bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  45   title =        "",
  46   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  47   volume =       "32",
  48   pages =        "1211",
  49   year =         "1971",
  50   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  51 }
  52
  53 @Article{capano97,
  54   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  55   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  56   journal =      "MRS Bull.",
  57   volume =       "22",
  58   pages =        "19",
  59   year =         "1997",
  60 }
  61
  62 @Article{fischer90,
  63   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  64   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  65                  carbide",
  66   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  67   volume =       "61",
  68   pages =        "217--236",
  69   year =         "1990",
  70   notes =        "sic polytypes",
  71 }
  72
  73 @Book{laplace,
  74   author =       "P. S. de Laplace",
  75   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  76   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  77   volume =       "VII",
  78   publisher =    "Gauthier-Villars",
  79   year =         "1820",
  80 }
  81
  82 @Article{mattoni2007,
  83   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  84   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  85                  materials}",
  86   journal =      "Phys. Rev. B",
  87   year =         "2007",
  88   month =        dec,
  89   volume =       "76",
  90   number =       "22",
  91   pages =        "224103",
  92   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  93   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  94                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  95                  fracture, more available potentials, universal energy
  96                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  97 }
  98
  99 @Article{balamane92,
 100   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 101                  potentials",
 102   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 103   journal =      "Phys. Rev. B",
 104   volume =       "46",
 105   number =       "4",
 106   pages =        "2250--2279",
 107   numpages =     "29",
 108   year =         "1992",
 109   month =        jul,
 110   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 111   publisher =    "American Physical Society",
 112   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 113 }
 114
 115 @Article{koster2002,
 116   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 117                  bombardment",
 118   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 119   journal =      "Phys. Rev. B",
 120   volume =       "62",
 121   number =       "16",
 122   pages =        "11219--11224",
 123   numpages =     "5",
 124   year =         "2000",
 125   month =        oct,
 126   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 127   publisher =    "American Physical Society",
 128   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 129 }
 130
 131 @Article{breadmore99,
 132   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 133                  amorphization of silicon",
 134   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 135   journal =      "Phys. Rev. B",
 136   volume =       "60",
 137   number =       "18",
 138   pages =        "12610--12616",
 139   numpages =     "6",
 140   year =         "1999",
 141   month =        nov,
 142   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 143   publisher =    "American Physical Society",
 144   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 145 }
 146
 147 @Article{moissan04,
 148   author =       "Henri Moissan",
 149   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 150                  Diablo",
 151   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 152   volume =       "139",
 153   pages =        "773--786",
 154   year =         "1904",
 155 }
 156
 157 @Book{park98,
 158   author =       "Y. S. Park",
 159   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 160   publisher =    "Academic Press",
 161   address =      "San Diego",
 162   year =         "1998",
 163 }
 164
 165 @Article{tsvetkov98,
 166   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 167                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 168   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 169   journal =      "Materials Science Forum",
 170   volume =       "264-268",
 171   pages =        "3--8",
 172   year =         "1998",
 173   notes =        "modified lely process, micropipes",
 174 }
 175
 176 @Article{verlet67,
 177   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 178                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 179   author =       "Loup Verlet",
 180   journal =      "Phys. Rev.",
 181   volume =       "159",
 182   number =       "1",
 183   pages =        "98",
 184   year =         "1967",
 185   month =        jul,
 186   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 187   publisher =    "American Physical Society",
 188   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 189                  motion",
 190 }
 191
 192 @Article{berendsen84,
 193   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 194                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 195   collaboration = "",
 196   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 197   publisher =    "AIP",
 198   year =         "1984",
 199   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 200   volume =       "81",
 201   number =       "8",
 202   pages =        "3684--3690",
 203   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 204                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 205   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 206   doi =          "10.1063/1.448118",
 207   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 208 }
 209
 210 @Article{huang95,
 211   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 212                  Baskes",
 213   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 214                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 215                  potentials",
 216   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 217                  Engineering",
 218   volume =       "3",
 219   number =       "5",
 220   pages =        "615--627",
 221   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 222   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 223                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 224   year =         "1995",
 225 }
 226
 227 @Article{brenner89,
 228   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 229                  Tersoff potentials",
 230   author =       "Donald W. Brenner",
 231   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 232   volume =       "63",
 233   number =       "9",
 234   pages =        "1022",
 235   numpages =     "1",
 236   year =         "1989",
 237   month =        aug,
 238   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 239   publisher =    "American Physical Society",
 240   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 241 }
 242
 243 @Article{batra87,
 244   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 245                  silicon",
 246   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 247   journal =      "Phys. Rev. B",
 248   volume =       "35",
 249   number =       "18",
 250   pages =        "9552--9558",
 251   numpages =     "6",
 252   year =         "1987",
 253   month =        jun,
 254   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 257                  calculation of defect formation energy, defect
 258                  interstitial types",
 259 }
 260
 261 @Article{schober89,
 262   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 263   author =       "H. R. Schober",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "39",
 266   number =       "17",
 267   pages =        "13013--13015",
 268   numpages =     "2",
 269   year =         "1989",
 270   month =        jun,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 274                  dumbbell configuration",
 275 }
 276
 277 @Article{gao02,
 278   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 279                  Defect accumulation, topological features, and
 280                  disordering",
 281   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 282   journal =      "Phys. Rev. B",
 283   volume =       "66",
 284   number =       "2",
 285   pages =        "024106",
 286   numpages =     "10",
 287   year =         "2002",
 288   month =        jul,
 289   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 290   publisher =    "American Physical Society",
 291   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 292                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 293                  result analyze",
 294 }
 295
 296 @Article{devanathan98,
 297   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 298                  cascade in Si{C}",
 299   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 300                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 301   volume =       "141",
 302   number =       "1-4",
 303   pages =        "118--122",
 304   year =         "1998",
 305   ISSN =         "0168-583X",
 306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 307   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 308                  Rubia",
 309   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 310                  3c-sic",
 311 }
 312
 313 @Article{devanathan98_2,
 314   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 315   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 316   volume =       "253",
 317   number =       "1-3",
 318   pages =        "47--52",
 319   year =         "1998",
 320   ISSN =         "0022-3115",
 321   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 322   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 323                  Weber",
 324   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 325                  tersoff",
 326 }
 327
 328 @Article{kitabatake00,
 329   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 330   author =       "M. Kitabatake",
 331   journal =      "Thin Solid Films",
 332   volume =       "369",
 333   pages =        "257--264",
 334   numpages =     "8",
 335   year =         "2000",
 336   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 337 }
 338
 339 @Article{tang97,
 340   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 341                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 342                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 343                  formation volumes",
 344   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 345                  Rubia",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "55",
 348   number =       "21",
 349   pages =        "14279--14289",
 350   numpages =     "10",
 351   year =         "1997",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 356 }
 357
 358 @Article{bar-yam84,
 359   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 360                  Self-Interstitial",
 361   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 362   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 363   volume =       "52",
 364   number =       "13",
 365   pages =        "1129--1132",
 366   numpages =     "3",
 367   year =         "1984",
 368   month =        mar,
 369   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 370   publisher =    "American Physical Society",
 371   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 372 }
 373
 374 @Article{colombo02,
 375   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 376                  silicon",
 377   author =       "L. Colombo",
 378   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 379   volume =       "32",
