zu diffundieren.
115 \subsection{Sputtern}
117 Es wird von einer, "uber der Oberfl"ache gleichm"assig verteilten und w"ahrend des Implantationsvorgangs konstanten Sputterrate ausgegangen.
118 Auf Grund der Unterteilung des Targets in W"urfel mit Seitenl"ange $3 nm$ muss diese Sputterrate in der Dosis, welche $3 nm$ sputtert, angegeben werden.
119 Jedesmal, nachdem das Programm diese Dosis durchlaufen hat, wird die Sputter-Routine aufgerufen, welche die oberste Targetebene abtr"agt.
121 \section{Auswertung von {\em TRIM} Ergebnissen}
123 Da bereits Programme wie {\em TRIM} die Wechelswirkung der Ionen mit dem Target simulieren und somit ein geeignetes Bremskraft- und Implantationsprofil, sowie eine genaue Buchf"uhrung "uber die Sto"skaskaden bereitstellen, wird auf diese Schritte in der Simulation aus Zeitgr"unden verzichtet.
124 Stattdessen werden die von {\em TRIM} erzeugten Statistiken verwendet.
125 Durch die Abbildung von Zufallszahlen auf die so erhaltenen Verteilungen, k"onnen die eigentlichen physikalischen Abl"aufe sehr schnell und einfach behandelt werden.
126 Im Folgenden wird auf die Ermittlung einiger, f"ur {\em NLSOP} wichtige Statistiken eingegangen.
128 \subsection{Implantationsprofil und nukleare Bremskraft}
131 \includegraphics[width=12cm]{2pTRIM180C.eps}
132 \caption{Von {\em TRIM} ermittelte Reichweitenverteilung und tiefenabh"angige Bremskr"afte f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$}
133 \label{img:bk_impl_p}
135 Abbildung \ref{img:bk_impl_p} zeigt die von {\em TRIM} ermittelte nukleare und elektronische Bremskraft sowie das Kohlenstoffkonzentrationsprofil f"ur die in dieser Arbeit verwendeten Parameter.
136 Die gestrichelte Linie markiert das Implantationsmaximum.
137 Sputtereffekte und Abweichungen auf Grund der kontinuierlich ver"anderten Targetzusammensetzung w"ahrend der Hochdosisimplantation, werden hier allerdings nicht ber"ucksichtigt.
139 Die Profile werden von {\em TRIM} selbst in seperate Dateien geschrieben.
140 Tauscht man die Kommata (Trennung von Ganzzahl und Kommastelle) durch Punkte aus, so kann {\em NLSOP} diese Dateien auslesen und die Profile extrahieren.
142 \subsection{Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}
143 \label{subsection:parse_trim_coll}
145 Weiterhin legt {\em TRIM} eine Datei Namens {\em COLLISION.TXT} an, in der s"amtliche, durch jedes Ion verursachte Sto"skaskaden protokolliert sind.
146 Zu jedem Sto"s sind Koordinaten und Energie"ubertrag angegeben.
147 Mit einem zur {\em NLSOP} Suite geh"orendem Programm kann diese Datei ausgewertet werden.
148 Die daraus gewonnen Erkenntnisse sollen im Folgenden diskutiert werden.
151 \includegraphics[width=12cm]{trim_coll.eps}
152 \caption{Auf das Maximum 1 skalierte tiefenabh"angige Energieabgabe (blau) und Anzahl der Kollisionen (rot)}
153 \label{img:trim_coll}
155 Abbildung \ref{img:trim_coll} zeigt die Energieabgabe und Anzahl der St"o"se von Ionen und Recoils in Abh"angigkeit der Tiefe.
156 Beide Graphen wurden auf das selbe Maximum skaliert.
157 Man erkennt, dass diese nahezu identisch sind.
158 Die durchschnittliche Energieabgabe durch einen Sto"s ist also ungef"ahr konstant und unabh"angig von der Tiefe.
159 Dies ist der Grund f"ur die Wahl eines konstanten Beitrags der ballistischen Amorphisierung in Abschnitt \ref{subsection:a_and_r}.
