bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. Kögler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and A.
  80                  Mücklich and H. Reuther and W. Skorupa and C. Serre and
  81                  A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies",
  91 }
  92
  93 @Book{laplace,
  94   author =       "P. S. de Laplace",
  95   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  96   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  97   volume =       "VII",
  98   publisher =    "Gauthier-Villars",
  99   year =         "1820",
 100 }
 101
 102 @Article{mattoni2007,
 103   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 104   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 105                  materials}",
 106   journal =      "Phys. Rev. B",
 107   year =         "2007",
 108   month =        dec,
 109   volume =       "76",
 110   number =       "22",
 111   pages =        "224103",
 112   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 113   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 114                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 115                  fracture, more available potentials, universal energy
 116                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 117 }
 118
 119 @Article{balamane92,
 120   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 121                  potentials",
 122   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 123   journal =      "Phys. Rev. B",
 124   volume =       "46",
 125   number =       "4",
 126   pages =        "2250--2279",
 127   numpages =     "29",
 128   year =         "1992",
 129   month =        jul,
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 131   publisher =    "American Physical Society",
 132   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 133 }
 134
 135 @Article{koster2002,
 136   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 137                  bombardment",
 138   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 139   journal =      "Phys. Rev. B",
 140   volume =       "62",
 141   number =       "16",
 142   pages =        "11219--11224",
 143   numpages =     "5",
 144   year =         "2000",
 145   month =        oct,
 146   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 147   publisher =    "American Physical Society",
 148   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 149 }
 150
 151 @Article{breadmore99,
 152   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 153                  amorphization of silicon",
 154   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   volume =       "60",
 157   number =       "18",
 158   pages =        "12610--12616",
 159   numpages =     "6",
 160   year =         "1999",
 161   month =        nov,
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 163   publisher =    "American Physical Society",
 164   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 165 }
 166
 167 @Article{moissan04,
 168   author =       "Henri Moissan",
 169   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 170                  Diablo",
 171   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 172   volume =       "139",
 173   pages =        "773--786",
 174   year =         "1904",
 175 }
 176
 177 @Book{park98,
 178   author =       "Y. S. Park",
 179   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 180   publisher =    "Academic Press",
 181   address =      "San Diego",
 182   year =         "1998",
 183 }
 184
 185 @Article{tsvetkov98,
 186   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 187                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 188   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 189   journal =      "Materials Science Forum",
 190   volume =       "264-268",
 191   pages =        "3--8",
 192   year =         "1998",
 193   notes =        "modified lely process, micropipes",
 194 }
 195
 196 @Article{verlet67,
 197   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 198                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 199   author =       "Loup Verlet",
 200   journal =      "Phys. Rev.",
 201   volume =       "159",
 202   number =       "1",
 203   pages =        "98",
 204   year =         "1967",
 205   month =        jul,
 206   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 207   publisher =    "American Physical Society",
 208   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 209                  motion",
 210 }
 211
 212 @Article{berendsen84,
 213   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 214                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 215   collaboration = "",
 216   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 217   publisher =    "AIP",
 218   year =         "1984",
 219   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 220   volume =       "81",
 221   number =       "8",
 222   pages =        "3684--3690",
 223   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 224                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 225   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 226   doi =          "10.1063/1.448118",
 227   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 228 }
 229
 230 @Article{huang95,
 231   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 232                  Baskes",
 233   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 234                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 235                  potentials",
 236   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 237                  Engineering",
 238   volume =       "3",
 239   number =       "5",
 240   pages =        "615--627",
 241   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 242   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 243                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 244   year =         "1995",
 245 }
 246
 247 @Article{brenner89,
 248   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 249                  Tersoff potentials",
 250   author =       "Donald W. Brenner",
 251   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 252   volume =       "63",
 253   number =       "9",
 254   pages =        "1022",
 255   numpages =     "1",
 256   year =         "1989",
 257   month =        aug,
 258   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 259   publisher =    "American Physical Society",
 260   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 261 }
 262
 263 @Article{batra87,
 264   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 265                  silicon",
 266   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 267   journal =      "Phys. Rev. B",
 268   volume =       "35",
 269   number =       "18",
 270   pages =        "9552--9558",
 271   numpages =     "6",
 272   year =         "1987",
 273   month =        jun,
 274   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 275   publisher =    "American Physical Society",
 276   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 277                  calculation of defect formation energy, defect
 278                  interstitial types",
 279 }
 280
 281 @Article{schober89,
 282   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 283   author =       "H. R. Schober",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "39",
 286   number =       "17",
 287   pages =        "13013--13015",
 288   numpages =     "2",
 289   year =         "1989",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 294                  dumbbell configuration",
 295 }
 296
 297 @Article{gao02,
 298   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 299                  Defect accumulation, topological features, and
 300                  disordering",
 301   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 302   journal =      "Phys. Rev. B",
 303   volume =       "66",
 304   number =       "2",
 305   pages =        "024106",
 306   numpages =     "10",
 307   year =         "2002",
 308   month =        jul,
 309   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 310   publisher =    "American Physical Society",
 311   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 312                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 313                  result analyze",
 314 }
 315
 316 @Article{devanathan98,
 317   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 318                  cascade in Si{C}",
 319   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 320                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{bar-yam84,
 379   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 380                  Self-Interstitial",
 381   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 382   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 383   volume =       "52",
 384   number =       "13",
 385   pages =        "1129--1132",
 386   numpages =     "3",
 387   year =         "1984",
 388   month =        mar,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 392 }
 393
 394 @Article{colombo02,
 395   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 396                  silicon",
 397   author =       "L. Colombo",
 398   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 399   volume =       "32",
 400   pages =        "271--295",
 401   numpages =     "25",
 402   year =         "2002",
 403   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 404   publisher =    "Annual Reviews",
 405   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 406 }
 407
 408 @Article{al-mushadani03,
 409   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 410                  silicon",
 411   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "68",
 414   number =       "23",
 415   pages =        "235205",
 416   numpages =     "8",
 417   year =         "2003",
 418   month =        dec,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 422                  silicon, si self interstitials, free energy",
 423 }
 424
 425 @Article{ma10,
 426   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 427                  wide temperature range: Point defect states and
 428                  migration mechanisms",
 429   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 430   journal =      "Phys. Rev. B",
 431   volume =       "81",
 432   number =       "19",
 433   pages =        "193203",
 434   numpages =     "4",
 435   year =         "2010",
 436   month =        may,
 437   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 438   publisher =    "American Physical Society",
 439   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 440 }
 441
 442 @Article{posselt08,
 443   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 444                  migration mechanisms of vacancies and
 445                  self-interstitials: An atomistic study",
 446   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 447   journal =      "Phys. Rev. B",
 448   volume =       "78",
 449   number =       "3",
 450   pages =        "035208",
 451   numpages =     "9",
 452   year =         "2008",
 453   month =        jul,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 457                  weber and tersoff",
 458 }
 459
 460 @Article{gao2001,
 461   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 462                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 463   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 464                  Corrales",
 465   journal =      "Phys. Rev. B",
 466   volume =       "64",
 467   number =       "24",
 468   pages =        "245208",
 469   numpages =     "7",
 470   year =         "2001",
 471   month =        dec,
 472   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 473   publisher =    "American Physical Society",
 474   notes =        "defects in 3c-sic",
 475 }
 476
 477 @Article{mattoni2002,
 478   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 479                  crystalline silicon",
 480   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 481   journal =      "Phys. Rev. B",
 482   volume =       "66",
 483   number =       "19",
 484   pages =        "195214",
 485   numpages =     "6",
 486   year =         "2002",
 487   month =        nov,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 491                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 492                  tersoff suitability",
 493 }
 494
 495 @Article{leung99,
 496   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 497   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 498                  Itoh and S. Ihara",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "83",
 501   number =       "12",
 502   pages =        "2351--2354",
 503   numpages =     "3",
 504   year =         "1999",
 505   month =        sep,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 509                  refs",
 510 }
 511
 512 @Article{capaz94,
 513   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 514                  carbon in silicon",
 515   author =       "R. B. Capaz and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "50",
 518   number =       "11",
 519   pages =        "7439--7442",
 520   numpages =     "3",
 521   year =         "1994",
 522   month =        sep,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 526                  dumbbell",
 527 }
 528
 529 @Article{dal_pino93,
 530   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 531                  silicon",
 532   author =       "A. Dal Pino and Andrew M. Rappe and J. D.
