bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{moissan04,
 186   author =       "Henri Moissan",
 187   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 188                  Diablo",
 189   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 190   volume =       "139",
 191   pages =        "773--786",
 192   year =         "1904",
 193 }
 194
 195 @Book{park98,
 196   author =       "Y. S. Park",
 197   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 198   publisher =    "Academic Press",
 199   address =      "San Diego",
 200   year =         "1998",
 201 }
 202
 203 @Article{tsvetkov98,
 204   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 205                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 206   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 207   journal =      "Materials Science Forum",
 208   volume =       "264-268",
 209   pages =        "3--8",
 210   year =         "1998",
 211   notes =        "modified lely process, micropipes",
 212 }
 213
 214 @Article{verlet67,
 215   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 216                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 217   author =       "Loup Verlet",
 218   journal =      "Phys. Rev.",
 219   volume =       "159",
 220   number =       "1",
 221   pages =        "98",
 222   year =         "1967",
 223   month =        jul,
 224   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 227                  motion",
 228 }
 229
 230 @Article{berendsen84,
 231   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 232                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 233   collaboration = "",
 234   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 235   publisher =    "AIP",
 236   year =         "1984",
 237   journal =      "J. Chem. Phys.",
 238   volume =       "81",
 239   number =       "8",
 240   pages =        "3684--3690",
 241   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 242                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 244   doi =          "10.1063/1.448118",
 245   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 246 }
 247
 248 @Article{huang95,
 249   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 250                  Baskes",
 251   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 252                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 253                  potentials",
 254   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 255   volume =       "3",
 256   number =       "5",
 257   pages =        "615--627",
 258   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 259   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 260                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 261   year =         "1995",
 262 }
 263
 264 @Article{brenner89,
 265   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 266                  Tersoff potentials",
 267   author =       "Donald W. Brenner",
 268   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 269   volume =       "63",
 270   number =       "9",
 271   pages =        "1022",
 272   numpages =     "1",
 273   year =         "1989",
 274   month =        aug,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 278 }
 279
 280 @Article{batra87,
 281   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 282                  silicon",
 283   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "35",
 286   number =       "18",
 287   pages =        "9552--9558",
 288   numpages =     "6",
 289   year =         "1987",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 294                  calculation of defect formation energy, defect
 295                  interstitial types",
 296 }
 297
 298 @Article{schober89,
 299   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 300   author =       "H. R. Schober",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "39",
 303   number =       "17",
 304   pages =        "13013--13015",
 305   numpages =     "2",
 306   year =         "1989",
 307   month =        jun,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 311                  dumbbell configuration",
 312 }
 313
 314 @Article{gao02a,
 315   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 316                  Defect accumulation, topological features, and
 317                  disordering",
 318   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 319   journal =      "Phys. Rev. B",
 320   volume =       "66",
 321   number =       "2",
 322   pages =        "024106",
 323   numpages =     "10",
 324   year =         "2002",
 325   month =        jul,
 326   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 327   publisher =    "American Physical Society",
 328   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 329                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 330                  result analyze",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98,
 334   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 335                  cascade in Si{C}",
 336   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 337   volume =       "141",
 338   number =       "1-4",
 339   pages =        "118--122",
 340   year =         "1998",
 341   ISSN =         "0168-583X",
 342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 343   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 344                  Rubia",
 345   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 346                  3c-sic",
 347 }
 348
 349 @Article{devanathan98_2,
 350   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 351   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 352   volume =       "253",
 353   number =       "1-3",
 354   pages =        "47--52",
 355   year =         "1998",
 356   ISSN =         "0022-3115",
 357   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 358   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 359                  Weber",
 360   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 361                  tersoff",
 362 }
 363
 364 @Article{kitabatake00,
 365   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 366   author =       "M. Kitabatake",
 367   journal =      "Thin Solid Films",
 368   volume =       "369",
 369   pages =        "257--264",
 370   numpages =     "8",
 371   year =         "2000",
 372   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 373 }
 374
 375 @Article{tang97,
 376   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 377                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 378                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 379                  formation volumes",
 380   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 381                  Rubia",
 382   journal =      "Phys. Rev. B",
 383   volume =       "55",
 384   number =       "21",
 385   pages =        "14279--14289",
 386   numpages =     "10",
 387   year =         "1997",
 388   month =        jun,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 392 }
 393
 394 @Article{johnson98,
 395   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 396                  Rubia",
 397   collaboration = "",
 398   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 399                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 400                  presence of carbon and boron",
 401   publisher =    "AIP",
 402   year =         "1998",
 403   journal =      "J. Appl. Phys.",
 404   volume =       "84",
 405   number =       "4",
 406   pages =        "1963--1967",
 407   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 408                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 409                  semiconductors; self-diffusion",
 410   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 411   doi =          "10.1063/1.368328",
 412   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 413                  diffsuion",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84,
 417   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 418                  Self-Interstitial",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 421   volume =       "52",
 422   number =       "13",
 423   pages =        "1129--1132",
 424   numpages =     "3",
 425   year =         "1984",
 426   month =        mar,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 430 }
 431
 432 @Article{bar-yam84_2,
 433   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 434                  barriers of silicon self-interstitials",
 435   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 436   journal =      "Phys. Rev. B",
 437   volume =       "30",
 438   number =       "4",