160 Jeder Sto"s "ubertr"agt durchschnittlich einen konstanten Energiebetrag im Falle einer Kollision, und tr"agt somit einen konstanten Anteil zur Amorphisierungswahrscheinlichkeit bei.
162 Desweiteren ist nun die Wahrscheinlichkeit f"ur eine Kollision in einer bestimmten Tiefe bekannt.
163 Sie entspricht der nuklearen Bremskraft.
166 \includegraphics[width=12cm]{trim_nel.eps}
167 \caption{Durch {\em TRIM} berechneter nuklearer Energieverlust f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
170 Zum Vergleich zeigt Abbildung \ref{img:trim_nel} die von {\em TRIM} selbst berechnete nukleare Bremskraft.
171 Wie zu erwarten entspricht sie ungef"ahr dem Verlauf der in Abbildung \ref{img:trim_coll} gezeigten Energieabgabe.
172 Dieses Profil wird f"ur {\em NLSOP} benutzt.
175 \includegraphics[width=12cm]{trim_impl.eps}
176 \caption{Durch {\em TRIM} berechnetes Implantationsprofil f"ur $180 keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
177 \label{img:trim_impl}
179 In Abbildung \ref{img:trim_impl} ist das f"ur diese Simulation verwendete, von {\em TRIM} berechnete Implantationsprofil abgebildet.
180 Es wurde aus der selben Rechnung wie das nukleare Bremskraftprofil gewonnen.
181 Das Implantationsmaximum liegt bei ungef"ahr $530 nm$.
183 Ein implantiertes Ion und dadurch entstandene Recoils verursachen jedoch mehr als nur eine Kollision mit den Targetatomen bis es zur Ruhe kommt.
184 Nach dem Auswertungsprogramm hat ein Ion durchschnittlich eine Anzahl von $1088$ Kollisionen bei den gegebenen Bedingungen zur Folge.
185 Die Zahl der getroffenen W"urfel, also Volumina in denen ein Ion mindestens eine Kollision verursacht, ist sehr viel geringer.
186 Das Auswertungsprogramm z"ahlt durchschnittlich $75$ getroffene Volumina pro implantierten Ion.
187 Genauer gesagt z"ahlt das Programm die Anzahl der Ebenen mit $3 nm$ H"ohe in denen Kollisionen verursacht werden.
188 Teilchenbahnen parallel zur Targetoberfl"ache verf"alschen diese Zahl.
189 Ausserdem werden mehrmalige Durchl"aufe der Ebenen nicht mitgez"ahlt.
190 Man sollte weiterhin beachten, dass Volumina in denen selbst nur eine Kollision stattfindet mitgez"ahlt werden, was allerdings nur sehr unwahrscheinlich zur Amorphisierung f"uhren wird.
191 Daher wird eine Trefferzahl von $h=100$ f"ur die Simulation angenommen.
193 \section{Simulationsalgorithmus}
195 Die Simulation kann in drei Abschnitte gegliedert werden.
196 Die beschriebenen Prozeduren werden sequentiell abgearbeitet und beliebig oft durchlaufen.
198 Wenn pro Durchlauf die Anzahl der simulierten Sto"skaskaden gleich der Anzahl der getroffenen Volumina ist, entspricht ein Durchlauf genau einem implantierten Ion.
199 Im Folgenden sei die Anzahl der W"urfel in $x$, $y$ und $z$ Richtung $X$, $Y$ und $Z$.
200 Eine Anzahl von $N$ Durchl"aufen ist damit "aquivalent zur Dosis $D$, die wie folgt gegeben ist:
202 D = \frac{N}{XY(3 nm)^2} \, \textrm{.}
203 \label{eq:dose_steps}
206 Es wird mit einem komplett kristallinen und kohlenstofffreien Target gestartet.
208 \subsection{Amorphisierung und Rekristallisation}
209 \label{subsection:a_r_step}
211 Im ersten Schritt sollen die Kollisionen und die daraus resultierende Amorphisierung beziehungsweise Rekristallisation simuliert werden.
