]> www.hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/blob - bibdb/bibdb.bib
some more intro lines + new refs
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 @Article{albe_sic_pot,
6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
9   publisher =    "APS",
10   year =         "2005",
11   journal =      "Phys. Rev. B",
12   volume =       "71",
13   number =       "3",
14   eid =          "035211",
15   numpages =     "14",
16   pages =        "035211",
17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
18                  potential (ABOP)",
19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
22                  forces",
23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
25 }
26
27 @Article{albe2002,
28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
31   journal =      "Phys. Rev. B",
32   volume =       "65",
33   number =       "19",
34   pages =        "195124",
35   numpages =     "11",
36   year =         "2002",
37   month =        may,
38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
39   publisher =    "American Physical Society",
40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
41 }
42
43 @Article{capano97,
44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
46   journal =      "MRS Bull.",
47   volume =       "22",
48   pages =        "19",
49   year =         "1997",
50 }
51
52 @Book{laplace,
53   author =       "P. S. de Laplace",
54   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
55   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
56   volume =       "VII",
57   publisher =    "Gauthier-Villars",
58   year =         "1820",
59 }
60
61 @Article{mattoni2007,
62   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
63   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
64                  materials}",
65   journal =      "Phys. Rev. B",
66   year =         "2007",
67   month =        dec,
68   volume =       "76",
69   number =       "22",
70   pages =        "224103",
71   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
72   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
73                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
74                  fracture, more available potentials, universal energy
75                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
76 }
77
78 @Article{koster2002,
79   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
80                  bombardment",
81   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
82   journal =      "Phys. Rev. B",
83   volume =       "62",
84   number =       "16",
85   pages =        "11219--11224",
86   numpages =     "5",
87   year =         "2000",
88   month =        oct,
89   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
90   publisher =    "American Physical Society",
91   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
92 }
93
94 @Article{breadmore99,
95   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
96                  amorphization of silicon",
97   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
98   journal =      "Phys. Rev. B",
99   volume =       "60",
100   number =       "18",
101   pages =        "12610--12616",
102   numpages =     "6",
103   year =         "1999",
104   month =        nov,
105   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
106   publisher =    "American Physical Society",
107   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
108 }
109
110 @Book{park98,
111   author =       "Y. S. Park",
112   title =        "Si{C} Materials and Devices",
113   publisher =    "Academic Press",
114   address =      "San Diego",
115   year =         "1998",
116 }
117
118 @Article{tsvetkov98,
119   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
120                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
121   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
122   journal =      "Materials Science Forum",
123   volume =       "264-268",
124   pages =        "3--8",
125   year =         "1998",
126   notes =        "modified lely process, micropipes",
127 }
128
129 @Article{verlet67,
130   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
131                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
132   author =       "Loup Verlet",
133   journal =      "Phys. Rev.",
134   volume =       "159",
135   number =       "1",
136   pages =        "98",
137   year =         "1967",
138   month =        jul,
139   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
140   publisher =    "American Physical Society",
141   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
142                  motion",
143 }
144
145 @Article{berendsen84,
146   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
147                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
148   collaboration = "",
149   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
150   publisher =    "AIP",
151   year =         "1984",
152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
153   volume =       "81",
154   number =       "8",
155   pages =        "3684--3690",
156   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
157                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
159   doi =          "10.1063/1.448118",
160   notes =        "berendsen thermostat barostat",
161 }
162
163 @Article{huang95,
164   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
165                  Baskes",
166   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
167                  in beta -Si{C} using three representative empirical
168                  potentials",
169   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
170                  Engineering",
171   volume =       "3",
172   number =       "5",
173   pages =        "615--627",
174   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
175   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
176                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
177   year =         "1995",
178 }
179
180 @Article{tersoff89,
181   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
182                  Tersoff potentials",
183   author =       "Donald W. Brenner",
184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
