bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{capano97,
  44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  46   journal =      "MRS Bull.",
  47   volume =       "22",
  48   pages =        "19",
  49   year =         "1997",
  50 }
  51
  52 @Article{fischer90,
  53   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  54   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  55                  carbide",
  56   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  57   volume =       "61",
  58   pages =        "217--236",
  59   year =         "1990",
  60   notes =        "sic polytypes",
  61 }
  62
  63 @Book{laplace,
  64   author =       "P. S. de Laplace",
  65   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  66   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  67   volume =       "VII",
  68   publisher =    "Gauthier-Villars",
  69   year =         "1820",
  70 }
  71
  72 @Article{mattoni2007,
  73   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  74   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  75                  materials}",
  76   journal =      "Phys. Rev. B",
  77   year =         "2007",
  78   month =        dec,
  79   volume =       "76",
  80   number =       "22",
  81   pages =        "224103",
  82   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  83   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  84                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  85                  fracture, more available potentials, universal energy
  86                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  87 }
  88
  89 @Article{koster2002,
  90   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  91                  bombardment",
  92   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  93   journal =      "Phys. Rev. B",
  94   volume =       "62",
  95   number =       "16",
  96   pages =        "11219--11224",
  97   numpages =     "5",
  98   year =         "2000",
  99   month =        oct,
 100   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 101   publisher =    "American Physical Society",
 102   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 103 }
 104
 105 @Article{breadmore99,
 106   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 107                  amorphization of silicon",
 108   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 109   journal =      "Phys. Rev. B",
 110   volume =       "60",
 111   number =       "18",
 112   pages =        "12610--12616",
 113   numpages =     "6",
 114   year =         "1999",
 115   month =        nov,
 116   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 117   publisher =    "American Physical Society",
 118   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 119 }
 120
 121 @Article{moissan04,
 122   author =       "Henri Moissan",
 123   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 124                  Diablo",
 125   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 126   volume =       "139",
 127   pages =        "773--786",
 128   year =         "1904",
 129 }
 130
 131 @Book{park98,
 132   author =       "Y. S. Park",
 133   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 134   publisher =    "Academic Press",
 135   address =      "San Diego",
 136   year =         "1998",
 137 }
 138
 139 @Article{tsvetkov98,
 140   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 141                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 142   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 143   journal =      "Materials Science Forum",
 144   volume =       "264-268",
 145   pages =        "3--8",
 146   year =         "1998",
 147   notes =        "modified lely process, micropipes",
 148 }
 149
 150 @Article{verlet67,
 151   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 152                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 153   author =       "Loup Verlet",
 154   journal =      "Phys. Rev.",
 155   volume =       "159",
 156   number =       "1",
 157   pages =        "98",
 158   year =         "1967",
 159   month =        jul,
 160   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 161   publisher =    "American Physical Society",
 162   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 163                  motion",
 164 }
 165
 166 @Article{berendsen84,
 167   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 168                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 169   collaboration = "",
 170   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 171   publisher =    "AIP",
 172   year =         "1984",
 173   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 174   volume =       "81",
 175   number =       "8",
 176   pages =        "3684--3690",
 177   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 178                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 179   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 180   doi =          "10.1063/1.448118",
 181   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 182 }
 183
 184 @Article{huang95,
 185   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 186                  Baskes",
 187   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 188                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 189                  potentials",
 190   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 191                  Engineering",
 192   volume =       "3",
 193   number =       "5",
 194   pages =        "615--627",
 195   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 196   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 197                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 198   year =         "1995",
 199 }
 200
 201 @Article{tersoff89,
 202   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 203                  Tersoff potentials",
 204   author =       "Donald W. Brenner",
 205   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 206   volume =       "63",
 207   number =       "9",
 208   pages =        "1022",
 209   numpages =     "1",
 210   year =         "1989",
 211   month =        aug,
 212   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 213   publisher =    "American Physical Society",
 214   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 215 }
 216
 217 @Article{batra87,
 218   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 219                  silicon",
 220   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 221   journal =      "Phys. Rev. B",