212 Zun"achst muss das gesto"sene Volumen ausgew"ahlt werden.
213 Die St"o"se sind bez"uglich der $x$ und $y$ Richtung statistisch isotrop verteilt.
214 Es werden zwei gleichverteilte Zufallszahlen $r_1 \in [0,X[$ und $r_2 \in [0,Y[$ nach \eqref{eq:gleichverteilte_r} ausgew"urfelt.
215 Diese werden auf die ganzen Zahlen $k$ und $l$ abgebildet und bestimmen die Lage des getroffenen Volumens in der $x,y$-Ebene.
216 Eine weitere, mit Hilfe der Verwerfungsmethode aus Abschnitt \ref{subsubsection:verwerf_meth} erzeugte Zufallszahl $r_3 \in [0,Z[$ entsprechend der nuklearen Bremskraft, abgebildet auf die ganze Zahl $m$, legt die Tiefe des getroffenen Volumens fest.
217 Somit hat man den Ortsvektor $\vec{r}(k,l,m)$ f"ur den Amorphisierungs- oder Rekristallisationsvorgang festgelegt.
218 Nun kann die Amorphisierungs- beziehungsweise Rekristallisationswahrscheinlichkeit nach \eqref{eq:p_ca_local} beziehungsweise \eqref{eq:p_ac_genau} berechnet werden.
219 Eine weitere Zufallszahl $r_4 \in [0,1[$ entscheidet dann "uber einen eventuellen Statuswechsel des Volumens.
220 Es gibt folgende M"oglichkeiten:
222 \item Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ ist kristallin.\\
223 Wenn $r_4$ kleiner gleich $p_{c \rightarrow a}$ ist, wechselt der Status zu amorph.
224 Ansonsten bleibt der Status unver"andert.
225 \item Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ ist amorph.\\
226 Wenn $r_4$ kleiner gleich $p_{a \rightarrow c}$ ist, wechselt der Status zu kristallin.
227 Ansonsten bleibt der Status unver"andert.
230 Der Amorphisierungs- und Rekristallisationsschritt wird f"ur die Anzahl der getroffenen Volumina pro implantierten Ion $h$ wiederholt.
232 \subsection{Einbau des implantierten Kohlenstoffs ins Target}
234 Nachdem das Ion die Sto"sprozesse beendet hat, kommt es im Target zur Ruhe.
235 Die Wahl des Volumens ist analog zur Wahl der Ermittlung des zu sto"senden Volumens.
236 Lediglich die Implantationstiefe wird durch eine Zufallszahl bestimmt, deren Wahrscheinlichkeitsverteilung dem Konzentrationsprofil entspricht.
237 Zur Erzeugung der Zufallszahl wird wieder die in \ref{subsubsection:verwerf_meth} beschriebene Verwerfungsmethode benutzt.
239 In dem ausgew"ahlten W"urfel $\vec{r}(k,l,m)$ wird der Z"ahler f"ur den Kohlenstoff um eins erh"oht.
241 \subsection{Diffusion und Sputtern}
243 Im Folgenden wird auf die Realisierung der Diffusion eingegangen.
244 Die Simulation geht der Reihe nach alle Volumina durch.
245 Im Falle eines amorphen Volumens werden aus direkt anliegenden kristallinen Volumen der Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs abgezogen und zu dem amorphen Volumen addiert.
246 Da nur ganze Atome "ubertragen werden k"onnen, wird der Betrag auf die n"achst kleinere ganze Zahl abgerundet.
247 Dieser Diffusionsvorgang wird alle $d_v$ Schritte ausgef"uhrt.
249 Die Sputter-Routine wird nach der Dosis, die einem Abtrag von $3 nm$ entspricht ausgef"uhrt.
250 Der Zusammenhang zwischen Sputterrate $S$ und Anzahl der Simulationsdurchl"aufe $n$ ist demnach wie folgt gegeben:
252 S = \frac{(3 nm)^3 XY }{n} \quad \textrm{.}
254 Nach $n$ Simulationsdurchl"aufen wird eine kohlenstofffreie, kristalline Ebene von unten her eingeschoben.
255 Der Inhalt der Ebene $i$ wird auf die Ebene $i-1$ (f"ur $i = Z, Z-1, \ldots, 2$) "uberschrieben.
256 Die Information der obersten Ebene $i=1$ geht dabei verloren.
257 Diese entspricht der abgetragenen Ebene.
258 Die Ebene $i=Z$ erh"alt kristallinen Status und die Kohlenstoffkonzentration Null.
260 Dies macht allerdings nur Sinn, wenn das Implantationsprofil und die nukleare Bremskraft f"ur die Ebenen tiefer $Z$ auf Null abgefallen ist, um kristalline, kohlenstofffreie Ebenen zu garantieren.