185   volume =       "63",
186   number =       "9",
187   pages =        "1022",
188   numpages =     "1",
189   year =         "1989",
190   month =        aug,
191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
192   publisher =    "American Physical Society",
193   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
194 }
195
196 @Article{batra87,
197   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
198                  silicon",
199   author =       "S. Ciraci {Inder P. Batra, Farid F. Abraham}",
200   journal =      "Phys. Rev. B",
201   volume =       "35",
202   number =       "18",
203   pages =        "9552--9558",
204   numpages =     "6",
205   year =         "1987",
206   month =        jun,
207   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
208   publisher =    "American Physical Society",
209   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
210                  calculation of defect formation energy, defect
211                  interstitial types",
212 }
213
214 @Article{schober89,
215   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
216   author =       "H. R. Schober",
217   journal =      "Phys. Rev. B",
218   volume =       "39",
219   number =       "17",
220   pages =        "13013--13015",
221   numpages =     "2",
222   year =         "1989",
223   month =        jun,
224   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
225   publisher =    "American Physical Society",
226   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
227                  dumbbell configuration",
228 }
229
230 @Article{gao02,
231   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
232                  Defect accumulation, topological features, and
233                  disordering",
234   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
235   journal =      "Phys. Rev. B",
236   volume =       "66",
237   number =       "2",
238   pages =        "024106",
239   numpages =     "10",
240   year =         "2002",
241   month =        jul,
242   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
243   publisher =    "American Physical Society",
244   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
245                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
246                  result analyze",
247 }
248
249 @Article{devanathan98,
250   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
251                  cascade in Si{C}",
252   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
253                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
254   volume =       "141",
255   number =       "1-4",
256   pages =        "118--122",
257   year =         "1998",
258   ISSN =         "0168-583X",
259   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
260   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
261                  Rubia",
262   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
263                  3c-sic",
264 }
265
266 @Article{devanathan98_2,
267   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
268   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
269   volume =       "253",
270   number =       "1-3",
271   pages =        "47--52",
272   year =         "1998",
273   ISSN =         "0022-3115",
274   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
275   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
276                  Weber",
277   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
278                  tersoff",
279 }
280
281 @Article{batra87,
282   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
283   author =       "M. Kitabatake",
284   journal =      "Thin Solid Films",
285   volume =       "369",
286   pages =        "257--264",
287   numpages =     "8",
288   year =         "2000",
289   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
290 }
291
292 @Article{tang97,
293   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
294                  Tight-binding molecular dynamics studies of
295                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
296                  formation volumes",
297   author =       "T. Diaz de la Rubia {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu}",
298   journal =      "Phys. Rev. B",
299   volume =       "55",
300   number =       "21",
301   pages =        "14279--14289",
302   numpages =     "10",
303   year =         "1997",
304   month =        jun,
305   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
306   publisher =    "American Physical Society",
307   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
308 }
309
310 @Article{tang97,
311   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
312                  silicon",
313   author =       "L. Colombo",
314   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
315   volume =       "32",
316   pages =        "271--295",
317   numpages =     "25",
318   year =         "2002",
319   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
320   publisher =    "Annual Reviews",
321   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
322 }
323
324 @Article{gao2001,
325   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
326                  properties in $3{C}-Si{C}$",
327   author =       "L. R. Corrales {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber}",
328   journal =      "Phys. Rev. B",
329   volume =       "64",
330   number =       "24",
331   pages =        "245208",
332   numpages =     "7",
333   year =         "2001",
334   month =        dec,
335   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
336   publisher =    "American Physical Society",
337   notes =        "defects in 3c-sic",
338 }
339
340 @Article{mattoni2002,
341   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
342                  crystalline silicon",
343   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
344   journal =      "Phys. Rev. B",
345   volume =       "66",
346   number =       "19",
347   pages =        "195214",
348   numpages =     "6",
349   year =         "2002",
350   month =        nov,
351   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
352   publisher =    "American Physical Society",
353   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
354                  links",