 222   volume =       "35",
 223   number =       "18",
 224   pages =        "9552--9558",
 225   numpages =     "6",
 226   year =         "1987",
 227   month =        jun,
 228   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 229   publisher =    "American Physical Society",
 230   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 231                  calculation of defect formation energy, defect
 232                  interstitial types",
 233 }
 234
 235 @Article{schober89,
 236   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 237   author =       "H. R. Schober",
 238   journal =      "Phys. Rev. B",
 239   volume =       "39",
 240   number =       "17",
 241   pages =        "13013--13015",
 242   numpages =     "2",
 243   year =         "1989",
 244   month =        jun,
 245   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 246   publisher =    "American Physical Society",
 247   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 248                  dumbbell configuration",
 249 }
 250
 251 @Article{gao02,
 252   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 253                  Defect accumulation, topological features, and
 254                  disordering",
 255   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 256   journal =      "Phys. Rev. B",
 257   volume =       "66",
 258   number =       "2",
 259   pages =        "024106",
 260   numpages =     "10",
 261   year =         "2002",
 262   month =        jul,
 263   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 264   publisher =    "American Physical Society",
 265   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 266                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 267                  result analyze",
 268 }
 269
 270 @Article{devanathan98,
 271   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 272                  cascade in Si{C}",
 273   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 274                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 275   volume =       "141",
 276   number =       "1-4",
 277   pages =        "118--122",
 278   year =         "1998",
 279   ISSN =         "0168-583X",
 280   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 281   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 282                  Rubia",
 283   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 284                  3c-sic",
 285 }
 286
 287 @Article{devanathan98_2,
 288   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 289   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 290   volume =       "253",
 291   number =       "1-3",
 292   pages =        "47--52",
 293   year =         "1998",
 294   ISSN =         "0022-3115",
 295   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 296   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 297                  Weber",
 298   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 299                  tersoff",
 300 }
 301
 302 @Article{batra87,
 303   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 304   author =       "M. Kitabatake",
 305   journal =      "Thin Solid Films",
 306   volume =       "369",
 307   pages =        "257--264",
 308   numpages =     "8",
 309   year =         "2000",
 310   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 311 }
 312
 313 @Article{tang97,
 314   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 315                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 316                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 317                  formation volumes",
 318   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 319                  Rubia",
 320   journal =      "Phys. Rev. B",
 321   volume =       "55",
 322   number =       "21",
 323   pages =        "14279--14289",
 324   numpages =     "10",
 325   year =         "1997",
 326   month =        jun,
 327   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 328   publisher =    "American Physical Society",
 329   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 330 }
 331
 332 @Article{tang97,
 333   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 334                  silicon",
 335   author =       "L. Colombo",
 336   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 337   volume =       "32",
 338   pages =        "271--295",
 339   numpages =     "25",
 340   year =         "2002",
 341   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 342   publisher =    "Annual Reviews",
 343   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 344 }
 345
 346 @Article{gao2001,
 347   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 348                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 349   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 350                  Corrales",
 351   journal =      "Phys. Rev. B",
 352   volume =       "64",
 353   number =       "24",
 354   pages =        "245208",
 355   numpages =     "7",
 356   year =         "2001",
 357   month =        dec,
 358   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 359   publisher =    "American Physical Society",
 360   notes =        "defects in 3c-sic",
 361 }
 362
 363 @Article{mattoni2002,
 364   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 365                  crystalline silicon",
 366   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 367   journal =      "Phys. Rev. B",
 368   volume =       "66",
 369   number =       "19",
 370   pages =        "195214",
 371   numpages =     "6",
 372   year =         "2002",
 373   month =        nov,
 374   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 375   publisher =    "American Physical Society",
 376   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 377                  links",
 378 }
 379
 380 @Article{leung99,
 381   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 382   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 383                  Itoh and S. Ihara",
 384   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 385   volume =       "83",
 386   number =       "12",
 387   pages =        "2351--2354",
 388   numpages =     "3",
 389   year =         "1999",
 390   month =        sep,
 391   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 392   publisher =    "American Physical Society",
 393   notes =        "nice images of the defects",
 394 }
 395
 396 @Article{capazd94,
 397   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 398                  carbon in silicon",