 380   pages =        "271--295",
 381   numpages =     "25",
 382   year =         "2002",
 383   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 384   publisher =    "Annual Reviews",
 385   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 386 }
 387
 388 @Article{al-mushadani03,
 389   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 390                  silicon",
 391   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 392   journal =      "Phys. Rev. B",
 393   volume =       "68",
 394   number =       "23",
 395   pages =        "235205",
 396   numpages =     "8",
 397   year =         "2003",
 398   month =        dec,
 399   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 400   publisher =    "American Physical Society",
 401   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 402                  silicon, si self interstitials",
 403 }
 404
 405 @Article{ma10,
 406   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 407                  wide temperature range: Point defect states and
 408                  migration mechanisms",
 409   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 410   journal =      "Phys. Rev. B",
 411   volume =       "81",
 412   number =       "19",
 413   pages =        "193203",
 414   numpages =     "4",
 415   year =         "2010",
 416   month =        may,
 417   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 418   publisher =    "American Physical Society",
 419   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 420 }
 421
 422 @Article{posselt08,
 423   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 424                  migration mechanisms of vacancies and
 425                  self-interstitials: An atomistic study",
 426   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 427   journal =      "Phys. Rev. B",
 428   volume =       "78",
 429   number =       "3",
 430   pages =        "035208",
 431   numpages =     "9",
 432   year =         "2008",
 433   month =        jul,
 434   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 435   publisher =    "American Physical Society",
 436   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 437                  weber and tersoff",
 438 }
 439
 440 @Article{gao2001,
 441   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 442                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 443   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 444                  Corrales",
 445   journal =      "Phys. Rev. B",
 446   volume =       "64",
 447   number =       "24",
 448   pages =        "245208",
 449   numpages =     "7",
 450   year =         "2001",
 451   month =        dec,
 452   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 453   publisher =    "American Physical Society",
 454   notes =        "defects in 3c-sic",
 455 }
 456
 457 @Article{mattoni2002,
 458   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 459                  crystalline silicon",
 460   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 461   journal =      "Phys. Rev. B",
 462   volume =       "66",
 463   number =       "19",
 464   pages =        "195214",
 465   numpages =     "6",
 466   year =         "2002",
 467   month =        nov,
 468   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 469   publisher =    "American Physical Society",
 470   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 471                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 472                  tersoff suitability",
 473 }
 474
 475 @Article{leung99,
 476   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 477   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 478                  Itoh and S. Ihara",
 479   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 480   volume =       "83",
 481   number =       "12",
 482   pages =        "2351--2354",
 483   numpages =     "3",
 484   year =         "1999",
 485   month =        sep,
 486   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 487   publisher =    "American Physical Society",
 488   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 489                  refs",
 490 }
 491
 492 @Article{capaz94,
 493   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 494                  carbon in silicon",
 495   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 496   journal =      "Phys. Rev. B",
 497   volume =       "50",
 498   number =       "11",
 499   pages =        "7439--7442",
 500   numpages =     "3",
 501   year =         "1994",
 502   month =        sep,
 503   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 504   publisher =    "American Physical Society",
 505   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 506                  dumbbell",
 507 }
 508
 509 @Article{dal_pino93,
 510   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 513                  Joannopoulos",
 514   journal =      "Phys. Rev. B",
 515   volume =       "47",
 516   number =       "19",
 517   pages =        "12554--12557",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1993",
 520   month =        may,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 524 }
 525
 526 @Article{car84,
 527   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 528                  Silicon",
 529   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 530                  Sokrates T. Pantelides",
 531   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 532   volume =       "52",
 533   number =       "20",
 534   pages =        "1814--1817",
 535   numpages =     "3",
 536   year =         "1984",
 537   month =        may,
 538   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 539   publisher =    "American Physical Society",
 540   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 541                  path formation",
 542 }
 543
 544 @Article{car85,
 545   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 546                  Density-Functional Theory",
 547   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 548   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 549   volume =       "55",
 550   number =       "22",
 551   pages =        "2471--2474",
 552   numpages =     "3",
 553   year =         "1985",
 554   month =        nov,
 555   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 556   publisher =    "American Physical Society",
 557   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 558 }
 559
 560 @Article{kelires97,
 561   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 562                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 563   author =       "P. C. Kelires",
 564   journal =      "Phys. Rev. B",
 565   volume =       "55",
 566   number =       "14",
 567   pages =        "8784--8787",
 568   numpages =     "3",
 569   year =         "1997",
 570   month =        apr,
 571   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 572   publisher =    "American Physical Society",
 573   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 574                  neighbour dist",
 575 }
 576
 577 @Article{kelires95,
 578   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 579                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 580   author =       "P. C. Kelires",
 581   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 582   volume =       "75",
 583   number =       "6",
 584   pages =        "1114--1117",
 585   numpages =     "3",
 586   year =         "1995",
 587   month =        aug,
 588   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 589   publisher =    "American Physical Society",
 590   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 591 }
 592
 593 @Article{bean70,
 594   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 595                  containing carbon",
 596   journal =      "Solid State Communications",
 597   volume =       "8",
 598   number =       "3",
 599   pages =        "175--177",
 600   year =         "1970",
 601   note =         "",
 602   ISSN =         "0038-1098",
 603   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 605   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 606 }
 607
 608 @Article{watkins76,
 609   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 610                  Atom in Silicon",
 611   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 612   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 613   volume =       "36",
 614   number =       "22",
 615   pages =        "1329--1332",
 616   numpages =     "3",
 617   year =         "1976",
 618   month =        may,
 619   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 620   publisher =    "American Physical Society",
 621   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 622                  silicon",
 623 }
 624
 625 @Article{song90,
 626   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 627                  interstitial carbon in silicon",
 628   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 629   journal =      "Phys. Rev. B",
 630   volume =       "42",
 631   number =       "9",
 632   pages =        "5759--5764",
 633   numpages =     "5",
 634   year =         "1990",
 635   month =        sep,
 636   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 637   publisher =    "American Physical Society",
 638   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 639 }
 640
 641 @Article{tipping87,
 642   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 643   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 644                  silicon",
 645   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 646   volume =       "2",
 647   number =       "5",
 648   pages =        "315--317",
 649   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 650   year =         "1987",
 651   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 652                  silicon",
 653 }
 654
 655 @Article{strane96,
 656   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 657                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 658   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 659                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 660   journal =      "J. Appl. Phys.",
 661   volume =       "79",
 662   pages =        "637",
 663   year =         "1996",
 664   month =        jan,
 665   doi =          "10.1063/1.360806",
 666   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 667 }
 668
 669 @Article{laveant2002,
 670   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 671   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 672                  G{\"o}sele",
 673   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 674   volume =       "89",
 675   number =       "1-3",
 676   pages =        "241--245",
 677   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 678   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 679                  stress, avoid sic precipitation",
 680 }
 681
 682 @Article{werner97,
 683   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 684                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 685   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 686                  silicon by transmission electron microscopy",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "1997",
 689   journal =      "Applied Physics Letters",
 690   volume =       "70",
 691   number =       "2",
 692   pages =        "252--254",
 693   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 694                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 695                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 696                  layers; precipitation",
 697   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 698   doi =          "10.1063/1.118381",
 699   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 700                  precipitate",
 701 }
 702
 703 @InProceedings{werner96,
 704   author =       "P. Werner and R. Koegler and W. Skorupa and D.
