bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{capano97,
  44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  46   journal =      "MRS Bull.",
  47   volume =       "22",
  48   pages =        "19",
  49   year =         "1997",
  50 }
  51
  52 @Book{laplace,
  53   author =       "P. S. de Laplace",
  54   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  55   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  56   volume =       "VII",
  57   publisher =    "Gauthier-Villars",
  58   year =         "1820",
  59 }
  60
  61 @Article{mattoni2007,
  62   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  63   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  64                  materials}",
  65   journal =      "Phys. Rev. B",
  66   year =         "2007",
  67   month =        dec,
  68   volume =       "76",
  69   number =       "22",
  70   pages =        "224103",
  71   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  72   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  73                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  74                  fracture, more available potentials, universal energy
  75                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  76 }
  77
  78 @Article{koster2002,
  79   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  80                  bombardment",
  81   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  82   journal =      "Phys. Rev. B",
  83   volume =       "62",
  84   number =       "16",
  85   pages =        "11219--11224",
  86   numpages =     "5",
  87   year =         "2000",
  88   month =        oct,
  89   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
  90   publisher =    "American Physical Society",
  91   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
  92 }
  93
  94 @Article{breadmore99,
  95   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
  96                  amorphization of silicon",
  97   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
  98   journal =      "Phys. Rev. B",
  99   volume =       "60",
 100   number =       "18",
 101   pages =        "12610--12616",
 102   numpages =     "6",
 103   year =         "1999",
 104   month =        nov,
 105   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 106   publisher =    "American Physical Society",
 107   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 108 }
 109
 110 @Book{park98,
 111   author =       "Y. S. Park",
 112   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 113   publisher =    "Academic Press",
 114   address =      "San Diego",
 115   year =         "1998",
 116 }
 117
 118 @Article{tsvetkov98,
 119   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 120                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 121   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 122   journal =      "Materials Science Forum",
 123   volume =       "264-268",
 124   pages =        "3--8",
 125   year =         "1998",
 126   notes =        "modified lely process, micropipes",
 127 }
 128
 129 @Article{verlet67,
 130   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 131                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 132   author =       "Loup Verlet",
 133   journal =      "Phys. Rev.",
 134   volume =       "159",
 135   number =       "1",
 136   pages =        "98",
 137   year =         "1967",
 138   month =        jul,
 139   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 140   publisher =    "American Physical Society",
 141   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 142                  motion",
 143 }
 144
 145 @Article{berendsen84,
 146   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 147                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 148   collaboration = "",
 149   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 150   publisher =    "AIP",
 151   year =         "1984",
 152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 153   volume =       "81",
 154   number =       "8",
 155   pages =        "3684--3690",
 156   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 157                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 159   doi =          "10.1063/1.448118",
 160   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 161 }
 162
 163 @Article{huang95,
 164   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 165                  Baskes",
 166   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 167                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 168                  potentials",
 169   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 170                  Engineering",
 171   volume =       "3",
 172   number =       "5",
 173   pages =        "615--627",
 174   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 175   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 176                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 177   year =         "1995",
 178 }
 179
 180 @Article{tersoff89,
 181   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 182                  Tersoff potentials",
 183   author =       "Donald W. Brenner",
 184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 185   volume =       "63",
 186   number =       "9",
 187   pages =        "1022",
 188   numpages =     "1",
 189   year =         "1989",
 190   month =        aug,
 191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 192   publisher =    "American Physical Society",
 193   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 194 }
 195
 196 @Article{batra87,
 197   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 198                  silicon",
 199   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 200   journal =      "Phys. Rev. B",
 201   volume =       "35",
 202   number =       "18",
 203   pages =        "9552--9558",
 204   numpages =     "6",
 205   year =         "1987",
 206   month =        jun,
 207   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 208   publisher =    "American Physical Society",
 209   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 210                  calculation of defect formation energy, defect
 211                  interstitial types",
 212 }
 213
 214 @Article{schober89,
 215   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 216   author =       "H. R. Schober",