 399   author =       "R. B. Capazd and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 400   journal =      "Phys. Rev. B",
 401   volume =       "50",
 402   number =       "11",
 403   pages =        "7439--7442",
 404   numpages =     "3",
 405   year =         "1994",
 406   month =        sep,
 407   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 408   publisher =    "American Physical Society",
 409   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 410                  dumbbell",
 411 }
 412
 413 @Article{car84,
 414   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 415                  Silicon",
 416   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 417                  Sokrates T. Pantelides",
 418   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 419   volume =       "52",
 420   number =       "20",
 421   pages =        "1814--1817",
 422   numpages =     "3",
 423   year =         "1984",
 424   month =        may,
 425   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 426   publisher =    "American Physical Society",
 427   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 428                  path formation",
 429 }
 430
 431 @Article{kelires97,
 432   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 433                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 434   author =       "P. C. Kelires",
 435   journal =      "Phys. Rev. B",
 436   volume =       "55",
 437   number =       "14",
 438   pages =        "8784--8787",
 439   numpages =     "3",
 440   year =         "1997",
 441   month =        apr,
 442   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 443   publisher =    "American Physical Society",
 444   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 445                  neighbour dist",
 446 }
 447
 448 @Article{kelires95,
 449   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 450                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 451   author =       "P. C. Kelires",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "75",
 454   number =       "6",
 455   pages =        "1114--1117",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1995",
 458   month =        aug,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 462 }
 463
 464 @Article{watkins76,
 465   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 466                  Atom in Silicon",
 467   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 468   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 469   volume =       "36",
 470   number =       "22",
 471   pages =        "1329--1332",
 472   numpages =     "3",
 473   year =         "1976",
 474   month =        may,
 475   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 476   publisher =    "American Physical Society",
 477   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 478                  silicon",
 479 }
 480
 481 @Article{song90,
 482   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 483                  interstitial carbon in silicon",
 484   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 485   journal =      "Phys. Rev. B",
 486   volume =       "42",
 487   number =       "9",
 488   pages =        "5759--5764",
 489   numpages =     "5",
 490   year =         "1990",
 491   month =        sep,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494 }
 495
 496 @Article{strane96,
 497   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 498                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 499   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 500                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 501   journal =      "J. Appl. Phys.",
 502   volume =       "79",
 503   pages =        "637",
 504   year =         "1996",
 505   month =        jan,
 506   doi =          "10.1063/1.360806",
 507   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 508 }
 509
 510 @Article{laveant2002,
 511   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 512   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 513                  G{\"o}sele",
 514   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 515   volume =       "89",
 516   number =       "1-3",
 517   pages =        "241--245",
 518   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 519   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 520                  stress, avoid sic precipitation",
 521 }
 522
 523 @Article{werner97,
 524   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 525                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 526   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 527                  silicon by transmission electron microscopy",
 528   publisher =    "AIP",
 529   year =         "1997",
 530   journal =      "Applied Physics Letters",
 531   volume =       "70",
 532   number =       "2",
 533   pages =        "252--254",
 534   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 535                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 536                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 537                  layers; precipitation",
 538   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 539   doi =          "10.1063/1.118381",
 540   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 541                  precipitate",
 542 }
 543
 544 @Article{strane94,
 545   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 546                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 547   collaboration = "",
 548   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 549                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 550   publisher =    "AIP",
 551   year =         "1994",
 552   journal =      "Journal of Applied Physics",
 553   volume =       "76",
 554   number =       "6",
 555   pages =        "3656--3668",
 556   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 558   doi =          "10.1063/1.357429",
 559   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 560 }
 561
 562 @Article{edgar92,
 563   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 564                  semiconductors",
 565   author =       "J. H. Edgar",
 566   journal =      "J. Mater. Res.",
 567   volume =       "7",
 568   pages =        "235",
 569   year =         "1992",
 570   month =        jan,
 571   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 572   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 573                  polytypes",
 574 }
 575
 576 @Article{zirkelbach2007,