 533                  Joannopoulos",
 534   journal =      "Phys. Rev. B",
 535   volume =       "47",
 536   number =       "19",
 537   pages =        "12554--12557",
 538   numpages =     "3",
 539   year =         "1993",
 540   month =        may,
 541   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 542   publisher =    "American Physical Society",
 543   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 544 }
 545
 546 @Article{car84,
 547   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 548                  Silicon",
 549   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 550                  Sokrates T. Pantelides",
 551   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 552   volume =       "52",
 553   number =       "20",
 554   pages =        "1814--1817",
 555   numpages =     "3",
 556   year =         "1984",
 557   month =        may,
 558   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 559   publisher =    "American Physical Society",
 560   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 561                  path formation",
 562 }
 563
 564 @Article{car85,
 565   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 566                  Density-Functional Theory",
 567   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 568   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 569   volume =       "55",
 570   number =       "22",
 571   pages =        "2471--2474",
 572   numpages =     "3",
 573   year =         "1985",
 574   month =        nov,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 578 }
 579
 580 @Article{kelires97,
 581   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 582                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 583   author =       "P. C. Kelires",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "55",
 586   number =       "14",
 587   pages =        "8784--8787",
 588   numpages =     "3",
 589   year =         "1997",
 590   month =        apr,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 594                  neighbour dist",
 595 }
 596
 597 @Article{kelires95,
 598   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 599                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 600   author =       "P. C. Kelires",
 601   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 602   volume =       "75",
 603   number =       "6",
 604   pages =        "1114--1117",
 605   numpages =     "3",
 606   year =         "1995",
 607   month =        aug,
 608   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 609   publisher =    "American Physical Society",
 610   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 611 }
 612
 613 @Article{bean70,
 614   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 615                  containing carbon",
 616   journal =      "Solid State Communications",
 617   volume =       "8",
 618   number =       "3",
 619   pages =        "175--177",
 620   year =         "1970",
 621   note =         "",
 622   ISSN =         "0038-1098",
 623   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 624   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 625   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 626 }
 627
 628 @Article{watkins76,
 629   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 630                  Atom in Silicon",
 631   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 632   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 633   volume =       "36",
 634   number =       "22",
 635   pages =        "1329--1332",
 636   numpages =     "3",
 637   year =         "1976",
 638   month =        may,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 642                  silicon",
 643 }
 644
 645 @Article{song90,
 646   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 647                  interstitial carbon in silicon",
 648   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 649   journal =      "Phys. Rev. B",
 650   volume =       "42",
 651   number =       "9",
 652   pages =        "5759--5764",
 653   numpages =     "5",
 654   year =         "1990",
 655   month =        sep,
 656   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 657   publisher =    "American Physical Society",
 658   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 659 }
 660
 661 @Article{tipping87,
 662   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 663   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 664                  silicon",
 665   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 666   volume =       "2",
 667   number =       "5",
 668   pages =        "315--317",
 669   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 670   year =         "1987",
 671   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 672                  silicon",
 673 }
 674
 675 @Article{strane96,
 676   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 677                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 678   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 679                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 680   journal =      "J. Appl. Phys.",
 681   volume =       "79",
 682   pages =        "637",
 683   year =         "1996",
 684   month =        jan,
 685   doi =          "10.1063/1.360806",
 686   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 687 }
 688
 689 @Article{laveant2002,
 690   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 691   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 692                  G{\"o}sele",
 693   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 694   volume =       "89",
 695   number =       "1-3",
 696   pages =        "241--245",
 697   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 698   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 699                  stress, avoid sic precipitation",
 700 }
 701
 702 @Article{werner97,
 703   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 704                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 705   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 706                  silicon by transmission electron microscopy",
 707   publisher =    "AIP",
 708   year =         "1997",
 709   journal =      "Applied Physics Letters",
 710   volume =       "70",
 711   number =       "2",
 712   pages =        "252--254",
 713   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 714                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 715                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 716                  layers; precipitation",
 717   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 718   doi =          "10.1063/1.118381",
 719   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 720                  precipitate",
 721 }
 722
 723 @InProceedings{werner96,
 724   author =       "P. Werner and R. Koegler and W. Skorupa and D.