262 Die Sputterrate kann durch {\em TRIM} bestimmt werden.
263 Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen.
265 \section{Simulierte Tiefenbereiche}
266 \label{section:sim_tiefenbereich}
268 Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms. Sie simulieren zwei unterschiedlich gro"se Tiefenbereiche, welche im Folgenden Simulationsfenster genannt werden.
270 Da in erster Linie der Selbstorganisationsprozess der lamellaren Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache der amorphen $SiC_x$-Schicht simuliert werden soll, ist der Tiefenbereich der ersten Version gerade bis zum Beginn der durchgehenden Schicht.
271 Dies entspricht einer Tiefe von ungef"ahr $300 nm$, und somit einer Anzahl von $Z=100$ W"urfeln in $z$-Richtung.
273 Wie in \ref{img:bk_impl_p} gut zu erkennen ist, kann in diesem Tiefenbereich sowohl die Reichweitenverteilung, als auch die nukleare Bremskraft durch eine von der Tiefe linear abh"angige Funktion gen"ahert werden.
274 Daher ergeben sich "Anderungen zu den im vorigen Abschnitt erkl"arten Methoden zur Wahl des Volumens, in dem ein Sto"sprozess beziehungsweise eine Kohlenstofferh"ohung stattfindet.
276 Die Zufallszahl $z$, die auf die Tiefen-Koordinate $m$ abgebildet wird, muss der Verteilung $p(z)dz = (sz + s_0)dz$ gen"ugen.
277 Dabei sind $s$ und $s_0$ Simulationsparameter, die die linear gen"aherte nukleare Bremskraft beschreiben.
278 Die Transformation wird wie in Abschnitt \ref{subsubsection:lin_g_p} beschrieben durchgef"uhrt.
279 Dasselbe betrifft die Wahl der Tiefen-Koordinate f"ur den Einbau des Kohlenstoffatoms.
280 Anstatt der Wahrscheinlichkeitsverteilung der nuklearen Bremskraft entsprechend, wird eine Verteilung entsprechend dem linear gen"aherte Implantationsprofil verwendet.
281 Ausserdem wird nicht nach jedem Durchlauf ein Ion im Simulationsbereich zur Ruhe kommen.
282 Da das Maximum der Reichweitenverteilung sehr viel tiefer liegt, werden die meisten Ionen ausserhalb des Simulationsfensters stehen bleiben.
283 Daher wird immer nur dann ein Ion eingebaut, wenn der im Simulationsbereich vorhandene Kohlenstoff $n_c$ kleiner als die Anzahl der Durchl"aufe $n$ multipliziert mit dem Verh"altnis der Fl"ache der Implantationskurve $I(x)$ bis $300 nm$ zur Fl"ache der gesamten Implantationskurve ist.
285 n_c < n \frac{\int_0^{300 nm} I(x) dx}{\int_0^{\infty} I(x) dx}
288 Da sowohl die Reichweitenverteilung, als auch die nukleare Bremskraft in Ebenen gr"osser $Z$ ungleich Null ist, kann Sputtern nicht beachtet werden.
289 Der Diffusionsprozess ist uneingeschr"ankt "moglich.
291 Hier sei angemerkt, dass die Simulation prinzipiell auch Diffusion von Kohlenstoff innerhalb kristalliner Volumina behandeln kann.
292 Die erste Idee war, dass Kohlenstoff in kristalline Gebiete diffundieren kann, die bereits einen grossen Anteil ihres Kohlenstoffs an einen amorphen Nachbarn abgegeben haben.
293 Da jedoch das Konzentrationsprofil durch Diffusionsprozesse nicht ver"andert werden darf, wurde die rein kristalline Diffusion in $z$-Richtung ausgeschlossen.