 217   journal =      "Phys. Rev. B",
 218   volume =       "39",
 219   number =       "17",
 220   pages =        "13013--13015",
 221   numpages =     "2",
 222   year =         "1989",
 223   month =        jun,
 224   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 227                  dumbbell configuration",
 228 }
 229
 230 @Article{gao02,
 231   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 232                  Defect accumulation, topological features, and
 233                  disordering",
 234   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "66",
 237   number =       "2",
 238   pages =        "024106",
 239   numpages =     "10",
 240   year =         "2002",
 241   month =        jul,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 245                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 246                  result analyze",
 247 }
 248
 249 @Article{devanathan98,
 250   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 251                  cascade in Si{C}",
 252   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 253                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 254   volume =       "141",
 255   number =       "1-4",
 256   pages =        "118--122",
 257   year =         "1998",
 258   ISSN =         "0168-583X",
 259   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 260   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 261                  Rubia",
 262   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 263                  3c-sic",
 264 }
 265
 266 @Article{devanathan98_2,
 267   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 268   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 269   volume =       "253",
 270   number =       "1-3",
 271   pages =        "47--52",
 272   year =         "1998",
 273   ISSN =         "0022-3115",
 274   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 275   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 276                  Weber",
 277   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 278                  tersoff",
 279 }
 280
 281 @Article{batra87,
 282   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 283   author =       "M. Kitabatake",
 284   journal =      "Thin Solid Films",
 285   volume =       "369",
 286   pages =        "257--264",
 287   numpages =     "8",
 288   year =         "2000",
 289   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 290 }
 291
 292 @Article{tang97,
 293   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 294                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 295                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 296                  formation volumes",
 297   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 298                  Rubia",
 299   journal =      "Phys. Rev. B",
 300   volume =       "55",
 301   number =       "21",
 302   pages =        "14279--14289",
 303   numpages =     "10",
 304   year =         "1997",
 305   month =        jun,
 306   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 307   publisher =    "American Physical Society",
 308   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 309 }
 310
 311 @Article{tang97,
 312   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 313                  silicon",
 314   author =       "L. Colombo",
 315   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 316   volume =       "32",
 317   pages =        "271--295",
 318   numpages =     "25",
 319   year =         "2002",
 320   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 321   publisher =    "Annual Reviews",
 322   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 323 }
 324
 325 @Article{gao2001,
 326   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 327                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 328   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 329                  Corrales",
 330   journal =      "Phys. Rev. B",
 331   volume =       "64",
 332   number =       "24",
 333   pages =        "245208",
 334   numpages =     "7",
 335   year =         "2001",
 336   month =        dec,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "defects in 3c-sic",
 340 }
 341
 342 @Article{mattoni2002,
 343   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 344                  crystalline silicon",
 345   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "66",
 348   number =       "19",
 349   pages =        "195214",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "2002",
 352   month =        nov,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 356                  links",
 357 }
 358
 359 @Article{leung99,
 360   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 361   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 362                  Itoh and S. Ihara",
 363   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 364   volume =       "83",
 365   number =       "12",
 366   pages =        "2351--2354",
 367   numpages =     "3",
 368   year =         "1999",
 369   month =        sep,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "nice images of the defects",
 373 }
 374
 375 @Article{capazd94,
 376   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 377                  carbon in silicon",
 378   author =       "R. B. Capazd and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 379   journal =      "Phys. Rev. B",
 380   volume =       "50",
 381   number =       "11",
 382   pages =        "7439--7442",
 383   numpages =     "3",
 384   year =         "1994",
 385   month =        sep,
 386   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 387   publisher =    "American Physical Society",
 388   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 389                  dumbbell",
 390 }
 391
 392 @Article{car84,
 393   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 394                  Silicon",
 395   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 396                  Sokrates T. Pantelides",
 397   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 398   volume =       "52",
 399   number =       "20",
 400   pages =        "1814--1817",
 401   numpages =     "3",
 402   year =         "1984",
 403   month =        may,
 404   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 405   publisher =    "American Physical Society",