 725                  Eichler",
 726   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 727                  International Conference on",
 728   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 729                  implanted silicon",
 730   year =         "1996",
 731   month =        jun,
 732   volume =       "",
 733   number =       "",
 734   pages =        "675--678",
 735   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 736                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 737                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 738                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 739                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 740                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 741                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 742                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 743                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 744                  interactions;ion implantation;positron
 745                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 746                  annealing;secondary ion mass
 747                  spectra;silicon;transmission electron
 748                  microscopy;vacancies (crystal);",
 749   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 750   ISSN =         "",
 751   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 752 }
 753
 754 @Article{strane94,
 755   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 756                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 757   collaboration = "",
 758   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 759                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 760   publisher =    "AIP",
 761   year =         "1994",
 762   journal =      "Journal of Applied Physics",
 763   volume =       "76",
 764   number =       "6",
 765   pages =        "3656--3668",
 766   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 767   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 768   doi =          "10.1063/1.357429",
 769   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 770 }
 771
 772 @Article{edgar92,
 773   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 774                  semiconductors",
 775   author =       "J. H. Edgar",
 776   journal =      "J. Mater. Res.",
 777   volume =       "7",
 778   pages =        "235",
 779   year =         "1992",
 780   month =        jan,
 781   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 782   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 783                  polytypes",
 784 }
 785
 786 @Article{zirkelbach2007,
 787   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 788                  process leading to ordered precipitate structures",
 789   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 790                  and B. Stritzker",
 791   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 792   volume =       "257",
 793   number =       "1--2",
 794   pages =        "75--79",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2007",
 797   month =        apr,
 798   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 799   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 800                  NETHERLANDS",
 801 }
 802
 803 @Article{zirkelbach2006,
 804   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 805                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 806                  during ion irradiation",
 807   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 808                  and B. Stritzker",
 809   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 810   volume =       "242",
 811   number =       "1--2",
 812   pages =        "679--682",
 813   numpages =     "4",
 814   year =         "2006",
 815   month =        jan,
 816   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 817   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 818                  NETHERLANDS",
 819 }
 820
 821 @Article{zirkelbach2005,
 822   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 823                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 824                  ion irradiation",
 825   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 826                  and B. Stritzker",
 827   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 828   volume =       "33",
 829   number =       "1--3",
 830   pages =        "310--316",
 831   numpages =     "7",
 832   year =         "2005",
 833   month =        apr,
 834   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 835   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 836                  NETHERLANDS",
 837 }
 838
 839 @Article{lindner99,
 840   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 841                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 842                  layers in silicon",
 843   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 844                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 845   volume =       "147",
 846   number =       "1-4",
 847   pages =        "249--255",
 848   year =         "1999",
 849   note =         "",
 850   ISSN =         "0168-583X",
 851   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 852   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 853   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 854   notes =        "two-step implantation process",
 855 }
 856
 857 @Article{lindner99_2,
 858   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 859                  in silicon",
 860   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 861                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 862   volume =       "148",
 863   number =       "1-4",
 864   pages =        "528--533",
 865   year =         "1999",
 866   ISSN =         "0168-583X",
 867   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 868   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 869   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 870   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 871 }
 872
 873 @Article{lindner01,
 874   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 875                  Basic physical processes",
 876   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 877                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 878   volume =       "178",
 879   number =       "1-4",
 880   pages =        "44--54",
 881   year =         "2001",
 882   note =         "",
 883   ISSN =         "0168-583X",
 884   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 886   author =       "Jörg K. N. Lindner",
 887 }
 888
 889 @Article{lindner02,
 890   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 891                  fundamental studies for new technological tricks",
 892   author =       "J. K. N. Lindner",
 893   journal =      "Appl. Phys. A",
 894   volume =       "77",
 895   pages =        "27--38",
 896   year =         "2003",
 897   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 898   notes =        "ibs, burried sic layers",
 899 }
 900
 901 @Article{ito04,
 902   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 903                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 904                  growth",
 905   journal =      "Applied Surface Science",
 906   volume =       "238",
 907   number =       "1-4",
 908   pages =        "159--164",
 909   year =         "2004",
 910   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 911   ISSN =         "0169-4332",
 912   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 913   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 914   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 915                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 916   notes =        "gan on 3c-sic",
 917 }
 918
 919 @Article{alder57,
 920   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 921   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 922   publisher =    "AIP",
 923   year =         "1957",
 924   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 925   volume =       "27",
 926   number =       "5",
 927   pages =        "1208--1209",
 928   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 929   doi =          "10.1063/1.1743957",
 930 }
 931
 932 @Article{alder59,
 933   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 934   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 935   publisher =    "AIP",
 936   year =         "1959",
 937   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 938   volume =       "31",
 939   number =       "2",
 940   pages =        "459--466",
 941   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 942   doi =          "10.1063/1.1730376",
 943 }
 944
 945 @Article{tersoff_si1,
 946   title =        "New empirical model for the structural properties of
 947                  silicon",
 948   author =       "J. Tersoff",
 949   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 950   volume =       "56",
 951   number =       "6",
 952   pages =        "632--635",
 953   numpages =     "3",
 954   year =         "1986",
 955   month =        feb,
 956   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 957   publisher =    "American Physical Society",
 958 }
 959
 960 @Article{tersoff_si2,
 961   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 962                  covalent systems",
 963   author =       "J. Tersoff",
 964   journal =      "Phys. Rev. B",
 965   volume =       "37",
 966   number =       "12",
 967   pages =        "6991--7000",
 968   numpages =     "9",
 969   year =         "1988",
 970   month =        apr,
 971   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 972   publisher =    "American Physical Society",
 973 }
 974
 975 @Article{tersoff_si3,
 976   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 977                  improved elastic properties",
 978   author =       "J. Tersoff",
 979   journal =      "Phys. Rev. B",
 980   volume =       "38",
 981   number =       "14",
 982   pages =        "9902--9905",
 983   numpages =     "3",
 984   year =         "1988",
 985   month =        nov,
 986   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 987   publisher =    "American Physical Society",
 988 }
 989
 990 @Article{tersoff_c,
 991   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 992                  Applications to Amorphous Carbon",
 993   author =       "J. Tersoff",
 994   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 995   volume =       "61",
 996   number =       "25",
 997   pages =        "2879--2882",
 998   numpages =     "3",
 999   year =         "1988",
1000   month =        dec,
1001   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1002   publisher =    "American Physical Society",
1003 }
1004
1005 @Article{tersoff_m,
1006   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1007                  for multicomponent systems",
1008   author =       "J. Tersoff",
1009   journal =      "Phys. Rev. B",
1010   volume =       "39",
1011   number =       "8",
1012   pages =        "5566--5568",
1013   numpages =     "2",
1014   year =         "1989",
1015   month =        mar,