 705                  Eichler",
 706   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 707                  International Conference on",
 708   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 709                  implanted silicon",
 710   year =         "1996",
 711   month =        jun,
 712   volume =       "",
 713   number =       "",
 714   pages =        "675--678",
 715   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 716                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 717                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 718                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 719                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 720                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 721                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 722                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 723                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 724                  interactions;ion implantation;positron
 725                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 726                  annealing;secondary ion mass
 727                  spectra;silicon;transmission electron
 728                  microscopy;vacancies (crystal);",
 729   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 730   ISSN =         "",
 731   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 732 }
 733
 734 @Article{strane94,
 735   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 736                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 737   collaboration = "",
 738   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 739                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 740   publisher =    "AIP",
 741   year =         "1994",
 742   journal =      "Journal of Applied Physics",
 743   volume =       "76",
 744   number =       "6",
 745   pages =        "3656--3668",
 746   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 747   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 748   doi =          "10.1063/1.357429",
 749   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 750 }
 751
 752 @Article{edgar92,
 753   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 754                  semiconductors",
 755   author =       "J. H. Edgar",
 756   journal =      "J. Mater. Res.",
 757   volume =       "7",
 758   pages =        "235",
 759   year =         "1992",
 760   month =        jan,
 761   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 762   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 763                  polytypes",
 764 }
 765
 766 @Article{zirkelbach2007,
 767   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 768                  process leading to ordered precipitate structures",
 769   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 770                  and B. Stritzker",
 771   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 772   volume =       "257",
 773   number =       "1--2",
 774   pages =        "75--79",
 775   numpages =     "5",
 776   year =         "2007",
 777   month =        apr,
 778   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 779   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 780                  NETHERLANDS",
 781 }
 782
 783 @Article{zirkelbach2006,
 784   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 785                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 786                  during ion irradiation",
 787   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 788                  and B. Stritzker",
 789   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 790   volume =       "242",
 791   number =       "1--2",
 792   pages =        "679--682",
 793   numpages =     "4",
 794   year =         "2006",
 795   month =        jan,
 796   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 797   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 798                  NETHERLANDS",
 799 }
 800
 801 @Article{zirkelbach2005,
 802   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 803                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 804                  ion irradiation",
 805   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 806                  and B. Stritzker",
 807   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 808   volume =       "33",
 809   number =       "1--3",
 810   pages =        "310--316",
 811   numpages =     "7",
 812   year =         "2005",
 813   month =        apr,
 814   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 815   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 816                  NETHERLANDS",
 817 }
 818
 819 @Article{lindner99,
 820   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 821                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 822                  layers in silicon",
 823   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 824                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 825   volume =       "147",
 826   number =       "1-4",
 827   pages =        "249--255",
 828   year =         "1999",
 829   note =         "",
 830   ISSN =         "0168-583X",
 831   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 832   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 833   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 834   notes =        "two-step implantation process",
 835 }
 836
 837 @Article{lindner99_2,
 838   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 839                  in silicon",
 840   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 841                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 842   volume =       "148",
 843   number =       "1-4",
 844   pages =        "528--533",
 845   year =         "1999",
 846   ISSN =         "0168-583X",
 847   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 849   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 850   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 851 }
 852
 853 @Article{lindner01,
 854   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 855                  Basic physical processes",
 856   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 857                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 858   volume =       "178",
 859   number =       "1-4",
 860   pages =        "44--54",
 861   year =         "2001",
 862   note =         "",
 863   ISSN =         "0168-583X",
 864   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 865   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 866   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 867 }
 868
 869 @Article{lindner02,
 870   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 871                  fundamental studies for new technological tricks",
 872   author =       "J. K. N. Lindner",
 873   journal =      "Appl. Phys. A",
 874   volume =       "77",
 875   pages =        "27--38",
 876   year =         "2003",
 877   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 878   notes =        "ibs, burried sic layers",
 879 }
 880
 881 @Article{ito04,
 882   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 883                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 884                  growth",
 885   journal =      "Applied Surface Science",
 886   volume =       "238",
 887   number =       "1-4",
 888   pages =        "159--164",
 889   year =         "2004",
 890   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 891   ISSN =         "0169-4332",
 892   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 894   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 895                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 896   notes =        "gan on 3c-sic",
 897 }
 898
 899 @Article{alder57,
 900   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 901   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 902   publisher =    "AIP",
 903   year =         "1957",
 904   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 905   volume =       "27",
 906   number =       "5",
 907   pages =        "1208--1209",
 908   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 909   doi =          "10.1063/1.1743957",
 910 }
 911
 912 @Article{alder59,
 913   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 914   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 915   publisher =    "AIP",
 916   year =         "1959",
 917   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 918   volume =       "31",
 919   number =       "2",
 920   pages =        "459--466",
 921   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 922   doi =          "10.1063/1.1730376",
 923 }
 924
 925 @Article{tersoff_si1,
 926   title =        "New empirical model for the structural properties of
 927                  silicon",
 928   author =       "J. Tersoff",
 929   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 930   volume =       "56",
 931   number =       "6",
 932   pages =        "632--635",
 933   numpages =     "3",
 934   year =         "1986",
 935   month =        feb,
 936   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 937   publisher =    "American Physical Society",
 938 }
 939
 940 @Article{tersoff_si2,
 941   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 942                  covalent systems",
 943   author =       "J. Tersoff",
 944   journal =      "Phys. Rev. B",
 945   volume =       "37",
 946   number =       "12",
 947   pages =        "6991--7000",
 948   numpages =     "9",
 949   year =         "1988",
 950   month =        apr,
 951   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 952   publisher =    "American Physical Society",
 953 }
 954
 955 @Article{tersoff_si3,
 956   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 957                  improved elastic properties",
 958   author =       "J. Tersoff",
 959   journal =      "Phys. Rev. B",
 960   volume =       "38",
 961   number =       "14",
 962   pages =        "9902--9905",
 963   numpages =     "3",
 964   year =         "1988",
 965   month =        nov,