 406   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 407                  path formation",
 408 }
 409
 410 @Article{kelires97,
 411   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 412                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 413   author =       "P. C. Kelires",
 414   journal =      "Phys. Rev. B",
 415   volume =       "55",
 416   number =       "14",
 417   pages =        "8784--8787",
 418   numpages =     "3",
 419   year =         "1997",
 420   month =        apr,
 421   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 422   publisher =    "American Physical Society",
 423   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 424                  neighbour dist",
 425 }
 426
 427 @Article{kelires95,
 428   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 429                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 430   author =       "P. C. Kelires",
 431   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 432   volume =       "75",
 433   number =       "6",
 434   pages =        "1114--1117",
 435   numpages =     "3",
 436   year =         "1995",
 437   month =        aug,
 438   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 439   publisher =    "American Physical Society",
 440   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 441 }
 442
 443 @Article{watkins76,
 444   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 445                  Atom in Silicon",
 446   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 447   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 448   volume =       "36",
 449   number =       "22",
 450   pages =        "1329--1332",
 451   numpages =     "3",
 452   year =         "1976",
 453   month =        may,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 457                  silicon",
 458 }
 459
 460 @Article{song90,
 461   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 462                  interstitial carbon in silicon",
 463   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 464   journal =      "Phys. Rev. B",
 465   volume =       "42",
 466   number =       "9",
 467   pages =        "5759--5764",
 468   numpages =     "5",
 469   year =         "1990",
 470   month =        sep,
 471   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 472   publisher =    "American Physical Society",
 473 }
 474
 475 @Article{strane96,
 476   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 477                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 478   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 479                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 480   journal =      "J. Appl. Phys.",
 481   volume =       "79",
 482   pages =        "637",
 483   year =         "1996",
 484   month =        jan,
 485   doi =          "10.1063/1.360806",
 486   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 487 }
 488
 489 @Article{laveant2002,
 490   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 491   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 492                  G{\"o}sele",
 493   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 494   volume =       "89",
 495   number =       "1-3",
 496   pages =        "241--245",
 497   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 498   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 499                  stress, avoid sic precipitation",
 500 }
 501
 502 @Article{werner97,
 503   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 504                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 505   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 506                  silicon by transmission electron microscopy",
 507   publisher =    "AIP",
 508   year =         "1997",
 509   journal =      "Applied Physics Letters",
 510   volume =       "70",
 511   number =       "2",
 512   pages =        "252--254",
 513   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 514                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 515                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 516                  layers; precipitation",
 517   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 518   doi =          "10.1063/1.118381",
 519   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 520                  precipitate",
 521 }
 522
 523 @Article{strane94,
 524   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 525                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 526   collaboration = "",
 527   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 528                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 529   publisher =    "AIP",
 530   year =         "1994",
 531   journal =      "Journal of Applied Physics",
 532   volume =       "76",
 533   number =       "6",
 534   pages =        "3656--3668",
 535   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 536   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 537   doi =          "10.1063/1.357429",
 538   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 539 }
 540
 541 @Article{edgar92,
 542   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 543                  semiconductors",
 544   author =       "J. H. Edgar",
 545   journal =      "J. Mater. Res.",
 546   volume =       "7",
 547   pages =        "235",
 548   year =         "1992",
 549   month =        jan,
 550   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 551   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 552                  polytypes",
 553 }
 554
 555 @Article{zirkelbach2007,
 556   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 557                  process leading to ordered precipitate structures",
 558   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 559                  and B. Stritzker",
 560   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 561   volume =       "257",
 562   number =       "1--2",
 563   pages =        "75--79",
 564   numpages =     "5",
 565   year =         "2007",
 566   month =        apr,
 567   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 568   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 569                  NETHERLANDS",
 570 }
 571
 572 @Article{zirkelbach2006,