294 Da weiterhin die Implantationsprofile von experimentellen Messungen und {\em TRIM}-Simulationen recht gut "ubereinstimmen, kann Diffusion in $z$-Richtung tats"achlich ausgeschlossen werden.
295 Eine Vorzugsrichtung der Diffusion ist unphysikalisch, weshalb die Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete in weiteren Simulationen ausgeschlossen wurde.
296 Als Relikt bleibt die Option die Diffusion in $z$-Richtung auszuschalten.
298 In der zweiten Version wird die gesamte Implantationstiefe simuliert.
299 Das Simulationsfenster geht von $0-700 nm$.
300 Dies entspricht einer Anzahl $Z=233$ von W"urfeln in $z$-Richtung.
302 Die Tiefen-Koordinaten f"ur den Sto"sprozess und die Kohlenstoffinkorporation werden wie in Abschnitt \ref{subsection:a_r_step} beschrieben nach der Verwerfungsmethode entsprechend dem nuklearen Bremskraftprofil und der Reichweitenverteilung gewonnen.
304 Da sowohl der nukleare Energieverlust und die Kohlenstoffkonzentration in Ebenen gr"osser $Z$ auf Null abgesunken ist, kann die Sputterroutine ausgef"uhrt werden.
305 Der Diffusionsprozess ist ebenfalls uneingeschr"ankt m"oglich.
307 \section{Test der Zufallszahlen}
309 F"ur vern"unftige Ergebnisse muss die Qualit"at der Zufallszahlen gesichert sein.
310 Es gibt viele statistische Tests eine Zahlenfolge auf ihre Verteilung beziehungsweise Zuf"alligkeit zu "uberpr"ufen.
312 Im Folgenden soll nur kontrolliert werden, dass f"ur gleichverteilte Zufallszahlen keine lokalen Anh"aufungen von Zahlen existieren.
313 Desweiteren werden die Methoden zur Erzeugung spezieller Wahrscheinlichkeitsverteilungen durch Vergleich der H"aufigkeit auftretender Zufallszahlen mit dem gew"unschten Verlauf "uberpr"uft.
315 Dazu werden f"ur die unterschiedlichen Verteilungen jeweils 10 Millionen Zufallszahlen zwischen $0$ und $232$ erzeugt und auf die n"achst kleinere ganze Zahl abgerundet.
316 Ein einfaches Script-Programm z"ahlt die H"aufigkeit der einzelnen Zufallszahlen in der Zufallszahlensequenz.
319 \includegraphics[width=12cm]{random.eps}
320 \caption{H"aufigkeit ganzzahliger Zufallszahlen unterschiedlicher Wahrscheinlichkeitsverteilungen. F"ur jede Verteilung wurden 10 Millionen Zufallszahlen ausgew"urfelt.}
321 \label{img:random_distrib}
323 Abbildung \ref{img:random_distrib} zeigt die H"aufigkeit von Zufallszahlen zwischen $0$ und $232$, abgerundet auf die n"achst kleinere ganze Zahl, f"ur unterschiedliche Wahrscheinlichkeitsverteilungen.
325 Die blauen Punkte zeigen die Gleichverteilung nach \eqref{eq:gleichverteilte_r}.
326 Man erkennt keine lokalen Anh"aufungen.
328 Die roten Punkte zeigen die H"aufigkeit der Zufallszahlen bei Verwendung einer linear steigenden Wahrscheinlichkeitsverteilung wie in Abschnitt \ref{subsubsection:lin_g_p} beschrieben.
329 Dabei wurde $a=1$, $b=0$ und $Z=233$ gew"ahlt.
330 Wie erwartet zeigen die Punkte einen linearen Verlauf.
332 Die H"aufigkeiten, der mit der Verwerfungsmethode erzeugten Zufallszahlen entsprechend der nuklearen Bremskraft (gr"un) und dem Implantationsprofil (schwarz), stimmen sehr gut mit den Profilen in Abbildung \ref{img:bk_impl_p} "uberein.