 966   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 967   publisher =    "American Physical Society",
 968 }
 969
 970 @Article{tersoff_c,
 971   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 972                  Applications to Amorphous Carbon",
 973   author =       "J. Tersoff",
 974   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 975   volume =       "61",
 976   number =       "25",
 977   pages =        "2879--2882",
 978   numpages =     "3",
 979   year =         "1988",
 980   month =        dec,
 981   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 982   publisher =    "American Physical Society",
 983 }
 984
 985 @Article{tersoff_m,
 986   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 987                  for multicomponent systems",
 988   author =       "J. Tersoff",
 989   journal =      "Phys. Rev. B",
 990   volume =       "39",
 991   number =       "8",
 992   pages =        "5566--5568",
 993   numpages =     "2",
 994   year =         "1989",
 995   month =        mar,
 996   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 997   publisher =    "American Physical Society",
 998 }
 999
1000 @Article{tersoff90,
1001   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1002   author =       "J. Tersoff",
1003   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1004   volume =       "64",
1005   number =       "15",
1006   pages =        "1757--1760",
1007   numpages =     "3",
1008   year =         "1990",
1009   month =        apr,
1010   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1011   publisher =    "American Physical Society",
1012 }
1013
1014 @Article{fahey89,
1015   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1016   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1017   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1018   volume =       "61",
1019   number =       "2",
1020   pages =        "289--384",
1021   numpages =     "95",
1022   year =         "1989",
1023   month =        apr,
1024   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1025   publisher =    "American Physical Society",
1026 }
1027
1028 @Article{wesch96,
1029   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1030   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1031                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1032   volume =       "116",
1033   number =       "1-4",
1034   pages =        "305--321",
1035   year =         "1996",
1036   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1037   ISSN =         "0168-583X",
1038   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1039   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1040   author =       "W. Wesch",
1041 }
1042
1043 @Article{morkoc94,
1044   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1045                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1046   collaboration = "",
1047   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1048                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1049   publisher =    "AIP",
1050   year =         "1994",
1051   journal =      "Journal of Applied Physics",
1052   volume =       "76",
1053   number =       "3",
1054   pages =        "1363--1398",
1055   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1056                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1057                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1058                  FILMS; INDUSTRY",
1059   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1060   doi =          "10.1063/1.358463",
1061 }
1062
1063 @Article{foo,
1064   author =       "Noch Unbekannt",
1065   title =        "How to find references",
1066   journal =      "Journal of Applied References",
1067   year =         "2009",
1068   volume =       "77",
1069   pages =        "1--23",
1070 }
1071
1072 @Article{tang95,
1073   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1074                  \beta{}-Si{C}",
1075   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1076   journal =      "Phys. Rev. B",
1077   volume =       "52",
1078   number =       "21",
1079   pages =        "15150--15159",
1080   numpages =     "9",
1081   year =         "1995",
1082   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1083   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1084                  tersoff reparametrization",
1085   publisher =    "American Physical Society",
1086 }
1087
1088 @Article{sarro00,
1089   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1090   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1091   volume =       "82",
1092   number =       "1-3",
1093   pages =        "210--218",
1094   year =         "2000",
1095   ISSN =         "0924-4247",
1096   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1097   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1098   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1099   keywords =     "MEMS",
1100   keywords =     "Silicon carbide",
1101   keywords =     "Micromachining",
1102   keywords =     "Mechanical stress",
1103 }
1104
1105 @Article{casady96,
1106   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1107                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1108                  review",
1109   journal =      "Solid-State Electronics",
1110   volume =       "39",
1111   number =       "10",
1112   pages =        "1409--1422",
1113   year =         "1996",
1114   ISSN =         "0038-1101",
1115   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1116   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1117   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1118 }
1119
1120 @Article{giancarli98,
1121   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1122                  structural material in fusion power reactor blankets",
1123   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1124   volume =       "41",
1125   number =       "1-4",
1126   pages =        "165--171",
1127   year =         "1998",
1128   ISSN =         "0920-3796",
1129   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1131   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1132                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1133 }
1134
1135 @Article{pensl93,
1136   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1137   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1138   volume =       "185",
1139   number =       "1-4",
1140   pages =        "264--283",
1141   year =         "1993",
1142   ISSN =         "0921-4526",
1143   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1145   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1146 }
1147
1148 @Article{tairov78,
1149   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1150                  carbide single crystals",
1151   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1152   volume =       "43",
1153   number =       "2",
1154   pages =        "209--212",
1155   year =         "1978",
1156   notes =        "modifief lely process",
1157   ISSN =         "0022-0248",
1158   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1159   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1160   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1161 }
1162
1163 @Article{nishino83,
1164   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1165                  Will",
1166   collaboration = "",
1167   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1168                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1169   publisher =    "AIP",
1170   year =         "1983",
1171   journal =      "Applied Physics Letters",
1172   volume =       "42",
1173   number =       "5",
1174   pages =        "460--462",
1175   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1176                  monocrystals",
1177   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1178   doi =          "10.1063/1.93970",
1179   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1180 }
1181
1182 @Article{nishino87,
1183   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1184                  and Hiroyuki Matsunami",
1185   collaboration = "",
1186   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1187                  Si{C} on silicon",
1188   publisher =    "AIP",
1189   year =         "1987",
1190   journal =      "Journal of Applied Physics",
1191   volume =       "61",
1192   number =       "10",
1193   pages =        "4889--4893",
1194   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1195   doi =          "10.1063/1.338355",
1196   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1197                  carbonization",
1198 }
1199
1200 @Article{powell87,
1201   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1202                  Kuczmarski",
1203   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1204                  Single-Crystal Films on Si",
1205   publisher =    "ECS",
1206   year =         "1987",
1207   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1208   volume =       "134",
1209   number =       "6",
1210   pages =        "1558--1565",
1211   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1212                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1213   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1214   doi =          "10.1149/1.2100708",
1215   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1216 }
1217
1218 @Article{kimoto93,
1219   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1220                  and Hiroyuki Matsunami",
1221   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1222                  epitaxy",
1223   publisher =    "AIP",
1224   year =         "1993",
1225   journal =      "Journal of Applied Physics",
1226   volume =       "73",
1227   number =       "2",
1228   pages =        "726--732",
1229   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1230                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1231                  VAPOR DEPOSITION",
1232   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1233   doi =          "10.1063/1.353329",
1234   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1235 }
1236
1237 @Article{powell90,