 573   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 574                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 575                  during ion irradiation",
 576   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 577                  and B. Stritzker",
 578   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 579   volume =       "242",
 580   number =       "1--2",
 581   pages =        "679--682",
 582   numpages =     "4",
 583   year =         "2006",
 584   month =        jan,
 585   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 586   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 587                  NETHERLANDS",
 588 }
 589
 590 @Article{zirkelbach2005,
 591   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 592                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 593                  ion irradiation",
 594   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 595                  and B. Stritzker",
 596   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 597   volume =       "33",
 598   number =       "1--3",
 599   pages =        "310--316",
 600   numpages =     "7",
 601   year =         "2005",
 602   month =        apr,
 603   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 604   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 605                  NETHERLANDS",
 606 }
 607
 608 @Article{lindner99,
 609   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 610                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 611                  layers in silicon",
 612   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 613                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 614   volume =       "147",
 615   number =       "1-4",
 616   pages =        "249--255",
 617   year =         "1999",
 618   note =         "",
 619   ISSN =         "0168-583X",
 620   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 621   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 622   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 623   notes =        "two-step implantation process",
 624 }
 625
 626 @Article{lindner99_2,
 627   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 628                  in silicon",
 629   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 630                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 631   volume =       "148",
 632   number =       "1-4",
 633   pages =        "528--533",
 634   year =         "1999",
 635   note =         "",
 636   ISSN =         "0168-583X",
 637   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 638   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 639   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 640 }
 641
 642 @Article{lindner01,
 643   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 644                  Basic physical processes",
 645   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 646                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 647   volume =       "178",
 648   number =       "1-4",
 649   pages =        "44--54",
 650   year =         "2001",
 651   note =         "",
 652   ISSN =         "0168-583X",
 653   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 654   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 655   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 656 }
 657
 658 @Article{lindner02,
 659   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 660                  fundamental studies for new technological tricks",
 661   author =       "J. K. N. Lindner",
 662   journal =      "Appl. Phys. A",
 663   volume =       "77",
 664   pages =        "27--38",
 665   year =         "2003",
 666   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 667   notes =        "ibs, burried sic layers",
 668 }
 669
 670 @Article{alder57,
 671   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 672   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 673   publisher =    "AIP",
 674   year =         "1957",
 675   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 676   volume =       "27",
 677   number =       "5",
 678   pages =        "1208--1209",
 679   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 680   doi =          "10.1063/1.1743957",
 681 }
 682
 683 @Article{alder59,
 684   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 685   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 686   publisher =    "AIP",
 687   year =         "1959",
 688   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 689   volume =       "31",
 690   number =       "2",
 691   pages =        "459--466",
 692   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 693   doi =          "10.1063/1.1730376",
 694 }
 695
 696 @Article{tersoff_si1,
 697   title =        "New empirical model for the structural properties of
 698                  silicon",
 699   author =       "J. Tersoff",
 700   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 701   volume =       "56",
 702   number =       "6",
 703   pages =        "632--635",
 704   numpages =     "3",
 705   year =         "1986",
 706   month =        feb,
 707   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 708   publisher =    "American Physical Society",
 709 }
 710
 711 @Article{tersoff_si2,
 712   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 713                  covalent systems",
 714   author =       "J. Tersoff",
 715   journal =      "Phys. Rev. B",
 716   volume =       "37",
 717   number =       "12",
 718   pages =        "6991--7000",
 719   numpages =     "9",
 720   year =         "1988",
 721   month =        apr,
 722   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 723   publisher =    "American Physical Society",
 724 }
 725
 726 @Article{tersoff_si3,
 727   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 728                  improved elastic properties",
 729   author =       "J. Tersoff",
 730   journal =      "Phys. Rev. B",
 731   volume =       "38",
 732   number =       "14",
 733   pages =        "9902--9905",
 734   numpages =     "3",
 735   year =         "1988",
 736   month =        nov,
 737   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 738   publisher =    "American Physical Society",
 739 }
 740
 741 @Article{tersoff_c,
 742   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 743                  Applications to Amorphous Carbon",