1016   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1017   publisher =    "American Physical Society",
1018 }
1019
1020 @Article{tersoff90,
1021   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1022   author =       "J. Tersoff",
1023   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1024   volume =       "64",
1025   number =       "15",
1026   pages =        "1757--1760",
1027   numpages =     "3",
1028   year =         "1990",
1029   month =        apr,
1030   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1031   publisher =    "American Physical Society",
1032 }
1033
1034 @Article{fahey89,
1035   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1036   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1037   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1038   volume =       "61",
1039   number =       "2",
1040   pages =        "289--384",
1041   numpages =     "95",
1042   year =         "1989",
1043   month =        apr,
1044   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1045   publisher =    "American Physical Society",
1046 }
1047
1048 @Article{wesch96,
1049   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1050   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1051                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1052   volume =       "116",
1053   number =       "1-4",
1054   pages =        "305--321",
1055   year =         "1996",
1056   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1057   ISSN =         "0168-583X",
1058   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1059   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1060   author =       "W. Wesch",
1061 }
1062
1063 @Article{morkoc94,
1064   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1065                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1068                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1994",
1071   journal =      "Journal of Applied Physics",
1072   volume =       "76",
1073   number =       "3",
1074   pages =        "1363--1398",
1075   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1076                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1077                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1078                  FILMS; INDUSTRY",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358463",
1081 }
1082
1083 @Article{foo,
1084   author =       "Noch Unbekannt",
1085   title =        "How to find references",
1086   journal =      "Journal of Applied References",
1087   year =         "2009",
1088   volume =       "77",
1089   pages =        "1--23",
1090 }
1091
1092 @Article{tang95,
1093   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1094                  \beta{}-Si{C}",
1095   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1096   journal =      "Phys. Rev. B",
1097   volume =       "52",
1098   number =       "21",
1099   pages =        "15150--15159",
1100   numpages =     "9",
1101   year =         "1995",
1102   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1103   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1104                  tersoff reparametrization",
1105   publisher =    "American Physical Society",
1106 }
1107
1108 @Article{sarro00,
1109   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1110   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1111   volume =       "82",
1112   number =       "1-3",
1113   pages =        "210--218",
1114   year =         "2000",
1115   ISSN =         "0924-4247",
1116   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1118   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1119   keywords =     "MEMS",
1120   keywords =     "Silicon carbide",
1121   keywords =     "Micromachining",
1122   keywords =     "Mechanical stress",
1123 }
1124
1125 @Article{casady96,
1126   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1127                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1128                  review",
1129   journal =      "Solid-State Electronics",
1130   volume =       "39",
1131   number =       "10",
1132   pages =        "1409--1422",
1133   year =         "1996",
1134   ISSN =         "0038-1101",
1135   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1136   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1137   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1138 }
1139
1140 @Article{giancarli98,
1141   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1142                  structural material in fusion power reactor blankets",
1143   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1144   volume =       "41",
1145   number =       "1-4",
1146   pages =        "165--171",
1147   year =         "1998",
1148   ISSN =         "0920-3796",
1149   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1150   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1151   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1152                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1153 }
1154
1155 @Article{pensl93,
1156   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1157   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1158   volume =       "185",
1159   number =       "1-4",
1160   pages =        "264--283",
1161   year =         "1993",
1162   ISSN =         "0921-4526",
1163   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1164   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1165   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1166 }
1167
1168 @Article{tairov78,
1169   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1170                  carbide single crystals",
1171   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1172   volume =       "43",
1173   number =       "2",
1174   pages =        "209--212",
1175   year =         "1978",
1176   notes =        "modifief lely process",
1177   ISSN =         "0022-0248",
1178   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1179   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1180   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1181 }
1182
1183 @Article{nishino83,
1184   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1185                  Will",
1186   collaboration = "",
1187   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1188                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1189   publisher =    "AIP",
1190   year =         "1983",
1191   journal =      "Applied Physics Letters",
1192   volume =       "42",
1193   number =       "5",
1194   pages =        "460--462",
1195   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1196                  monocrystals",
1197   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1198   doi =          "10.1063/1.93970",
1199   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1200 }
1201
1202 @Article{nishino87,
1203   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1204                  and Hiroyuki Matsunami",
1205   collaboration = "",
1206   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1207                  Si{C} on silicon",
1208   publisher =    "AIP",
1209   year =         "1987",
1210   journal =      "Journal of Applied Physics",
1211   volume =       "61",
1212   number =       "10",
1213   pages =        "4889--4893",
1214   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1215   doi =          "10.1063/1.338355",
1216   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1217                  carbonization",
1218 }
1219
1220 @Article{powell87,
1221   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1222                  Kuczmarski",
1223   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1224                  Single-Crystal Films on Si",
1225   publisher =    "ECS",
1226   year =         "1987",
1227   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1228   volume =       "134",
1229   number =       "6",
1230   pages =        "1558--1565",
1231   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1232                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1233   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1234   doi =          "10.1149/1.2100708",
1235   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1236 }
1237
1238 @Article{kimoto93,
1239   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1240                  and Hiroyuki Matsunami",
1241   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1242                  epitaxy",
1243   publisher =    "AIP",
1244   year =         "1993",
1245   journal =      "Journal of Applied Physics",
1246   volume =       "73",
1247   number =       "2",
1248   pages =        "726--732",
1249   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1250                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1251                  VAPOR DEPOSITION",
1252   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1253   doi =          "10.1063/1.353329",
1254   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1255 }
1256
1257 @Article{powell90,
1258   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1259                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1260                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1261   collaboration = "",
1262   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1263                  6{H}-Si{C} substrates",
1264   publisher =    "AIP",
1265   year =         "1990",
1266   journal =      "Applied Physics Letters",
1267   volume =       "56",
1268   number =       "14",
1269   pages =        "1353--1355",
1270   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1271                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1272                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1273                  PHASE EPITAXY",
1274   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1275   doi =          "10.1063/1.102512",
1276   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yuan95,
1280   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1281                  Thokala and M. J. Loboda",
1282   collaboration = "",
1283   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1284                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1285                  silacyclobutane",
1286   publisher =    "AIP",
1287   year =         "1995",
1288   journal =      "Journal of Applied Physics",
1289   volume =       "78",
1290   number =       "2",
1291   pages =        "1271--1273",
1292   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1293                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1294                  SPECTROPHOTOMETRY",
1295   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1296   doi =          "10.1063/1.360368",
1297   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1298 }
1299
1300 @Article{fissel95,
1301   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1302                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1303                  molecular beam epitaxy",
1304   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1305   volume =       "154",
1306   number =       "1-2",
1307   pages =        "72--80",
1308   year =         "1995",
1309   ISSN =         "0022-0248",