355 }
356
357 @Article{leung99,
358   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
359   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
360                  Itoh and S. Ihara",
361   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
362   volume =       "83",
363   number =       "12",
364   pages =        "2351--2354",
365   numpages =     "3",
366   year =         "1999",
367   month =        sep,
368   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
369   publisher =    "American Physical Society",
370   notes =        "nice images of the defects",
371 }
372
373 @Article{capazd94,
374   title =        "Identification of the migration path of interstitial
375                  carbon in silicon",
376   author =       "J. D. Joannopoulos {R. B. Capazd, A Dal Pino}",
377   journal =      "Phys. Rev. B",
378   volume =       "50",
379   number =       "11",
380   pages =        "7439--7442",
381   numpages =     "3",
382   year =         "1994",
383   month =        sep,
384   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
385   publisher =    "American Physical Society",
386   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
387                  dumbbell",
388 }
389
390 @Article{car84,
391   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
392                  Silicon",
393   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
394                  Sokrates T. Pantelides",
395   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
396   volume =       "52",
397   number =       "20",
398   pages =        "1814--1817",
399   numpages =     "3",
400   year =         "1984",
401   month =        may,
402   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
403   publisher =    "American Physical Society",
404   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
405                  path formation",
406 }
407
408 @Article{kelires97,
409   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
410                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
411   author =       "P. C. Kelires",
412   journal =      "Phys. Rev. B",
413   volume =       "55",
414   number =       "14",
415   pages =        "8784--8787",
416   numpages =     "3",
417   year =         "1997",
418   month =        apr,
419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
420   publisher =    "American Physical Society",
421   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
422                  neighbour dist",
423 }
424
425 @Article{kelires95,
426   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
427                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
428   author =       "P. C. Kelires",
429   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
430   volume =       "75",
431   number =       "6",
432   pages =        "1114--1117",
433   numpages =     "3",
434   year =         "1995",
435   month =        aug,
436   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
437   publisher =    "American Physical Society",
438   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
439 }
440
441 @Article{watkins76,
442   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
443                  Atom in Silicon",
444   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
446   volume =       "36",
447   number =       "22",
448   pages =        "1329--1332",
449   numpages =     "3",
450   year =         "1976",
451   month =        may,
452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
453   publisher =    "American Physical Society",
454   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
455                  silicon",
456 }
457
458 @Article{song90,
459   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
460                  interstitial carbon in silicon",
461   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
462   journal =      "Phys. Rev. B",
463   volume =       "42",
464   number =       "9",
465   pages =        "5759--5764",
466   numpages =     "5",
467   year =         "1990",
468   month =        sep,
469   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
470   publisher =    "American Physical Society",
471 }
472
473 @Article{strane96,
474   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
475                  ion implantation and solid phase epitaxy",
476   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
477                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
478   journal =      "J. Appl. Phys.",
479   volume =       "79",
480   pages =        "637",
481   year =         "1996",
482   month =        jan,
483   doi =          "10.1063/1.360806",
484   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
485 }
486
487 @Article{laveant2002,
488   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
489   author =       "U. Gosele {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner}",
490   journal =      "Materials Science and Engineering B",
491   volume =       "89",
492   number =       "1-3",
493   pages =        "241--245",
494   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
495   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
496                  stress, avoid sic precipitation",
497 }
498
499 @Article{werner97,
500   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
501                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
502   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
503                  silicon by transmission electron microscopy",
504   publisher =    "AIP",
505   year =         "1997",
506   journal =      "Applied Physics Letters",
507   volume =       "70",
508   number =       "2",
509   pages =        "252--254",
510   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
511                  transmission electron microscopy; annealing; positron
512                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
513                  layers; precipitation",
514   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
515   doi =          "10.1063/1.118381",
516   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
517                  precipitate",
518 }
519
520 @Article{strane94,
521   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