 744   author =       "J. Tersoff",
 745   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 746   volume =       "61",
 747   number =       "25",
 748   pages =        "2879--2882",
 749   numpages =     "3",
 750   year =         "1988",
 751   month =        dec,
 752   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 753   publisher =    "American Physical Society",
 754 }
 755
 756 @Article{tersoff_m,
 757   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 758                  for multicomponent systems",
 759   author =       "J. Tersoff",
 760   journal =      "Phys. Rev. B",
 761   volume =       "39",
 762   number =       "8",
 763   pages =        "5566--5568",
 764   numpages =     "2",
 765   year =         "1989",
 766   month =        mar,
 767   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 768   publisher =    "American Physical Society",
 769 }
 770
 771 @Article{fahey89,
 772   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 773   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 774   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 775   volume =       "61",
 776   number =       "2",
 777   pages =        "289--384",
 778   numpages =     "95",
 779   year =         "1989",
 780   month =        apr,
 781   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 782   publisher =    "American Physical Society",
 783 }
 784
 785 @Article{wesch96,
 786   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 787   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 788                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 789   volume =       "116",
 790   number =       "1-4",
 791   pages =        "305--321",
 792   year =         "1996",
 793   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 794   ISSN =         "0168-583X",
 795   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 796   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 797   author =       "W. Wesch",
 798 }
 799
 800 @Article{morkoc94,
 801   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 802                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 803   collaboration = "",
 804   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 805                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 806   publisher =    "AIP",
 807   year =         "1994",
 808   journal =      "Journal of Applied Physics",
 809   volume =       "76",
 810   number =       "3",
 811   pages =        "1363--1398",
 812   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 813                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 814                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 815                  FILMS; INDUSTRY",
 816   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 817   doi =          "10.1063/1.358463",
 818 }
 819
 820 @Article{foo,
 821   author =       "Noch Unbekannt",
 822   title =        "How to find references",
 823   journal =      "Journal of Applied References",
 824   year =         "2009",
 825   volume =       "77",
 826   pages =        "1--23",
 827 }
 828
 829 @Article{tang95,
 830   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 831                  \beta{}-Si{C}",
 832   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "52",
 835   number =       "21",
 836   pages =        "15150--15159",
 837   numpages =     "9",
 838   year =         "1995",
 839   month =        dec,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 841   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 842   publisher =    "American Physical Society",
 843 }
 844
 845 @Article{sarro00,
 846   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 847   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 848   volume =       "82",
 849   number =       "1-3",
 850   pages =        "210--218",
 851   year =         "2000",
 852   ISSN =         "0924-4247",
 853   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 854   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 855   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 856   keywords =     "MEMS",
 857   keywords =     "Silicon carbide",
 858   keywords =     "Micromachining",
 859   keywords =     "Mechanical stress",
 860 }
 861
 862 @Article{casady96,
 863   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 864                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 865                  review",
 866   journal =      "Solid-State Electronics",
 867   volume =       "39",
 868   number =       "10",
 869   pages =        "1409--1422",
 870   year =         "1996",
 871   ISSN =         "0038-1101",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 874   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 875 }
 876
 877 @Article{giancarli98,
 878   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 879                  structural material in fusion power reactor blankets",
 880   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 881   volume =       "41",
 882   number =       "1-4",
 883   pages =        "165--171",
 884   year =         "1998",
 885   ISSN =         "0920-3796",
 886   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 887   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 888   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 889                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 890 }
 891
 892 @Article{pensl93,
 893   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 894   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 895   volume =       "185",
 896   number =       "1-4",
 897   pages =        "264--283",
 898   year =         "1993",
 899   ISSN =         "0921-4526",
 900   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 902   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 903 }
 904
 905 @Article{tairov78,
 906   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
 907                  carbide single crystals",
 908   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 909   volume =       "43",
 910   number =       "2",
 911   pages =        "209--212",
 912   year =         "1978",
 913   notes =        "modifief lely process",
 914   ISSN =         "0022-0248",
 915   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
 916   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
 917   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 918 }