1310   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1311   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1312   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
1313                  and W. Richter",
1314   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1315 }
1316
1317 @Article{fissel95_apl,
1318   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1319   collaboration = "",
1320   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1321                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1322   publisher =    "AIP",
1323   year =         "1995",
1324   journal =      "Applied Physics Letters",
1325   volume =       "66",
1326   number =       "23",
1327   pages =        "3182--3184",
1328   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1329                  RHEED; NUCLEATION",
1330   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1331   doi =          "10.1063/1.113716",
1332   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1333 }
1334
1335 @Article{borders71,
1336   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1337   collaboration = "",
1338   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1339                  {IMPLANTATION}",
1340   publisher =    "AIP",
1341   year =         "1971",
1342   journal =      "Applied Physics Letters",
1343   volume =       "18",
1344   number =       "11",
1345   pages =        "509--511",
1346   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1347   doi =          "10.1063/1.1653516",
1348   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1349                  ideas",
1350 }
1351
1352 @Article{reeson87,
1353   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1354                  J. Davis and G. E. Celler",
1355   collaboration = "",
1356   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1357                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1358   publisher =    "AIP",
1359   year =         "1987",
1360   journal =      "Applied Physics Letters",
1361   volume =       "51",
1362   number =       "26",
1363   pages =        "2242--2244",
1364   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1365                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1366   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1367   doi =          "10.1063/1.98953",
1368   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1369 }
1370
1371 @Article{scace59,
1372   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1373   collaboration = "",
1374   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1375   publisher =    "AIP",
1376   year =         "1959",
1377   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1378   volume =       "30",
1379   number =       "6",
1380   pages =        "1551--1555",
1381   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1382   doi =          "10.1063/1.1730236",
1383   notes =        "solubility of c in c-si",
1384 }
1385
1386 @Article{cowern96,
1387   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1388                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1389   collaboration = "",
1390   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1391                  {B} in silicon",
1392   publisher =    "AIP",
1393   year =         "1996",
1394   journal =      "Applied Physics Letters",
1395   volume =       "68",
1396   number =       "8",
1397   pages =        "1150--1152",
1398   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1399                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1400                  SILICON",
1401   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1402   doi =          "10.1063/1.115706",
1403   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1404 }
1405
1406 @Article{stolk95,
1407   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1408                  of the silicon self-interstitial",
1409   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1410                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1411   volume =       "96",
1412   number =       "1-2",
1413   pages =        "187--195",
1414   year =         "1995",
1415   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1416                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1417   ISSN =         "0168-583X",
1418   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1419   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1420   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1421                  and J. M. Poate",
1422 }
1423
1424 @Article{stolk97,
1425   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1426                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1427                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1428                  E. Haynes",
1429   collaboration = "",
1430   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1431                  diffusion in ion-implanted silicon",
1432   publisher =    "AIP",
1433   year =         "1997",
1434   journal =      "Journal of Applied Physics",
1435   volume =       "81",
1436   number =       "9",
1437   pages =        "6031--6050",
1438   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1439   doi =          "10.1063/1.364452",
1440   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1441 }
1442
1443 @Article{powell94,
1444   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1445   collaboration = "",
1446   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1447                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1448   publisher =    "AIP",
1449   year =         "1994",
1450   journal =      "Applied Physics Letters",
1451   volume =       "64",
1452   number =       "3",
1453   pages =        "324--326",
1454   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1455                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1456                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1457                  SYNTHESIS",
1458   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1459   doi =          "10.1063/1.111195",
1460   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1461 }
1462
1463 @Article{soref91,
1464   author =       "Richard A. Soref",
1465   collaboration = "",
1466   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1467                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1468   publisher =    "AIP",
1469   year =         "1991",
1470   journal =      "Journal of Applied Physics",
1471   volume =       "70",
1472   number =       "4",
1473   pages =        "2470--2472",
1474   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1475                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1476                  TERNARY ALLOYS",
1477   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1478   doi =          "10.1063/1.349403",
1479   notes =        "band gap of strained si by c",
1480 }
1481
1482 @Article{kasper91,
1483   author =       "E Kasper",
1484   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1485                  possibility to produce direct band gap material",
1486   journal =      "Physica Scripta",
1487   volume =       "T35",
1488   pages =        "232--236",
1489   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1490   year =         "1991",
1491   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1492                  quasi-direct one",
1493 }
1494
1495 @Article{osten99,
1496   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1497   collaboration = "",
1498   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1499                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1500                  molecular beam epitaxy",
1501   publisher =    "AIP",
1502   year =         "1999",
1503   journal =      "Applied Physics Letters",
1504   volume =       "74",
1505   number =       "6",
1506   pages =        "836--838",
1507   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1508                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1509                  compounds",
1510   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1511   doi =          "10.1063/1.123384",
1512   notes =        "substitutional c in si",
1513 }
1514
1515 @Article{hohenberg64,
1516   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1517   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1518   journal =      "Phys. Rev.",
1519   volume =       "136",
1520   number =       "3B",
1521   pages =        "B864--B871",
1522   numpages =     "7",
1523   year =         "1964",
1524   month =        nov,
1525   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1526   publisher =    "American Physical Society",
1527   notes =        "density functional theory, dft",
1528 }
1529
1530 @Article{kohn65,
1531   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1532                  Correlation Effects",
1533   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1534   journal =      "Phys. Rev.",
1535   volume =       "140",
1536   number =       "4A",
1537   pages =        "A1133--A1138",
1538   numpages =     "5",
1539   year =         "1965",
1540   month =        nov,
1541   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1542   publisher =    "American Physical Society",
1543   notes =        "dft, exchange and correlation",
1544 }
1545
1546 @Article{ruecker94,
1547   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1548                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1549   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1550                  J. Osten",
1551   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1552   volume =       "72",
1553   number =       "22",
1554   pages =        "3578--3581",
1555   numpages =     "3",
1556   year =         "1994",
1557   month =        may,
1558   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1559   publisher =    "American Physical Society",
1560   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1561                  si, dft",
1562 }
1563
1564 @Article{chang05,
1565   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1566                  Alloy",
1567   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1568   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1569   volume =       "44",
1570   number =       "4B",
1571   pages =        "2257--2262",
1572   numpages =     "5",
1573   year =         "2005",
1574   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1575   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1576   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1577   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1578 }
1579
1580 @Article{osten97,
1581   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1582   collaboration = "",
1583   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1584                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1585                  Si(001)",
1586   publisher =    "AIP",
1587   year =         "1997",
1588   journal =      "Journal of Applied Physics",
1589   volume =       "82",
1590   number =       "10",
1591   pages =        "4977--4981",
1592   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1593                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1594                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1595   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1596   doi =          "10.1063/1.366364",