522                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
523   collaboration = "",
524   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
525                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
526   publisher =    "AIP",
527   year =         "1994",
528   journal =      "Journal of Applied Physics",
529   volume =       "76",
530   number =       "6",
531   pages =        "3656--3668",
532   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
533   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
534   doi =          "10.1063/1.357429",
535   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
536 }
537
538 @Article{edgar92,
539   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
540                  semiconductors",
541   author =       "J. H. Edgar",
542   journal =      "J. Mater. Res.",
543   volume =       "7",
544   pages =        "235",
545   year =         "1992",
546   month =        jan,
547   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
548   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
549                  polytypes",
550 }
551
552 @Article{zirkelbach2007,
553   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
554                  process leading to ordered precipitate structures",
555   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
556                  Lindner}",
557   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
558   volume =       "257",
559   number =       "1--2",
560   pages =        "75--79",
561   numpages =     "5",
562   year =         "2007",
563   month =        apr,
564   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
565   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
566                  NETHERLANDS",
567 }
568
569 @Article{zirkelbach2006,
570   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
571                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
572                  during ion irradiation",
573   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
574                  Lindner}",
575   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
576   volume =       "242",
577   number =       "1--2",
578   pages =        "679--682",
579   numpages =     "4",
580   year =         "2006",
581   month =        jan,
582   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
583   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
584                  NETHERLANDS",
585 }
586
587 @Article{zirkelbach2005,
588   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
589                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
590                  ion irradiation",
591   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
592                  Lindner}",
593   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
594   volume =       "33",
595   number =       "1--3",
596   pages =        "310--316",
597   numpages =     "7",
598   year =         "2005",
599   month =        apr,
600   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
601   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
602                  NETHERLANDS",
603 }
604
605 @Article{lindner02,
606   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
607                  fundamental studies for new technological tricks",
608   author =       "J. K. N. Lindner",
609   journal =      "Appl. Phys. A",
610   volume =       "77",
611   pages =        "27--38",
612   year =         "2003",
613   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
614   notes =        "ibs, burried sic layers",
615 }
616
617 @Article{alder57,
618   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
619   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
620   publisher =    "AIP",
621   year =         "1957",
622   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
623   volume =       "27",
624   number =       "5",
625   pages =        "1208--1209",
626   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
627   doi =          "10.1063/1.1743957",
628 }
629
630 @Article{alder59,
631   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
632   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
633   publisher =    "AIP",
634   year =         "1959",
635   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
636   volume =       "31",
637   number =       "2",
638   pages =        "459--466",
639   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
640   doi =          "10.1063/1.1730376",
641 }
642
643 @Article{tersoff_si1,
644   title =        "New empirical model for the structural properties of
645                  silicon",
646   author =       "J. Tersoff",
647   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
648   volume =       "56",
649   number =       "6",
650   pages =        "632--635",
651   numpages =     "3",
652   year =         "1986",
653   month =        feb,
654   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
655   publisher =    "American Physical Society",
656 }
657
658 @Article{tersoff_si2,
659   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
660                  covalent systems",
661   author =       "J. Tersoff",
662   journal =      "Phys. Rev. B",
663   volume =       "37",
664   number =       "12",
665   pages =        "6991--7000",
666   numpages =     "9",
667   year =         "1988",
668   month =        apr,
669   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
670   publisher =    "American Physical Society",
671 }
672
673 @Article{tersoff_si3,
674   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
675                  improved elastic properties",
676   author =       "J. Tersoff",
677   journal =      "Phys. Rev. B",
678   volume =       "38",
679   number =       "14",
680   pages =        "9902--9905",
681   numpages =     "3",
682   year =         "1988",
683   month =        nov,
684   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
685   publisher =    "American Physical Society",
686 }
687
688 @Article{tersoff_c,
689   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
690                  Applications to Amorphous Carbon",
691   author =       "J. Tersoff",
692   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
693   volume =       "61",
694   number =       "25",