334 \section{Ablaufschema}
336 Das Ablaufschema ist aus Platzgr"unden in zwei Teile gegliedert.
337 Abbildung \ref{img:flowchart1} zeigt das Ablaufschema des Amorphisierungs- und Rekristallisationsvorgangs.
338 In Abbildung \ref{img:flowchart2} wird der Kohlenstoffeinbau sowie Diffusion und Sputtern behandelt.
341 \begin{pspicture}(0,0)(12,18)
343 \rput(6,18){\rnode{start}{\psframebox{{\em NLSOP} Start}}}
345 \rput(6,16){\rnode{random1}{\psframebox{\parbox{7.5cm}{
346 Ausw"urfeln der Zufallszahlen:\\
347 $R_1$, $R_2$, $R_3$ entsprechend nuklearer Bremskraft\\
350 \ncline[]{->}{start}{random1}
352 \rput(6,14){\rnode{koord_wahl}{\psframebox{\parbox{7.5cm}{
353 Bestimmung von $\vec{r}(k,l,m)$ durch Abbildung von $R_1$, $R_2$ und $R_3$ auf $k$, $l$ und $m$
355 \ncline[]{->}{random1}{koord_wahl}
357 \rput(6,11){\rnode{berechnung_pca}{\psframebox{\parbox{12cm}{
358 Berechnung von $p_{c \rightarrow a}(\vec{r})$ und $p_{a \rightarrow c}(\vec{r})$:
361 p_{c \rightarrow a}(\vec r) & = & p_{b} + p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r) + \sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2} \\
362 p_{a \rightarrow c}(\vec r) & = & (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \Big(1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big)
366 \delta (\vec r) = \left\{
368 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
369 0 & \textrm{sonst} \\
374 \ncline[]{->}{koord_wahl}{berechnung_pca}
376 \rput(6,8){\rnode{status}{\psframebox{Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ amorph?}}}
377 \ncline[]{->}{berechnung_pca}{status}
379 \rput(3,6){\rnode{cryst}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=blue]{$R_4 \le p_{c \rightarrow a}$?}}}
380 \rput(9,6){\rnode{amorph}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=red]{$R_4 \le p_{a \rightarrow c}$?}}}
381 \ncline[]{->}{status}{cryst}
384 \ncline[]{->}{status}{amorph}
387 \rput(3,4){\rnode{do_amorph}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=red]{Setze Volumen amorph}}}
388 \ncline[]{->}{cryst}{do_amorph}
391 \rput(9,4){\rnode{do_cryst}{\psframebox[linestyle=solid,linecolor=blue]{Setze Volumen kristallin}}}
392 \ncline[]{->}{amorph}{do_cryst}
395 \rput(6,3){\rnode{check_h}{\psframebox{Anzahl der Durchl"aufe gleich Anzahl der Treffer pro Ion?}}}
397 \rput(6,6){\pnode{h_2}}
398 \ncline[]{amorph}{h_2}
399 \ncline[]{->}{h_2}{check_h}
402 \rput(6,6){\pnode{h_3}}
403 \ncline[]{cryst}{h_3}
404 \ncline[]{->}{h_3}{check_h}
407 \rput(13,3){\pnode{h_4}}
408 \rput(13,16){\pnode{h_5}}
409 \ncline[]{check_h}{h_4}
412 \ncline[]{->}{h_5}{random1}
414 \ncline[]{->}{do_cryst}{check_h}
415 \ncline[]{->}{do_amorph}{check_h}
417 \rput(6,1){\rnode{weiter_1}{\psframebox{$\bigotimes$}}}
418 \ncline[]{->}{check_h}{weiter_1}
422 \caption{{\em NLSOP} Ablaufschema Teil 1: Amorphisierung und Rekristallisation.}
423 \label{img:flowchart1}
427 \begin{pspicture}(0,0)(12,18)
429 \rput(6,18){\rnode{weiter_2}{\psframebox{$\bigotimes$}}}
431 \rput(6,16){\rnode{random2}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=green]{\parbox{7.5cm}{
432 Ausw"urfeln der Zufallszahlen:\\
433 $R_5$, $R_6$, $R_7$ entsprechend Reichweitenverteilung
435 \ncline[]{->}{weiter_2}{random2}