1597   notes =        "charge transport in strained si",
1598 }
1599
1600 @Article{kapur04,
1601   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1602                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1603   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1604   journal =      "Phys. Rev. B",
1605   volume =       "69",
1606   number =       "15",
1607   pages =        "155214",
1608   numpages =     "8",
1609   year =         "2004",
1610   month =        apr,
1611   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1612   publisher =    "American Physical Society",
1613   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1614 }
1615
1616 @Article{barkema96,
1617   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1618                  Systems",
1619   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1620   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1621   volume =       "77",
1622   number =       "21",
1623   pages =        "4358--4361",
1624   numpages =     "3",
1625   year =         "1996",
1626   month =        nov,
1627   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1628   publisher =    "American Physical Society",
1629   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1630                  dynamic mds",
1631 }
1632
1633 @Article{cances09,
1634   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1635                  Minoukadeh and F. Willaime",
1636   collaboration = "",
1637   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1638                  technique method for finding transition pathways on
1639                  potential energy surfaces",
1640   publisher =    "AIP",
1641   year =         "2009",
1642   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1643   volume =       "130",
1644   number =       "11",
1645   eid =          "114711",
1646   numpages =     "6",
1647   pages =        "114711",
1648   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1649                  surfaces; vacancies (crystal)",
1650   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1651   doi =          "10.1063/1.3088532",
1652   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1653                  transition pathways",
1654 }
1655
1656 @Article{parrinello81,
1657   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1658   collaboration = "",
1659   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1660                  molecular dynamics method",
1661   publisher =    "AIP",
1662   year =         "1981",
1663   journal =      "Journal of Applied Physics",
1664   volume =       "52",
1665   number =       "12",
1666   pages =        "7182--7190",
1667   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1668                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1669                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1670                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1671                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1672                  IMPACT SHOCK",
1673   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1674   doi =          "10.1063/1.328693",
1675 }
1676
1677 @Article{stillinger85,
1678   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1679                  of silicon",
1680   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1681   journal =      "Phys. Rev. B",
1682   volume =       "31",
1683   number =       "8",
1684   pages =        "5262--5271",
1685   numpages =     "9",
1686   year =         "1985",
1687   month =        apr,
1688   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1689   publisher =    "American Physical Society",
1690 }
1691
1692 @Article{brenner90,
1693   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1694                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1695                  films",
1696   author =       "Donald W. Brenner",
1697   journal =      "Phys. Rev. B",
1698   volume =       "42",
1699   number =       "15",
1700   pages =        "9458--9471",
1701   numpages =     "13",
1702   year =         "1990",
1703   month =        nov,
1704   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1705   publisher =    "American Physical Society",
1706   notes =        "brenner hydro carbons",
1707 }
1708
1709 @Article{bazant96,
1710   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1711                  Cohesive Energy Curves",
1712   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1713   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1714   volume =       "77",
1715   number =       "21",
1716   pages =        "4370--4373",
1717   numpages =     "3",
1718   year =         "1996",
1719   month =        nov,
1720   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1721   publisher =    "American Physical Society",
1722   notes =        "first si edip",
1723 }
1724
1725 @Article{bazant97,
1726   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1727                  silicon",
1728   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1729                  Justo",
1730   journal =      "Phys. Rev. B",
1731   volume =       "56",
1732   number =       "14",
1733   pages =        "8542--8552",
1734   numpages =     "10",
1735   year =         "1997",
1736   month =        oct,
1737   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1738   publisher =    "American Physical Society",
1739   notes =        "second si edip",
1740 }
1741
1742 @Article{justo98,
1743   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1744                  disordered phases",
1745   author =       "Jo\~ao F. Justo and Martin Z. Bazant and Efthimios
1746                  Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1747   journal =      "Phys. Rev. B",
1748   volume =       "58",
1749   number =       "5",
1750   pages =        "2539--2550",
1751   numpages =     "11",
1752   year =         "1998",
1753   month =        aug,
1754   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1755   publisher =    "American Physical Society",
1756   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1757 }
1758
1759 @Article{parcas_md,
1760   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1761   author =       "K. Nordlund",
1762   year =         "2008",
1763 }
1764
1765 @Article{voter97,
1766   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1767                  Infrequent Events",
1768   author =       "Arthur F. Voter",
1769   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1770   volume =       "78",
1771   number =       "20",
1772   pages =        "3908--3911",
1773   numpages =     "3",
1774   year =         "1997",
1775   month =        may,
1776   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1777   publisher =    "American Physical Society",
1778   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1779 }
1780
1781 @Article{voter97_2,
1782   author =       "Arthur F. Voter",
1783   collaboration = "",
1784   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1785                  simulation of infrequent events",
1786   publisher =    "AIP",
1787   year =         "1997",
1788   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1789   volume =       "106",
1790   number =       "11",
1791   pages =        "4665--4677",
1792   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1793                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1794                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1795                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1796                  theory; potential energy surfaces",
1797   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1798   doi =          "10.1063/1.473503",
1799   notes =        "improved hyperdynamics md",
1800 }
1801
1802 @Article{sorensen2000,
1803   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1804   collaboration = "",
1805   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1806                  infrequent events",
1807   publisher =    "AIP",
1808   year =         "2000",
1809   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1810   volume =       "112",
1811   number =       "21",
1812   pages =        "9599--9606",
1813   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1814                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1815   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1816   doi =          "10.1063/1.481576",
1817   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1818 }
1819
1820 @Article{voter98,
1821   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1822                  events",
1823   author =       "Arthur F. Voter",
1824   journal =      "Phys. Rev. B",
1825   volume =       "57",
1826   number =       "22",
1827   pages =        "R13985--R13988",
1828   numpages =     "3",
1829   year =         "1998",
1830   month =        jun,
1831   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1832   publisher =    "American Physical Society",
1833   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1834 }
1835
1836 @Article{wu99,
1837   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1838   collaboration = "",
1839   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1840                  simulation",
1841   publisher =    "AIP",
1842   year =         "1999",
1843   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1844   volume =       "110",
1845   number =       "19",
1846   pages =        "9401--9410",
1847   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1848                  potential; crystallisation; liquid theory",
1849   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1850   doi =          "10.1063/1.478948",
1851   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1852                  systematic motion",
1853 }
1854
1855 @Article{choudhary05,
1856   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1857   collaboration = "",
1858   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1859                  to the production of amorphous silicon",
1860   publisher =    "AIP",
1861   year =         "2005",
1862   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1863   volume =       "122",
1864   number =       "15",
1865   eid =          "154509",
1866   numpages =     "8",
1867   pages =        "154509",
1868   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1869                  amorphous semiconductors",
1870   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1871   doi =          "10.1063/1.1878733",
1872   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1873                  silicon",
1874 }
1875
1876 @Article{taylor93,
1877   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1878   collaboration = "",
1879   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1880                  difficult?",
1881   publisher =    "AIP",
1882   year =         "1993",
1883   journal =      "Applied Physics Letters",
1884   volume =       "62",
1885   number =       "25",
1886   pages =        "3336--3338",
1887   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1888                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1889                  ENERGY",
1890   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1891   doi =          "10.1063/1.109063",