1238   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1239                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1240                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1241   collaboration = "",
1242   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1243                  6{H}-Si{C} substrates",
1244   publisher =    "AIP",
1245   year =         "1990",
1246   journal =      "Applied Physics Letters",
1247   volume =       "56",
1248   number =       "14",
1249   pages =        "1353--1355",
1250   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1251                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1252                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1253                  PHASE EPITAXY",
1254   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1255   doi =          "10.1063/1.102512",
1256   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1257 }
1258
1259 @Article{yuan95,
1260   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1261                  Thokala and M. J. Loboda",
1262   collaboration = "",
1263   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1264                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1265                  silacyclobutane",
1266   publisher =    "AIP",
1267   year =         "1995",
1268   journal =      "Journal of Applied Physics",
1269   volume =       "78",
1270   number =       "2",
1271   pages =        "1271--1273",
1272   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1273                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1274                  SPECTROPHOTOMETRY",
1275   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1276   doi =          "10.1063/1.360368",
1277   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1278 }
1279
1280 @Article{fissel95,
1281   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1282                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1283                  molecular beam epitaxy",
1284   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1285   volume =       "154",
1286   number =       "1-2",
1287   pages =        "72--80",
1288   year =         "1995",
1289   ISSN =         "0022-0248",
1290   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1291   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1292   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1293                  and W. Richter",
1294   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1295 }
1296
1297 @Article{fissel95_apl,
1298   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1299   collaboration = "",
1300   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1301                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1302   publisher =    "AIP",
1303   year =         "1995",
1304   journal =      "Applied Physics Letters",
1305   volume =       "66",
1306   number =       "23",
1307   pages =        "3182--3184",
1308   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1309                  RHEED; NUCLEATION",
1310   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1311   doi =          "10.1063/1.113716",
1312   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1313 }
1314
1315 @Article{borders71,
1316   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1317   collaboration = "",
1318   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1319                  {IMPLANTATION}",
1320   publisher =    "AIP",
1321   year =         "1971",
1322   journal =      "Applied Physics Letters",
1323   volume =       "18",
1324   number =       "11",
1325   pages =        "509--511",
1326   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1327   doi =          "10.1063/1.1653516",
1328   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1329                  ideas",
1330 }
1331
1332 @Article{reeson87,
1333   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1334                  J. Davis and G. E. Celler",
1335   collaboration = "",
1336   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1337                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1338   publisher =    "AIP",
1339   year =         "1987",
1340   journal =      "Applied Physics Letters",
1341   volume =       "51",
1342   number =       "26",
1343   pages =        "2242--2244",
1344   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1345                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1346   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1347   doi =          "10.1063/1.98953",
1348   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1349 }
1350
1351 @Article{scace59,
1352   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1353   collaboration = "",
1354   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1355   publisher =    "AIP",
1356   year =         "1959",
1357   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1358   volume =       "30",
1359   number =       "6",
1360   pages =        "1551--1555",
1361   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1362   doi =          "10.1063/1.1730236",
1363   notes =        "solubility of c in c-si",
1364 }
1365
1366 @Article{cowern96,
1367   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1368                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1369   collaboration = "",
1370   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1371                  {B} in silicon",
1372   publisher =    "AIP",
1373   year =         "1996",
1374   journal =      "Applied Physics Letters",
1375   volume =       "68",
1376   number =       "8",
1377   pages =        "1150--1152",
1378   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1379                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1380                  SILICON",
1381   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1382   doi =          "10.1063/1.115706",
1383   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1384 }
1385
1386 @Article{stolk95,
1387   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1388                  of the silicon self-interstitial",
1389   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1390                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1391   volume =       "96",
1392   number =       "1-2",
1393   pages =        "187--195",
1394   year =         "1995",
1395   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1396                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1397   ISSN =         "0168-583X",
1398   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1399   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1400   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1401                  and J. M. Poate",
1402 }
1403
1404 @Article{stolk97,
1405   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1406                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1407                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1408                  E. Haynes",
1409   collaboration = "",
1410   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1411                  diffusion in ion-implanted silicon",
1412   publisher =    "AIP",
1413   year =         "1997",
1414   journal =      "Journal of Applied Physics",
1415   volume =       "81",
1416   number =       "9",
1417   pages =        "6031--6050",
1418   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1419   doi =          "10.1063/1.364452",
1420   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1421 }
1422
1423 @Article{powell94,
1424   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1425   collaboration = "",
1426   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1427                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1428   publisher =    "AIP",
1429   year =         "1994",
1430   journal =      "Applied Physics Letters",
1431   volume =       "64",
1432   number =       "3",
1433   pages =        "324--326",
1434   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1435                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1436                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1437                  SYNTHESIS",
1438   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1439   doi =          "10.1063/1.111195",
1440   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1441 }
1442
1443 @Article{soref91,
1444   author =       "Richard A. Soref",
1445   collaboration = "",
1446   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1447                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1448   publisher =    "AIP",
1449   year =         "1991",
1450   journal =      "Journal of Applied Physics",
1451   volume =       "70",
1452   number =       "4",
1453   pages =        "2470--2472",
1454   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1455                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1456                  TERNARY ALLOYS",
1457   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1458   doi =          "10.1063/1.349403",
1459   notes =        "band gap of strained si by c",
1460 }
1461
1462 @Article{kasper91,
1463   author =       "E Kasper",
1464   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1465                  possibility to produce direct band gap material",
1466   journal =      "Physica Scripta",
1467   volume =       "T35",
1468   pages =        "232--236",
1469   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1470   year =         "1991",
1471   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1472                  quasi-direct one",
1473 }
1474
1475 @Article{osten99,
1476   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1477   collaboration = "",
1478   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1479                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1480                  molecular beam epitaxy",
1481   publisher =    "AIP",
1482   year =         "1999",
1483   journal =      "Applied Physics Letters",
1484   volume =       "74",
1485   number =       "6",
1486   pages =        "836--838",
1487   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1488                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1489                  compounds",