 577   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 578                  process leading to ordered precipitate structures",
 579   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 580                  and B. Stritzker",
 581   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 582   volume =       "257",
 583   number =       "1--2",
 584   pages =        "75--79",
 585   numpages =     "5",
 586   year =         "2007",
 587   month =        apr,
 588   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 589   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 590                  NETHERLANDS",
 591 }
 592
 593 @Article{zirkelbach2006,
 594   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 595                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 596                  during ion irradiation",
 597   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 598                  and B. Stritzker",
 599   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 600   volume =       "242",
 601   number =       "1--2",
 602   pages =        "679--682",
 603   numpages =     "4",
 604   year =         "2006",
 605   month =        jan,
 606   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 607   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 608                  NETHERLANDS",
 609 }
 610
 611 @Article{zirkelbach2005,
 612   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 613                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 614                  ion irradiation",
 615   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 616                  and B. Stritzker",
 617   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 618   volume =       "33",
 619   number =       "1--3",
 620   pages =        "310--316",
 621   numpages =     "7",
 622   year =         "2005",
 623   month =        apr,
 624   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 625   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 626                  NETHERLANDS",
 627 }
 628
 629 @Article{lindner99,
 630   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 631                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 632                  layers in silicon",
 633   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 634                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 635   volume =       "147",
 636   number =       "1-4",
 637   pages =        "249--255",
 638   year =         "1999",
 639   note =         "",
 640   ISSN =         "0168-583X",
 641   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 642   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 643   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 644   notes =        "two-step implantation process",
 645 }
 646
 647 @Article{lindner99_2,
 648   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 649                  in silicon",
 650   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 651                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 652   volume =       "148",
 653   number =       "1-4",
 654   pages =        "528--533",
 655   year =         "1999",
 656   note =         "",
 657   ISSN =         "0168-583X",
 658   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 659   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 660   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 661 }
 662
 663 @Article{lindner01,
 664   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 665                  Basic physical processes",
 666   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 667                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 668   volume =       "178",
 669   number =       "1-4",
 670   pages =        "44--54",
 671   year =         "2001",
 672   note =         "",
 673   ISSN =         "0168-583X",
 674   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 675   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 676   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 677 }
 678
 679 @Article{lindner02,
 680   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 681                  fundamental studies for new technological tricks",
 682   author =       "J. K. N. Lindner",
 683   journal =      "Appl. Phys. A",
 684   volume =       "77",
 685   pages =        "27--38",
 686   year =         "2003",
 687   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 688   notes =        "ibs, burried sic layers",
 689 }
 690
 691 @Article{alder57,
 692   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 693   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 694   publisher =    "AIP",
 695   year =         "1957",
 696   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 697   volume =       "27",
 698   number =       "5",
 699   pages =        "1208--1209",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 701   doi =          "10.1063/1.1743957",
 702 }
 703
 704 @Article{alder59,
 705   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 706   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 707   publisher =    "AIP",
 708   year =         "1959",
 709   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 710   volume =       "31",
 711   number =       "2",
 712   pages =        "459--466",
 713   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 714   doi =          "10.1063/1.1730376",
 715 }
 716
 717 @Article{tersoff_si1,
 718   title =        "New empirical model for the structural properties of
 719                  silicon",
 720   author =       "J. Tersoff",
 721   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 722   volume =       "56",
 723   number =       "6",
 724   pages =        "632--635",
 725   numpages =     "3",
 726   year =         "1986",
 727   month =        feb,
 728   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 729   publisher =    "American Physical Society",
 730 }
 731
 732 @Article{tersoff_si2,
 733   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 734                  covalent systems",
 735   author =       "J. Tersoff",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "37",
 738   number =       "12",
 739   pages =        "6991--7000",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "1988",
 742   month =        apr,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745 }
 746
 747 @Article{tersoff_si3,
 748   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 749                  improved elastic properties",
 750   author =       "J. Tersoff",
 751   journal =      "Phys. Rev. B",
 752   volume =       "38",