 919
 920 @Article{powell87,
 921   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
 922                  Kuczmarski",
 923   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
 924                  Single-Crystal Films on Si",
 925   publisher =    "ECS",
 926   year =         "1987",
 927   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
 928   volume =       "134",
 929   number =       "6",
 930   pages =        "1558--1565",
 931   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
 932                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
 933   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
 934   doi =          "10.1149/1.2100708",
 935   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 936 }
 937
 938 @Article{kimoto93,
 939   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
 940                  and Hiroyuki Matsunami",
 941   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
 942                  epitaxy",
 943   publisher =    "AIP",
 944   year =         "1993",
 945   journal =      "Journal of Applied Physics",
 946   volume =       "73",
 947   number =       "2",
 948   pages =        "726--732",
 949   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
 950                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
 951                  VAPOR DEPOSITION",
 952   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
 953   doi =          "10.1063/1.353329",
 954 }
 955
 956 @Article{powell90,
 957   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
 958                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
 959                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
 960   collaboration = "",
 961   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
 962                  6{H}-Si{C} substrates",
 963   publisher =    "AIP",
 964   year =         "1990",
 965   journal =      "Applied Physics Letters",
 966   volume =       "56",
 967   number =       "14",
 968   pages =        "1353--1355",
 969   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
 970                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
 971                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
 972                  PHASE EPITAXY",
 973   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
 974   doi =          "10.1063/1.102512",
 975 }
 976
 977 @Article{fissel95,
 978   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
 979                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
 980                  molecular beam epitaxy",
 981   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 982   volume =       "154",
 983   number =       "1-2",
 984   pages =        "72--80",
 985   year =         "1995",
 986   notes =        "solid source mbe",
 987   ISSN =         "0022-0248",
 988   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
 989   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
 990   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
 991                  and W. Richter",
 992 }
 993
 994 @Article{borders71,
 995   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
 996   collaboration = "",
 997   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
 998                  {IMPLANTATION}",
 999   publisher =    "AIP",
1000   year =         "1971",
1001   journal =      "Applied Physics Letters",
1002   volume =       "18",
1003   number =       "11",
1004   pages =        "509--511",
1005   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1006   notes =        "first time sic by ibs",
1007   doi =          "10.1063/1.1653516",
1008 }
1009
1010 @Article{reeson87,
1011   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1012                  J. Davis and G. E. Celler",
1013   collaboration = "",
1014   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1015                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1016   publisher =    "AIP",
1017   year =         "1987",
1018   journal =      "Applied Physics Letters",
1019   volume =       "51",
1020   number =       "26",
1021   pages =        "2242--2244",
1022   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1023                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1024   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1025   doi =          "10.1063/1.98953",
1026   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1027 }
1028
1029 @Article{scace59,
1030   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1031   collaboration = "",
1032   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1033   publisher =    "AIP",
1034   year =         "1959",
1035   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1036   volume =       "30",
1037   number =       "6",
1038   pages =        "1551--1555",
1039   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1040   doi =          "10.1063/1.1730236",
1041   notes =        "solubility of c in c-si",
1042 }
1043
1044 @Article{cowern96,
1045   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1046                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1047   collaboration = "",
1048   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1049                  {B} in silicon",
1050   publisher =    "AIP",
1051   year =         "1996",
1052   journal =      "Applied Physics Letters",
1053   volume =       "68",
1054   number =       "8",
1055   pages =        "1150--1152",
1056   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1057                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1058                  SILICON",
1059   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1060   doi =          "10.1063/1.115706",
1061   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1062 }
1063
1064 @Article{stolk95,
1065   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1066                  of the silicon self-interstitial",
1067   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1068                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1069   volume =       "96",
1070   number =       "1-2",
1071   pages =        "187--195",
1072   year =         "1995",
1073   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1074                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1075   ISSN =         "0168-583X",