1892   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1893 }
1894
1895 @Article{chaussende08,
1896   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1897   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1898   volume =       "310",
1899   number =       "5",
1900   pages =        "976--981",
1901   year =         "2008",
1902   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1903                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1904   ISSN =         "0022-0248",
1905   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1906   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1907   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1908                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1909                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1910                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1911   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1912                  metastable",
1913 }
1914
1915 @Article{feynman39,
1916   title =        "Forces in Molecules",
1917   author =       "R. P. Feynman",
1918   journal =      "Phys. Rev.",
1919   volume =       "56",
1920   number =       "4",
1921   pages =        "340--343",
1922   numpages =     "3",
1923   year =         "1939",
1924   month =        aug,
1925   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1926   publisher =    "American Physical Society",
1927   notes =        "hellmann feynman forces",
1928 }
1929
1930 @Article{buczko00,
1931   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1932                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1933                  their Contrasting Properties",
1934   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1935                  T. Pantelides",
1936   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1937   volume =       "84",
1938   number =       "5",
1939   pages =        "943--946",
1940   numpages =     "3",
1941   year =         "2000",
1942   month =        jan,
1943   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1944   publisher =    "American Physical Society",
1945   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1946 }
1947
1948 @Article{djurabekova08,
1949   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1950                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1951   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1952   journal =      "Phys. Rev. B",
1953   volume =       "77",
1954   number =       "11",
1955   pages =        "115325",
1956   numpages =     "7",
1957   year =         "2008",
1958   month =        mar,
1959   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1960   publisher =    "American Physical Society",
1961   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1962                  angular distribution, coordination",
1963 }
1964
1965 @Article{wen09,
1966   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1967                  W. Liang and J. Zou",
1968   collaboration = "",
1969   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1970                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1971                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1972   publisher =    "AIP",
1973   year =         "2009",
1974   journal =      "Journal of Applied Physics",
1975   volume =       "106",
1976   number =       "7",
1977   eid =          "073522",
1978   numpages =     "8",
1979   pages =        "073522",
1980   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1981                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1982                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1983                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1984   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1985   doi =          "10.1063/1.3234380",
1986   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1987                  deconvolution, dislocation defects",
1988 }
1989
1990 @Article{kitabatake93,
1991   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1992                  Hirao",
1993   collaboration = "",
1994   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1995                  growth on Si(001) surface",
1996   publisher =    "AIP",
1997   year =         "1993",
1998   journal =      "Journal of Applied Physics",
1999   volume =       "74",
2000   number =       "7",
2001   pages =        "4438--4445",
2002   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2003                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2004                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2005   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2006   doi =          "10.1063/1.354385",
2007   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2008                  model, interface",
2009 }
2010
2011 @Article{pizzagalli03,
2012   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2013                  interface: Si{C}/Si(001)",
2014   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2015                  Catellani",
2016   journal =      "Phys. Rev. B",
2017   volume =       "68",
2018   number =       "19",
2019   pages =        "195302",
2020   numpages =     "10",
2021   year =         "2003",
2022   month =        nov,
2023   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2024   publisher =    "American Physical Society",
2025   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2026 }
2027
2028 @Article{tang07,
2029   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2030                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2031                  electron microscopy",
2032   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2033                  H. Zheng and J. W. Liang",
2034   journal =      "Phys. Rev. B",
2035   volume =       "75",
2036   number =       "18",
2037   pages =        "184103",
2038   numpages =     "7",
2039   year =         "2007",
2040   month =        may,
2041   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2042   publisher =    "American Physical Society",
2043   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2044                  si and c",
2045 }
2046
2047 @Article{hornstra58,
2048   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2049   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2050   volume =       "5",
2051   number =       "1-2",
2052   pages =        "129--141",
2053   year =         "1958",
2054   note =         "",
2055   ISSN =         "0022-3697",
2056   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2057   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2058   author =       "J. Hornstra",
2059   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2060 }
2061
2062 @Article{eichhorn99,
2063   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2064                  K{\"{o}}gler",
2065   collaboration = "",
2066   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2067                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2068                  synchrotron x-ray diffraction",
2069   publisher =    "AIP",
2070   year =         "1999",
2071   journal =      "Journal of Applied Physics",
2072   volume =       "86",
2073   number =       "8",
2074   pages =        "4184--4187",
2075   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2076                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2077                  precipitation; semiconductor doping",
2078   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2079   doi =          "10.1063/1.371344",
2080   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2081                  carbon",
2082 }
2083
2084 @Article{eichhorn02,
2085   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2086                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2087   collaboration = "",
2088   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2089                  carbon ion implantation",
2090   publisher =    "AIP",
2091   year =         "2002",
2092   journal =      "Journal of Applied Physics",
2093   volume =       "91",
2094   number =       "3",
2095   pages =        "1287--1292",
2096   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2097                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2098                  electron microscopy",
2099   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2100   doi =          "10.1063/1.1428105",
2101   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2102                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2103 }
2104
2105 @Article{lucas10,
2106   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2107   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2108                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2109                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2110                  amorphous structures",
2111   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2112   volume =       "22",
2113   number =       "3",
2114   pages =        "035802",
2115   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2116   year =         "2010",
2117   notes =        "edip sic",
2118 }
2119
2120 @Article{godet03,
2121   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2122                  Beauchamp",
2123   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2124                  methods for silicon under large shear",
2125   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2126   volume =       "15",
2127   number =       "41",
2128   pages =        "6943",
2129   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2130   year =         "2003",
2131   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2132                  edip, tersoff, ab initio",
2133 }
2134
2135 @Article{moriguchi98,
2136   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2137                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2138   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2139   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2140   volume =       "37",
2141   number =       "Part 1, No. 2",
2142   pages =        "414--422",
2143   numpages =     "8",
2144   year =         "1998",
2145   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2146   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2147   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2148   notes =        "tersoff stringent test",
2149 }
2150
2151 @Article{holmstroem08,
2152   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2153                  density functional theory molecular dynamics
2154                  simulations",
2155   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2156   journal =      "Phys. Rev. B",
2157   volume =       "78",
2158   number =       "4",
2159   pages =        "045202",
2160   numpages =     "6",
2161   year =         "2008",
2162   month =        jul,
2163   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2164   publisher =    "American Physical Society",
2165   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2166                  initio",
2167 }
2168
2169 @Article{nordlund97,