695   pages =        "2879--2882",
696   numpages =     "3",
697   year =         "1988",
698   month =        dec,
699   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
700   publisher =    "American Physical Society",
701 }
702
703 @Article{tersoff_m,
704   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
705                  for multicomponent systems",
706   author =       "J. Tersoff",
707   journal =      "Phys. Rev. B",
708   volume =       "39",
709   number =       "8",
710   pages =        "5566--5568",
711   numpages =     "2",
712   year =         "1989",
713   month =        mar,
714   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
715   publisher =    "American Physical Society",
716 }
717
718 @Article{fahey89,
719   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
720   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
721   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
722   volume =       "61",
723   number =       "2",
724   pages =        "289--384",
725   numpages =     "95",
726   year =         "1989",
727   month =        apr,
728   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
729   publisher =    "American Physical Society",
730 }
731
732 @Article{wesch96,
733   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
734   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
735                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
736   volume =       "116",
737   number =       "1-4",
738   pages =        "305--321",
739   year =         "1996",
740   note =         "Radiation Effects in Insulators",
741   ISSN =         "0168-583X",
742   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
743   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
744   author =       "W. Wesch",
745 }
746
747 @Article{morkoc94,
748   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
749                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
750   collaboration = "",
751   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
752                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
753   publisher =    "AIP",
754   year =         "1994",
755   journal =      "Journal of Applied Physics",
756   volume =       "76",
757   number =       "3",
758   pages =        "1363--1398",
759   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
760                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
761                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
762                  FILMS; INDUSTRY",
763   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
764   doi =          "10.1063/1.358463",
765 }
766
767 @Article{foo,
768   author =       "Noch Unbekannt",
769   title =        "How to find references",
770   journal =      "Journal of Applied References",
771   year =         "2009",
772   volume =       "77",
773   pages =        "1--23",
774 }
775
776 @Article{tang95,
777   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
778                  \beta{}-Si{C}",
779   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
780   journal =      "Phys. Rev. B",
781   volume =       "52",
782   number =       "21",
783   pages =        "15150--15159",
784   numpages =     "9",
785   year =         "1995",
786   month =        dec,
787   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
788   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
789   publisher =    "American Physical Society",
790 }
791
792 @Article{sarro00,
793   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
794   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
795   volume =       "82",
796   number =       "1-3",
797   pages =        "210--218",
798   year =         "2000",
799   ISSN =         "0924-4247",
800   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
801   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
802   author =       "Pasqualina M. Sarro",
803   keywords =     "MEMS",
804   keywords =     "Silicon carbide",
805   keywords =     "Micromachining",
806   keywords =     "Mechanical stress",
807 }
808
809 @Article{casady96,
810   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
811                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
812                  review",
813   journal =      "Solid-State Electronics",
814   volume =       "39",
815   number =       "10",
816   pages =        "1409--1422",
817   year =         "1996",
818   ISSN =         "0038-1101",
819   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
820   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
821   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
822 }
823
824 @Article{giancarli98,
825   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
826                  structural material in fusion power reactor blankets",
827   journal =      "Fusion Engineering and Design",
828   volume =       "41",
829   number =       "1-4",
830   pages =        "165--171",
831   year =         "1998",
832   ISSN =         "0920-3796",
833   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
834   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
835   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
836                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
837 }
838
839 @Article{pensl93,
840   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
841   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
842   volume =       "185",
843   number =       "1-4",
844   pages =        "264--283",
845   year =         "1993",
846   ISSN =         "0921-4526",
847   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
849   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
850 }
851
852 @Article{tairov78,
853   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
854                  carbide single crystals",
855   journal =      "Journal of Crystal Growth",
856   volume =       "43",
857   number =       "2",
858   pages =        "209--212",
859   year =         "1978",
860   notes =        "modifief lely process",
861   ISSN =         "0022-0248",
862   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
863   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
864   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
865 }