1490   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1491   doi =          "10.1063/1.123384",
1492   notes =        "substitutional c in si",
1493 }
1494
1495 @Article{hohenberg64,
1496   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1497   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1498   journal =      "Phys. Rev.",
1499   volume =       "136",
1500   number =       "3B",
1501   pages =        "B864--B871",
1502   numpages =     "7",
1503   year =         "1964",
1504   month =        nov,
1505   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1506   publisher =    "American Physical Society",
1507   notes =        "density functional theory, dft",
1508 }
1509
1510 @Article{kohn65,
1511   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1512                  Correlation Effects",
1513   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1514   journal =      "Phys. Rev.",
1515   volume =       "140",
1516   number =       "4A",
1517   pages =        "A1133--A1138",
1518   numpages =     "5",
1519   year =         "1965",
1520   month =        nov,
1521   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1522   publisher =    "American Physical Society",
1523   notes =        "dft, exchange and correlation",
1524 }
1525
1526 @Article{ruecker94,
1527   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1528                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1529   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1530                  J. Osten",
1531   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1532   volume =       "72",
1533   number =       "22",
1534   pages =        "3578--3581",
1535   numpages =     "3",
1536   year =         "1994",
1537   month =        may,
1538   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1539   publisher =    "American Physical Society",
1540   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1541                  si, dft",
1542 }
1543
1544 @Article{chang05,
1545   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1546                  Alloy",
1547   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1548   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1549   volume =       "44",
1550   number =       "4B",
1551   pages =        "2257--2262",
1552   numpages =     "5",
1553   year =         "2005",
1554   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1555   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1556   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1557   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1558 }
1559
1560 @Article{osten97,
1561   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1562   collaboration = "",
1563   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1564                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1565                  Si(001)",
1566   publisher =    "AIP",
1567   year =         "1997",
1568   journal =      "Journal of Applied Physics",
1569   volume =       "82",
1570   number =       "10",
1571   pages =        "4977--4981",
1572   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1573                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1574                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1575   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1576   doi =          "10.1063/1.366364",
1577   notes =        "charge transport in strained si",
1578 }
1579
1580 @Article{kapur04,
1581   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1582                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1583   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1584   journal =      "Phys. Rev. B",
1585   volume =       "69",
1586   number =       "15",
1587   pages =        "155214",
1588   numpages =     "8",
1589   year =         "2004",
1590   month =        apr,
1591   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1592   publisher =    "American Physical Society",
1593   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1594 }
1595
1596 @Article{barkema96,
1597   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1598                  Systems",
1599   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1600   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1601   volume =       "77",
1602   number =       "21",
1603   pages =        "4358--4361",
1604   numpages =     "3",
1605   year =         "1996",
1606   month =        nov,
1607   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1608   publisher =    "American Physical Society",
1609   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1610                  dynamic mds",
1611 }
1612
1613 @Article{cances09,
1614   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1615                  Minoukadeh and F. Willaime",
1616   collaboration = "",
1617   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1618                  technique method for finding transition pathways on
1619                  potential energy surfaces",
1620   publisher =    "AIP",
1621   year =         "2009",
1622   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1623   volume =       "130",
1624   number =       "11",
1625   eid =          "114711",
1626   numpages =     "6",
1627   pages =        "114711",
1628   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1629                  surfaces; vacancies (crystal)",
1630   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1631   doi =          "10.1063/1.3088532",
1632   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1633                  transition pathways",
1634 }
1635
1636 @Article{parrinello81,
1637   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1638   collaboration = "",
1639   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1640                  molecular dynamics method",
1641   publisher =    "AIP",
1642   year =         "1981",
1643   journal =      "Journal of Applied Physics",
1644   volume =       "52",
1645   number =       "12",
1646   pages =        "7182--7190",
1647   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1648                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1649                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1650                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1651                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1652                  IMPACT SHOCK",
1653   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1654   doi =          "10.1063/1.328693",
1655 }
1656
1657 @Article{stillinger85,
1658   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1659                  of silicon",
1660   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1661   journal =      "Phys. Rev. B",
1662   volume =       "31",
1663   number =       "8",
1664   pages =        "5262--5271",
1665   numpages =     "9",
1666   year =         "1985",
1667   month =        apr,
1668   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1669   publisher =    "American Physical Society",
1670 }
1671
1672 @Article{brenner90,
1673   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1674                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1675                  films",
1676   author =       "Donald W. Brenner",
1677   journal =      "Phys. Rev. B",
1678   volume =       "42",
1679   number =       "15",
1680   pages =        "9458--9471",
1681   numpages =     "13",
1682   year =         "1990",
1683   month =        nov,
1684   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1685   publisher =    "American Physical Society",
1686   notes =        "brenner hydro carbons",
1687 }
1688
1689 @Article{bazant96,
1690   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1691                  Cohesive Energy Curves",
1692   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1693   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1694   volume =       "77",
1695   number =       "21",
1696   pages =        "4370--4373",
1697   numpages =     "3",
1698   year =         "1996",
1699   month =        nov,
1700   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1701   publisher =    "American Physical Society",
1702   notes =        "first si edip",
1703 }
1704
1705 @Article{bazant97,
1706   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1707                  silicon",
1708   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1709                  Justo",
1710   journal =      "Phys. Rev. B",
1711   volume =       "56",
1712   number =       "14",
1713   pages =        "8542--8552",
1714   numpages =     "10",
1715   year =         "1997",
1716   month =        oct,
1717   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1718   publisher =    "American Physical Society",
1719   notes =        "second si edip",
1720 }
1721
1722 @Article{justo98,
1723   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1724                  disordered phases",
1725   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1726                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1727   journal =      "Phys. Rev. B",
1728   volume =       "58",
1729   number =       "5",
1730   pages =        "2539--2550",
1731   numpages =     "11",
1732   year =         "1998",
1733   month =        aug,
1734   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1735   publisher =    "American Physical Society",
1736   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1737 }
1738
1739 @Article{parcas_md,
1740   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1741   author =       "K. Nordlund",
1742   year =         "2008",
1743 }
1744
1745 @Article{voter97,
1746   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1747                  Infrequent Events",
1748   author =       "Arthur F. Voter",
1749   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1750   volume =       "78",
1751   number =       "20",
1752   pages =        "3908--3911",
1753   numpages =     "3",
1754   year =         "1997",
1755   month =        may,
1756   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1757   publisher =    "American Physical Society",
1758   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1759 }
1760