 753   number =       "14",
 754   pages =        "9902--9905",
 755   numpages =     "3",
 756   year =         "1988",
 757   month =        nov,
 758   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 759   publisher =    "American Physical Society",
 760 }
 761
 762 @Article{tersoff_c,
 763   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 764                  Applications to Amorphous Carbon",
 765   author =       "J. Tersoff",
 766   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 767   volume =       "61",
 768   number =       "25",
 769   pages =        "2879--2882",
 770   numpages =     "3",
 771   year =         "1988",
 772   month =        dec,
 773   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 774   publisher =    "American Physical Society",
 775 }
 776
 777 @Article{tersoff_m,
 778   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 779                  for multicomponent systems",
 780   author =       "J. Tersoff",
 781   journal =      "Phys. Rev. B",
 782   volume =       "39",
 783   number =       "8",
 784   pages =        "5566--5568",
 785   numpages =     "2",
 786   year =         "1989",
 787   month =        mar,
 788   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 789   publisher =    "American Physical Society",
 790 }
 791
 792 @Article{fahey89,
 793   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 794   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 795   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 796   volume =       "61",
 797   number =       "2",
 798   pages =        "289--384",
 799   numpages =     "95",
 800   year =         "1989",
 801   month =        apr,
 802   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 803   publisher =    "American Physical Society",
 804 }
 805
 806 @Article{wesch96,
 807   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 808   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 809                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 810   volume =       "116",
 811   number =       "1-4",
 812   pages =        "305--321",
 813   year =         "1996",
 814   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 815   ISSN =         "0168-583X",
 816   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 817   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 818   author =       "W. Wesch",
 819 }
 820
 821 @Article{morkoc94,
 822   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 823                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 824   collaboration = "",
 825   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 826                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 827   publisher =    "AIP",
 828   year =         "1994",
 829   journal =      "Journal of Applied Physics",
 830   volume =       "76",
 831   number =       "3",
 832   pages =        "1363--1398",
 833   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 834                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 835                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 836                  FILMS; INDUSTRY",
 837   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 838   doi =          "10.1063/1.358463",
 839 }
 840
 841 @Article{foo,
 842   author =       "Noch Unbekannt",
 843   title =        "How to find references",
 844   journal =      "Journal of Applied References",
 845   year =         "2009",
 846   volume =       "77",
 847   pages =        "1--23",
 848 }
 849
 850 @Article{tang95,
 851   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 852                  \beta{}-Si{C}",
 853   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 854   journal =      "Phys. Rev. B",
 855   volume =       "52",
 856   number =       "21",
 857   pages =        "15150--15159",
 858   numpages =     "9",
 859   year =         "1995",
 860   month =        dec,
 861   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 862   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 863   publisher =    "American Physical Society",
 864 }
 865
 866 @Article{sarro00,
 867   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 868   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 869   volume =       "82",
 870   number =       "1-3",
 871   pages =        "210--218",
 872   year =         "2000",
 873   ISSN =         "0924-4247",
 874   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 875   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 876   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 877   keywords =     "MEMS",
 878   keywords =     "Silicon carbide",
 879   keywords =     "Micromachining",
 880   keywords =     "Mechanical stress",
 881 }
 882
 883 @Article{casady96,
 884   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 885                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 886                  review",
 887   journal =      "Solid-State Electronics",
 888   volume =       "39",
 889   number =       "10",
 890   pages =        "1409--1422",
 891   year =         "1996",
 892   ISSN =         "0038-1101",
 893   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 894   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 895   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 896 }
 897
 898 @Article{giancarli98,
 899   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 900                  structural material in fusion power reactor blankets",
 901   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 902   volume =       "41",
 903   number =       "1-4",
 904   pages =        "165--171",
 905   year =         "1998",
 906   ISSN =         "0920-3796",
 907   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 908   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 909   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 910                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 911 }
 912
 913 @Article{pensl93,
 914   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 915   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 916   volume =       "185",
 917   number =       "1-4",
 918   pages =        "264--283",
 919   year =         "1993",
 920   ISSN =         "0921-4526",
 921   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 922   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 923   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 924 }
 925
 926 @Article{tairov78,
 927   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
 928                  carbide single crystals",