437 \rput(2,14){\rnode{koord_wahl_i}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=green]{\parbox{7cm}{
438 Bestimmung von $\vec{r}(k,l,m)$ durch Abbildung von $R_5$, $R_6$ und $R_7$ auf $k$, $l$ und $m$
440 \ncbar[angleA=180,angleB=180]{->}{random2}{koord_wahl_i}
442 \rput(10,14){\rnode{inc_c}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=green]{\parbox{7cm}{
443 Erh"ohung des Kohlenstoffs im Volumen $\vec{r}(k,l,m)$
445 \ncline[]{->}{koord_wahl_i}{inc_c}
447 \rput(10,12){\rnode{is_d}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Durchlauf vielfaches von $d_v$?}}}
448 \ncline[]{->}{inc_c}{is_d}
450 \rput(2,12){\rnode{is_s}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=red]{Durchlauf vielfaches von $n$?}}}
451 \ncline[]{->}{is_d}{is_s}
454 \rput(10,10){\rnode{loop_d}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Gehe alle/verbleibende Volumina durch?}}}
455 \ncline[]{->}{is_d}{loop_d}
458 \rput(10,9){\rnode{d_is_amorph}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Volumen $\vec{r}(k,l,m)$ amorph?}}}
459 \ncline[]{->}{loop_d}{d_is_amorph}
461 \rput(10,7){\rnode{loop_dn}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{\parbox{4cm}{
462 Gehe alle/verbleibende\\
463 direkte Nachbarn durch
465 \ncline[]{->}{d_is_amorph}{loop_dn}
468 \rput(10,6){\rnode{is_cryst}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Nachbarvolumen kristallin?}}}
469 \ncline[]{->}{loop_dn}{is_cryst}
471 \rput(11,4){\rnode{transfer}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{\parbox{3.5cm}{
472 "Ubertrage den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs
474 \ncline[]{->}{is_cryst}{transfer}
477 \rput(10,3){\rnode{check_dn}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Alle Nachbarn durch?}}}
478 \ncline[]{->}{transfer}{check_dn}
479 \rput(8.5,5){\pnode{h1}}
480 \ncline[]{is_cryst}{h1}
481 \rput(8.5,3.2){\pnode{h2}}
482 \ncline[]{->}{h1}{h2}
484 \rput(13,3){\pnode{h3}}
485 \ncline[]{check_dn}{h3}
486 \rput(13,7){\pnode{h4}}
489 \ncline[]{->}{h4}{loop_dn}
491 \rput(10,1){\rnode{check_d}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=yellow]{Alle Volumina durch?}}}
492 \ncline[]{->}{check_dn}{check_d}
494 \rput(13.5,1){\pnode{h5}}
495 \ncline[]{check_d}{h5}
496 \rput(13.5,10){\pnode{h6}}
499 \ncline[]{->}{h6}{loop_d}
500 \rput(6,1){\pnode{h7}}
501 \ncline[]{check_d}{h7}
503 \rput(6,11){\pnode{h8}}
505 \rput(4.4,11.9){\pnode{h9}}
506 \ncline[]{->}{h8}{h9}
508 \rput(2,9){\rnode{s_p}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=red]{\parbox{7cm}{
511 \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach\\
512 Ebene $i-1$ f"ur $i = Z,Z-1,\ldots ,2$
513 \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin
514 \item Setze Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null
517 \ncline[]{->}{is_d}{loop_d}
519 \ncline[]{->}{is_s}{s_p}
521 \rput(2,5){\rnode{check_n}{\psframebox{\parbox{4cm}{
522 Anzahl Durchl"aufe entsprechend Dosis?
524 \ncline[]{->}{s_p}{check_n}
526 \rput(4,3){\rnode{start}{\psframebox{{\em NLSOP} Start}}}
527 \ncline[]{->}{check_n}{start}
529 \rput(0,3){\rnode{stop}{\psframebox{{\em NLSOP} Stop}}}
530 \ncline[]{->}{check_n}{stop}
534 \caption{{\em NLSOP} Ablaufschema Teil 2: Kohlenstoffeinbau (gr"un), Diffusion (gelb) und Sputtervorgang (rot).}
535 \label{img:flowchart2}