1761 @Article{voter97_2,
1762   author =       "Arthur F. Voter",
1763   collaboration = "",
1764   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1765                  simulation of infrequent events",
1766   publisher =    "AIP",
1767   year =         "1997",
1768   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1769   volume =       "106",
1770   number =       "11",
1771   pages =        "4665--4677",
1772   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1773                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1774                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1775                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1776                  theory; potential energy surfaces",
1777   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1778   doi =          "10.1063/1.473503",
1779   notes =        "improved hyperdynamics md",
1780 }
1781
1782 @Article{sorensen2000,
1783   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1784   collaboration = "",
1785   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1786                  infrequent events",
1787   publisher =    "AIP",
1788   year =         "2000",
1789   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1790   volume =       "112",
1791   number =       "21",
1792   pages =        "9599--9606",
1793   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1794                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1795   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1796   doi =          "10.1063/1.481576",
1797   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1798 }
1799
1800 @Article{voter98,
1801   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1802                  events",
1803   author =       "Arthur F. Voter",
1804   journal =      "Phys. Rev. B",
1805   volume =       "57",
1806   number =       "22",
1807   pages =        "R13985--R13988",
1808   numpages =     "3",
1809   year =         "1998",
1810   month =        jun,
1811   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1812   publisher =    "American Physical Society",
1813   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1814 }
1815
1816 @Article{wu99,
1817   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1818   collaboration = "",
1819   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1820                  simulation",
1821   publisher =    "AIP",
1822   year =         "1999",
1823   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1824   volume =       "110",
1825   number =       "19",
1826   pages =        "9401--9410",
1827   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1828                  potential; crystallisation; liquid theory",
1829   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1830   doi =          "10.1063/1.478948",
1831   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1832                  systematic motion",
1833 }
1834
1835 @Article{choudhary05,
1836   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1837   collaboration = "",
1838   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1839                  to the production of amorphous silicon",
1840   publisher =    "AIP",
1841   year =         "2005",
1842   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1843   volume =       "122",
1844   number =       "15",
1845   eid =          "154509",
1846   numpages =     "8",
1847   pages =        "154509",
1848   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1849                  amorphous semiconductors",
1850   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1851   doi =          "10.1063/1.1878733",
1852   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1853                  silicon",
1854 }
1855
1856 @Article{taylor93,
1857   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1858   collaboration = "",
1859   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1860                  difficult?",
1861   publisher =    "AIP",
1862   year =         "1993",
1863   journal =      "Applied Physics Letters",
1864   volume =       "62",
1865   number =       "25",
1866   pages =        "3336--3338",
1867   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1868                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1869                  ENERGY",
1870   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1871   doi =          "10.1063/1.109063",
1872   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1873 }
1874
1875 @Article{chaussende08,
1876   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1877   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1878   volume =       "310",
1879   number =       "5",
1880   pages =        "976--981",
1881   year =         "2008",
1882   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1883                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1884   ISSN =         "0022-0248",
1885   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1886   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1887   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1888                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1889                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1890                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1891   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1892                  metastable",
1893 }
1894
1895 @Article{feynman39,
1896   title =        "Forces in Molecules",
1897   author =       "R. P. Feynman",
1898   journal =      "Phys. Rev.",
1899   volume =       "56",
1900   number =       "4",
1901   pages =        "340--343",
1902   numpages =     "3",
1903   year =         "1939",
1904   month =        aug,
1905   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1906   publisher =    "American Physical Society",
1907   notes =        "hellmann feynman forces",
1908 }
1909
1910 @Article{buczko00,
1911   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1912                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1913                  their Contrasting Properties",
1914   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1915                  T. Pantelides",
1916   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1917   volume =       "84",
1918   number =       "5",
1919   pages =        "943--946",
1920   numpages =     "3",
1921   year =         "2000",
1922   month =        jan,
1923   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1924   publisher =    "American Physical Society",
1925   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1926 }
1927
1928 @Article{djurabekova08,
1929   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1930                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1931   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1932   journal =      "Phys. Rev. B",
1933   volume =       "77",
1934   number =       "11",
1935   pages =        "115325",
1936   numpages =     "7",
1937   year =         "2008",
1938   month =        mar,
1939   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1940   publisher =    "American Physical Society",
1941   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1942                  angular distribution, coordination",
1943 }
1944
1945 @Article{wen09,
1946   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1947                  W. Liang and J. Zou",
1948   collaboration = "",
1949   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1950                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1951                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1952   publisher =    "AIP",
1953   year =         "2009",
1954   journal =      "Journal of Applied Physics",
1955   volume =       "106",
1956   number =       "7",
1957   eid =          "073522",
1958   numpages =     "8",
1959   pages =        "073522",
1960   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1961                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1962                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1963                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1964   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1965   doi =          "10.1063/1.3234380",
1966   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1967                  deconvolution, dislocation defects",
1968 }
1969
1970 @Article{kitabatake93,
1971   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1972                  Hirao",
1973   collaboration = "",
1974   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1975                  growth on Si(001) surface",
1976   publisher =    "AIP",
1977   year =         "1993",
1978   journal =      "Journal of Applied Physics",
1979   volume =       "74",
1980   number =       "7",
1981   pages =        "4438--4445",
1982   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
1983                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
1984                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
1985   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
1986   doi =          "10.1063/1.354385",
1987   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
1988                  model, interface",
1989 }
1990
1991 @Article{pizzagalli03,
1992   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
1993                  interface: Si{C}/Si(001)",
1994   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
1995                  Catellani",
1996   journal =      "Phys. Rev. B",
1997   volume =       "68",
1998   number =       "19",
1999   pages =        "195302",
2000   numpages =     "10",
2001   year =         "2003",
2002   month =        nov,
2003   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2004   publisher =    "American Physical Society",
2005   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2006 }
2007
2008 @Article{tang07,
2009   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2010                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2011                  electron microscopy",
2012   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2013                  H. Zheng and J. W. Liang",
2014   journal =      "Phys. Rev. B",