2170   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2171                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2172   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2173                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2174   volume =       "132",
2175   number =       "1",
2176   pages =        "45--54",
2177   year =         "1997",
2178   note =         "",
2179   ISSN =         "0168-583X",
2180   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2181   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2182   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2183   notes =        "repulsive ab initio potential",
2184 }
2185
2186 @Article{kresse96,
2187   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2188                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2189                  set",
2190   journal =      "Computational Materials Science",
2191   volume =       "6",
2192   number =       "1",
2193   pages =        "15--50",
2194   year =         "1996",
2195   note =         "",
2196   ISSN =         "0927-0256",
2197   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2198   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2199   author =       "G. Kresse and J. Furthmüller",
2200   notes =        "vasp ref",
2201 }
2202
2203 @Article{bloechl94,
2204   title =        "Projector augmented-wave method",
2205   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2206   journal =      "Phys. Rev. B",
2207   volume =       "50",
2208   number =       "24",
2209   pages =        "17953--17979",
2210   numpages =     "26",
2211   year =         "1994",
2212   month =        dec,
2213   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2214   publisher =    "American Physical Society",
2215   notes =        "paw method",
2216 }
2217
2218 @Article{hamann79,
2219   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2220   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2221   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2222   volume =       "43",
2223   number =       "20",
2224   pages =        "1494--1497",
2225   numpages =     "3",
2226   year =         "1979",
2227   month =        nov,
2228   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2229   publisher =    "American Physical Society",
2230   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2231 }
2232
2233 @Article{vanderbilt90,
2234   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2235                  eigenvalue formalism",
2236   author =       "David Vanderbilt",
2237   journal =      "Phys. Rev. B",
2238   volume =       "41",
2239   number =       "11",
2240   pages =        "7892--7895",
2241   numpages =     "3",
2242   year =         "1990",
2243   month =        apr,
2244   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2245   publisher =    "American Physical Society",
2246   notes =        "vasp pseudopotentials",
2247 }
2248
2249 @Article{perdew86,
2250   title =        "Accurate and simple density functional for the
2251                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2252                  approximation",
2253   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2254   journal =      "Phys. Rev. B",
2255   volume =       "33",
2256   number =       "12",
2257   pages =        "8800--8802",
2258   numpages =     "2",
2259   year =         "1986",
2260   month =        jun,
2261   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2262   publisher =    "American Physical Society",
2263   notes =        "rapid communication gga",
2264 }
2265
2266 @Article{perdew02,
2267   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2268                  correlation: {A} look backward and forward",
2269   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2270   volume =       "172",
2271   number =       "1-2",
2272   pages =        "1--6",
2273   year =         "1991",
2274   note =         "",
2275   ISSN =         "0921-4526",
2276   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2277   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2278   author =       "John P. Perdew",
2279   notes =        "gga overview",
2280 }
2281
2282 @Article{perdew92,
2283   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2284                  of the generalized gradient approximation for exchange
2285                  and correlation",
2286   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2287                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2288                  and Carlos Fiolhais",
2289   journal =      "Phys. Rev. B",
2290   volume =       "46",
2291   number =       "11",
2292   pages =        "6671--6687",
2293   numpages =     "16",
2294   year =         "1992",
2295   month =        sep,
2296   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2297   publisher =    "American Physical Society",
2298   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2299 }
2300
2301 @Article{baldereschi73,
2302   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2303   author =       "A. Baldereschi",
2304   journal =      "Phys. Rev. B",
2305   volume =       "7",
2306   number =       "12",
2307   pages =        "5212--5215",
2308   numpages =     "3",
2309   year =         "1973",
2310   month =        jun,
2311   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2312   publisher =    "American Physical Society",
2313   notes =        "mean value k point",
2314 }
2315
2316 @Article{zhu98,
2317   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2318                  diffusion in Si",
2319   journal =      "Computational Materials Science",
2320   volume =       "12",
2321   number =       "4",
2322   pages =        "309--318",
2323   year =         "1998",
2324   note =         "",
2325   ISSN =         "0927-0256",
2326   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2327   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2328   author =       "Jing Zhu",
2329   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2330   keywords =     "Boron dopant",
2331   keywords =     "Carbon dopant",
2332   keywords =     "Defect",
2333   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2334   keywords =     "Impurity cluster",
2335   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2336 }
2337
2338 @Article{nejim95,
2339   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2340   collaboration = "",
2341   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2342                  950 [degree]{C}",
2343   publisher =    "AIP",
2344   year =         "1995",
2345   journal =      "Applied Physics Letters",
2346   volume =       "66",
2347   number =       "20",
2348   pages =        "2646--2648",
2349   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2350                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2351                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2352                  ELECTRON MICROSCOPY",
2353   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2354   doi =          "10.1063/1.113112",
2355   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2356                  self interstitials react with further implanted c",
2357 }
2358
2359 @Article{guedj98,
2360   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2361                  Kolodzey and A. Hairie",
2362   collaboration = "",
2363   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2364                  alloys",
2365   publisher =    "AIP",
2366   year =         "1998",
2367   journal =      "Journal of Applied Physics",
2368   volume =       "84",
2369   number =       "8",
2370   pages =        "4631--4633",
2371   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2372                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2373                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2374                  annealing",
2375   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2376   doi =          "10.1063/1.368703",
2377   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic",
2378 }
2379
2380 @Article{jones04,
2381   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2382   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2383                  semiconductors",
2384   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2385   volume =       "16",
2386   number =       "27",
2387   pages =        "S2643",
2388   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2389   year =         "2004",
2390   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2391 }
2392
2393 @Article{park02,
2394   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2395                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2396                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2397   collaboration = "",
2398   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2399                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2400                  molecular-beam epitaxy",
2401   publisher =    "AIP",
2402   year =         "2002",
2403   journal =      "Journal of Applied Physics",
2404   volume =       "91",
2405   number =       "9",
2406   pages =        "5716--5727",
2407   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2408   doi =          "10.1063/1.1465122",
2409   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2410 }
2411
2412 @Article{leary97,
2413   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2414                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2415   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2416                  Torres",
2417   journal =      "Phys. Rev. B",
2418   volume =       "55",
2419   number =       "4",
2420   pages =        "2188--2194",
2421   numpages =     "6",
2422   year =         "1997",
2423   month =        jan,
2424   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2425   publisher =    "American Physical Society",
2426   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2427                  energies",
2428 }
2429
2430 @Article{burnard93,
2431   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2432                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2433                  calculations",
2434   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2435   journal =      "Phys. Rev. B",
2436   volume =       "47",
2437   number =       "16",
2438   pages =        "10217--10225",
2439   numpages =     "8",
2440   year =         "1993",
2441   month =        apr,
2442   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2443   publisher =    "American Physical Society",
2444   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2445                  carbon defect, formation energies",
2446 }
2447
2448 @Article{kaxiras96,
2449   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2450                  and growth on semiconductors",
2451   journal =      "Computational Materials Science",
2452   volume =       "6",
2453   number =       "2",
2454   pages =        "158--172",
2455   year =         "1996",
2456   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2457                  Epitaxy",
2458   ISSN =         "0927-0256",
2459   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2460   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2461   author =       "Efthimios Kaxiras",
2462   notes =        "might contain c 100 db formation energy",
2463 }