1076   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1077   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1078   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1079                  and J. M. Poate",
1080 }
1081
1082 @Article{powell94,
1083   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1084   collaboration = "",
1085   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1086                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1087   publisher =    "AIP",
1088   year =         "1994",
1089   journal =      "Applied Physics Letters",
1090   volume =       "64",
1091   number =       "3",
1092   pages =        "324--326",
1093   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1094                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1095                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1096                  SYNTHESIS",
1097   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1098   doi =          "10.1063/1.111195",
1099   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1100 }
1101
1102 @Article{soref91,
1103   author =       "Richard A. Soref",
1104   collaboration = "",
1105   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1106                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1107   publisher =    "AIP",
1108   year =         "1991",
1109   journal =      "Journal of Applied Physics",
1110   volume =       "70",
1111   number =       "4",
1112   pages =        "2470--2472",
1113   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1114                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1115                  TERNARY ALLOYS",
1116   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1117   doi =          "10.1063/1.349403",
1118   notes =        "band gap of strained si by c",
1119 }
1120
1121 @Article{kasper91,
1122   author =       "E Kasper",
1123   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1124                  possibility to produce direct band gap material",
1125   journal =      "Physica Scripta",
1126   volume =       "T35",
1127   pages =        "232--236",
1128   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1129   year =         "1991",
1130   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1131                  quasi-direct one",
1132 }
1133
1134 @Article{osten99,
1135   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1136   collaboration = "",
1137   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1138                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1139                  molecular beam epitaxy",
1140   publisher =    "AIP",
1141   year =         "1999",
1142   journal =      "Applied Physics Letters",
1143   volume =       "74",
1144   number =       "6",
1145   pages =        "836--838",
1146   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1147                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1148                  compounds",
1149   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1150   doi =          "10.1063/1.123384",
1151   notes =        "substitutional c in si",
1152 }
1153
1154 @Article{hohenberg64,
1155   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1156   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1157   journal =      "Phys. Rev.",
1158   volume =       "136",
1159   number =       "3B",
1160   pages =        "B864--B871",
1161   numpages =     "7",
1162   year =         "1964",
1163   month =        nov,
1164   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1165   publisher =    "American Physical Society",
1166   notes =        "density functional theory, dft",
1167 }
1168
1169 @Article{kohn65,
1170   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1171                  Correlation Effects",
1172   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1173   journal =      "Phys. Rev.",
1174   volume =       "140",
1175   number =       "4A",
1176   pages =        "A1133--A1138",
1177   numpages =     "5",
1178   year =         "1965",
1179   month =        nov,
1180   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1181   publisher =    "American Physical Society",
1182   notes =        "dft, exchange and correlation",
1183 }
1184
1185 @Article{ruecker94,
1186   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1187                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1188   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1189                  J. Osten",
1190   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1191   volume =       "72",
1192   number =       "22",
1193   pages =        "3578--3581",
1194   numpages =     "3",
1195   year =         "1994",
1196   month =        may,
1197   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1198   publisher =    "American Physical Society",
1199   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1200                  si, dft",
1201 }
1202
1203 @Article{chang05,
1204   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1205                  Alloy",
1206   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1207   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1208   volume =       "44",
1209   number =       "4B",
1210   pages =        "2257--2262",
1211   numpages =     "5",
1212   year =         "2005",
1213   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1214   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1215   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1216   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1217 }
1218
1219 @Article{osten97,
1220   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1221   collaboration = "",
1222   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1223                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1224                  Si(001)",
1225   publisher =    "AIP",
1226   year =         "1997",
1227   journal =      "Journal of Applied Physics",
1228   volume =       "82",
1229   number =       "10",
1230   pages =        "4977--4981",
1231   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1232                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1233                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1234   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1235   doi =          "10.1063/1.366364",
1236   notes =        "charge transport in strained si",
1237 }