2015   volume =       "75",
2016   number =       "18",
2017   pages =        "184103",
2018   numpages =     "7",
2019   year =         "2007",
2020   month =        may,
2021   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2022   publisher =    "American Physical Society",
2023   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2024                  si and c",
2025 }
2026
2027 @Article{hornstra58,
2028   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2029   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2030   volume =       "5",
2031   number =       "1-2",
2032   pages =        "129--141",
2033   year =         "1958",
2034   note =         "",
2035   ISSN =         "0022-3697",
2036   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2037   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2038   author =       "J. Hornstra",
2039   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2040 }
2041
2042 @Article{eichhorn99,
2043   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2044                  K{\"{o}}gler",
2045   collaboration = "",
2046   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2047                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2048                  synchrotron x-ray diffraction",
2049   publisher =    "AIP",
2050   year =         "1999",
2051   journal =      "Journal of Applied Physics",
2052   volume =       "86",
2053   number =       "8",
2054   pages =        "4184--4187",
2055   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2056                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2057                  precipitation; semiconductor doping",
2058   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2059   doi =          "10.1063/1.371344",
2060   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2061                  carbon",
2062 }
2063
2064 @Article{eichhorn02,
2065   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2066                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2067   collaboration = "",
2068   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2069                  carbon ion implantation",
2070   publisher =    "AIP",
2071   year =         "2002",
2072   journal =      "Journal of Applied Physics",
2073   volume =       "91",
2074   number =       "3",
2075   pages =        "1287--1292",
2076   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2077                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2078                  electron microscopy",
2079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2080   doi =          "10.1063/1.1428105",
2081   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2082                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2083 }
2084
2085 @Article{lucas10,
2086   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2087   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2088                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2089                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2090                  amorphous structures",
2091   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2092   volume =       "22",
2093   number =       "3",
2094   pages =        "035802",
2095   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2096   year =         "2010",
2097   notes =        "edip sic",
2098 }
2099
2100 @Article{godet03,
2101   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2102                  Beauchamp",
2103   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2104                  methods for silicon under large shear",
2105   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2106   volume =       "15",
2107   number =       "41",
2108   pages =        "6943",
2109   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2110   year =         "2003",
2111   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2112                  edip, tersoff, ab initio",
2113 }
2114
2115 @Article{moriguchi98,
2116   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2117                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2118   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2119   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2120   volume =       "37",
2121   number =       "Part 1, No. 2",
2122   pages =        "414--422",
2123   numpages =     "8",
2124   year =         "1998",
2125   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2126   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2127   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2128   notes =        "tersoff stringent test",
2129 }
2130
2131 @Article{holmstroem08,
2132   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2133                  density functional theory molecular dynamics
2134                  simulations",
2135   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2136   journal =      "Phys. Rev. B",
2137   volume =       "78",
2138   number =       "4",
2139   pages =        "045202",
2140   numpages =     "6",
2141   year =         "2008",
2142   month =        jul,
2143   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2144   publisher =    "American Physical Society",
2145   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2146                  initio",
2147 }
2148
2149 @Article{nordlund97,
2150   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2151                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2152   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2153                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2154   volume =       "132",
2155   number =       "1",
2156   pages =        "45--54",
2157   year =         "1997",
2158   note =         "",
2159   ISSN =         "0168-583X",
2160   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2162   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2163   notes =        "repulsive ab initio potential",
2164 }
2165
2166 @Article{kresse96,
2167   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2168                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2169                  set",
2170   journal =      "Computational Materials Science",
2171   volume =       "6",
2172   number =       "1",
2173   pages =        "15--50",
2174   year =         "1996",
2175   note =         "",
2176   ISSN =         "0927-0256",
2177   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2178   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2179   author =       "G. Kresse and J. Furthmüller",
2180   notes =        "vasp ref",
2181 }
2182
2183 @Article{bloechl94,
2184   title =        "Projector augmented-wave method",
2185   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2186   journal =      "Phys. Rev. B",
2187   volume =       "50",
2188   number =       "24",
2189   pages =        "17953--17979",
2190   numpages =     "26",
2191   year =         "1994",
2192   month =        dec,
2193   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2194   publisher =    "American Physical Society",
2195   notes =        "paw method",
2196 }
2197
2198 @Article{hamann79,
2199   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2200   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2201   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2202   volume =       "43",
2203   number =       "20",
2204   pages =        "1494--1497",
2205   numpages =     "3",
2206   year =         "1979",
2207   month =        nov,
2208   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2209   publisher =    "American Physical Society",
2210   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2211 }
2212
2213 @Article{vanderbilt90,
2214   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2215                  eigenvalue formalism",
2216   author =       "David Vanderbilt",
2217   journal =      "Phys. Rev. B",
2218   volume =       "41",
2219   number =       "11",
2220   pages =        "7892--7895",
2221   numpages =     "3",
2222   year =         "1990",
2223   month =        apr,
2224   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2225   publisher =    "American Physical Society",
2226   notes =        "vasp pseudopotentials",
2227 }
2228
2229 @Article{perdew86,
2230   title =        "Accurate and simple density functional for the
2231                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2232                  approximation",
2233   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2234   journal =      "Phys. Rev. B",
2235   volume =       "33",
2236   number =       "12",
2237   pages =        "8800--8802",
2238   numpages =     "2",
2239   year =         "1986",
2240   month =        jun,
2241   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2242   publisher =    "American Physical Society",
2243   notes =        "rapid communication gga",
2244 }
2245
2246 @Article{perdew02,
2247   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2248                  correlation: {A} look backward and forward",
2249   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2250   volume =       "172",
2251   number =       "1-2",
2252   pages =        "1--6",
2253   year =         "1991",
2254   note =         "",
2255   ISSN =         "0921-4526",
2256   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2257   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2258   author =       "John P. Perdew",
2259   notes =        "gga overview",
2260 }
2261
2262 @Article{perdew92,
2263   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2264                  of the generalized gradient approximation for exchange
2265                  and correlation",
2266   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2267                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2268                  and Carlos Fiolhais",
2269   journal =      "Phys. Rev. B",
2270   volume =       "46",
2271   number =       "11",
2272   pages =        "6671--6687",
2273   numpages =     "16",
2274   year =         "1992",
2275   month =        sep,
2276   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2277   publisher =    "American Physical Society",
2278   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2279 }