 929   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 930   volume =       "43",
 931   number =       "2",
 932   pages =        "209--212",
 933   year =         "1978",
 934   notes =        "modifief lely process",
 935   ISSN =         "0022-0248",
 936   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
 937   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
 938   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 939 }
 940
 941 @Article{powell87,
 942   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
 943                  Kuczmarski",
 944   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
 945                  Single-Crystal Films on Si",
 946   publisher =    "ECS",
 947   year =         "1987",
 948   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
 949   volume =       "134",
 950   number =       "6",
 951   pages =        "1558--1565",
 952   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
 953                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
 954   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
 955   doi =          "10.1149/1.2100708",
 956   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 957 }
 958
 959 @Article{kimoto93,
 960   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
 961                  and Hiroyuki Matsunami",
 962   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
 963                  epitaxy",
 964   publisher =    "AIP",
 965   year =         "1993",
 966   journal =      "Journal of Applied Physics",
 967   volume =       "73",
 968   number =       "2",
 969   pages =        "726--732",
 970   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
 971                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
 972                  VAPOR DEPOSITION",
 973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
 974   doi =          "10.1063/1.353329",
 975 }
 976
 977 @Article{powell90,
 978   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
 979                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
 980                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
 981   collaboration = "",
 982   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
 983                  6{H}-Si{C} substrates",
 984   publisher =    "AIP",
 985   year =         "1990",
 986   journal =      "Applied Physics Letters",
 987   volume =       "56",
 988   number =       "14",
 989   pages =        "1353--1355",
 990   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
 991                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
 992                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
 993                  PHASE EPITAXY",
 994   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
 995   doi =          "10.1063/1.102512",
 996 }
 997
 998 @Article{fissel95,
 999   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1000                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1001                  molecular beam epitaxy",
1002   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1003   volume =       "154",
1004   number =       "1-2",
1005   pages =        "72--80",
1006   year =         "1995",
1007   notes =        "solid source mbe",
1008   ISSN =         "0022-0248",
1009   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1010   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1011   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1012                  and W. Richter",
1013 }
1014
1015 @Article{borders71,
1016   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1017   collaboration = "",
1018   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1019                  {IMPLANTATION}",
1020   publisher =    "AIP",
1021   year =         "1971",
1022   journal =      "Applied Physics Letters",
1023   volume =       "18",
1024   number =       "11",
1025   pages =        "509--511",
1026   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1027   notes =        "first time sic by ibs",
1028   doi =          "10.1063/1.1653516",
1029 }
1030
1031 @Article{reeson87,
1032   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1033                  J. Davis and G. E. Celler",
1034   collaboration = "",
1035   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1036                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1037   publisher =    "AIP",
1038   year =         "1987",
1039   journal =      "Applied Physics Letters",
1040   volume =       "51",
1041   number =       "26",
1042   pages =        "2242--2244",
1043   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1044                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1045   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1046   doi =          "10.1063/1.98953",
1047   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1048 }
1049
1050 @Article{scace59,
1051   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1052   collaboration = "",
1053   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1054   publisher =    "AIP",
1055   year =         "1959",
1056   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1057   volume =       "30",
1058   number =       "6",
1059   pages =        "1551--1555",
1060   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1061   doi =          "10.1063/1.1730236",
1062   notes =        "solubility of c in c-si",
1063 }
1064
1065 @Article{cowern96,
1066   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1067                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1068   collaboration = "",
1069   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1070                  {B} in silicon",
1071   publisher =    "AIP",
1072   year =         "1996",
1073   journal =      "Applied Physics Letters",
1074   volume =       "68",
1075   number =       "8",
1076   pages =        "1150--1152",
1077   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1078                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1079                  SILICON",
1080   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1081   doi =          "10.1063/1.115706",
1082   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1083 }
1084
1085 @Article{stolk95,
1086   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1087                  of the silicon self-interstitial",
1088   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1089                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1090   volume =       "96",
1091   number =       "1-2",
1092   pages =        "187--195",
1093   year =         "1995",
1094   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1095                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1096   ISSN =         "0168-583X",
1097   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1098   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1099   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1100                  and J. M. Poate",
1101 }
1102
1103 @Article{powell94,
1104   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1105   collaboration = "",
1106   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1107                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1108   publisher =    "AIP",
1109   year =         "1994",
1110   journal =      "Applied Physics Letters",
1111   volume =       "64",
1112   number =       "3",
1113   pages =        "324--326",
1114   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1115                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1116                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1117                  SYNTHESIS",
1118   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1119   doi =          "10.1063/1.111195",
1120   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1121 }
1122
1123 @Article{soref91,
1124   author =       "Richard A. Soref",
1125   collaboration = "",
1126   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1127                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1128   publisher =    "AIP",
1129   year =         "1991",
1130   journal =      "Journal of Applied Physics",
1131   volume =       "70",
1132   number =       "4",
1133   pages =        "2470--2472",
1134   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1135                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1136                  TERNARY ALLOYS",
1137   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1138   doi =          "10.1063/1.349403",
1139   notes =        "band gap of strained si by c",
1140 }
1141
1142 @Article{kasper91,
1143   author =       "E Kasper",
1144   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1145                  possibility to produce direct band gap material",
1146   journal =      "Physica Scripta",
1147   volume =       "T35",
1148   pages =        "232--236",
1149   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1150   year =         "1991",
1151   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1152                  quasi-direct one",
1153 }
1154
1155 @Article{osten99,
1156   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1157   collaboration = "",
1158   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1159                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1160                  molecular beam epitaxy",
1161   publisher =    "AIP",
1162   year =         "1999",
1163   journal =      "Applied Physics Letters",
1164   volume =       "74",
1165   number =       "6",
1166   pages =        "836--838",
1167   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1168                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1169                  compounds",
1170   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1171   doi =          "10.1063/1.123384",
1172   notes =        "substitutional c in si",
1173 }
1174
1175 @Article{hohenberg64,
1176   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1177   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1178   journal =      "Phys. Rev.",
1179   volume =       "136",
1180   number =       "3B",
1181   pages =        "B864--B871",
1182   numpages =     "7",
1183   year =         "1964",
1184   month =        nov,
1185   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1186   publisher =    "American Physical Society",
1187   notes =        "density functional theory, dft",
1188 }
1189
1190 @Article{kohn65,
1191   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1192                  Correlation Effects",
1193   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1194   journal =      "Phys. Rev.",
1195   volume =       "140",
1196   number =       "4A",
1197   pages =        "A1133--A1138",
1198   numpages =     "5",
1199   year =         "1965",
1200   month =        nov,
1201   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1202   publisher =    "American Physical Society",
1203   notes =        "dft, exchange and correlation",
1204 }
1205
1206 @Article{ruecker94,
1207   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1208                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1209   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1210                  J. Osten",
1211   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1212   volume =       "72",
1213   number =       "22",
1214   pages =        "3578--3581",
1215   numpages =     "3",
1216   year =         "1994",
1217   month =        may,
1218   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1219   publisher =    "American Physical Society",
1220   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1221                  si, dft",
1222 }
1223
1224 @Article{chang05,
1225   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1226                  Alloy",
1227   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1228   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1229   volume =       "44",
1230   number =       "4B",
1231   pages =        "2257--2262",
1232   numpages =     "5",
1233   year =         "2005",
1234   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1235   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1236   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1237   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1238 }
1239
1240 @Article{osten97,
1241   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1242   collaboration = "",
1243   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1244                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1245                  Si(001)",
1246   publisher =    "AIP",
1247   year =         "1997",
1248   journal =      "Journal of Applied Physics",
1249   volume =       "82",
1250   number =       "10",
1251   pages =        "4977--4981",
1252   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1253                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1254                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1255   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1256   doi =          "10.1063/1.366364",
1257   notes =        "charge transport in strained si",
1258 }