 439   pages =        "1844--1852",
 440   numpages =     "8",
 441   year =         "1984",
 442   month =        aug,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445 }
 446
 447 @Article{bloechl93,
 448   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 449                  constants in silicon",
 450   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 451                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 452   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 453   volume =       "70",
 454   number =       "16",
 455   pages =        "2435--2438",
 456   numpages =     "3",
 457   year =         "1993",
 458   month =        apr,
 459   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 460   publisher =    "American Physical Society",
 461   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 462                  entropy calculations",
 463 }
 464
 465 @Article{colombo02,
 466   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 467                  silicon",
 468   author =       "L. Colombo",
 469   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 470   volume =       "32",
 471   pages =        "271--295",
 472   numpages =     "25",
 473   year =         "2002",
 474   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 475   publisher =    "Annual Reviews",
 476   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 477 }
 478
 479 @Article{al-mushadani03,
 480   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 481                  silicon",
 482   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 483   journal =      "Phys. Rev. B",
 484   volume =       "68",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235205",
 487   numpages =     "8",
 488   year =         "2003",
 489   month =        dec,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 493                  silicon, si self interstitials, free energy",
 494 }
 495
 496 @Article{goedecker02,
 497   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 498   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "88",
 501   number =       "23",
 502   pages =        "235501",
 503   numpages =     "4",
 504   year =         "2002",
 505   month =        may,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 509                  silicon",
 510 }
 511
 512 @Article{sahli05,
 513   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 514                  self-interstitial diffusion in silicon",
 515   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "72",
 518   number =       "24",
 519   pages =        "245210",
 520   numpages =     "6",
 521   year =         "2005",
 522   month =        dec,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 526                  mapping applied",
 527 }
 528
 529 @Article{hobler05,
 530   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 531                  native point defects in silicon",
 532   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 533   volume =       "124-125",
 534   number =       "",
 535   pages =        "368--371",
 536   year =         "2005",
 537   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 538                  Issues for Future Technologies",
 539   ISSN =         "0921-5107",
 540   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 541   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 542   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 543   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 544                  radius",
 545 }
 546
 547 @Article{ma10,
 548   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 549                  wide temperature range: Point defect states and
 550                  migration mechanisms",
 551   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "81",
 554   number =       "19",
 555   pages =        "193203",
 556   numpages =     "4",
 557   year =         "2010",
 558   month =        may,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 562 }
 563
 564 @Article{posselt06,
 565   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 566                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "73",
 570   number =       "12",
 571   pages =        "125206",
 572   numpages =     "8",
 573   year =         "2006",
 574   month =        mar,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577 }
 578
 579 @Article{posselt08,
 580   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 581                  migration mechanisms of vacancies and
 582                  self-interstitials: An atomistic study",
 583   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "78",
 586   number =       "3",
 587   pages =        "035208",
 588   numpages =     "9",
 589   year =         "2008",
 590   month =        jul,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 594                  weber and tersoff",
 595 }
 596
 597 @Article{gao2001,
 598   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 599                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 600   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 601                  Corrales",
 602   journal =      "Phys. Rev. B",
 603   volume =       "64",
 604   number =       "24",
 605   pages =        "245208",
 606   numpages =     "7",
 607   year =         "2001",
 608   month =        dec,
 609   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 610   publisher =    "American Physical Society",
 611   notes =        "defects in 3c-sic",
 612 }
 613
 614 @Article{gao02,
 615   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 616                  3{C}-Si{C}",
 617   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 618   volume =       "191",
 619   number =       "1-4",
 620   pages =        "487--496",
 621   year =         "2002",
 622   note =         "",
 623   ISSN =         "0168-583X",
 624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 626   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 627   keywords =     "Empirical potential",
 628   keywords =     "Defect properties",
 629   keywords =     "Silicon carbide",
 630   keywords =     "Computer simulation",
 631   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 632 }
 633
 634 @Article{gao04,
 635   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 636                  3{C}-Si{C}",
 637   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 638                  Belko",
 639   journal =      "Phys. Rev. B",
 640   volume =       "69",
 641   number =       "24",
 642   pages =        "245205",
 643   numpages =     "5",
 644   year =         "2004",
 645   month =        jun,
 646   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 647   publisher =    "American Physical Society",
 648   notes =        "defect migration in sic",
 649 }
 650
 651 @Article{gao07,
 652   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 653                  W. J. Weber",
 654   collaboration = "",
 655   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 656                  in cubic silicon carbide",
 657   publisher =    "AIP",
 658   year =         "2007",
 659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 660   volume =       "90",
 661   number =       "22",
 662   eid =          "221915",
 663   numpages =     "3",
 664   pages =        "221915",
 665   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 666                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 667                  dynamics method; density functional theory;
 668                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 669                  impurities; diffusion",
 670   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 671   doi =          "10.1063/1.2743751",
 672 }
 673
 674 @Article{mattoni2002,
 675   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 676                  crystalline silicon",
 677   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 678   journal =      "Phys. Rev. B",
 679   volume =       "66",
 680   number =       "19",
 681   pages =        "195214",
 682   numpages =     "6",
 683   year =         "2002",
 684   month =        nov,
 685   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 686   publisher =    "American Physical Society",
 687   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 688                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 689                  tersoff suitability",
 690 }
 691
 692 @Article{leung99,
 693   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 694   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 695                  Itoh and S. Ihara",
 696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 697   volume =       "83",
 698   number =       "12",
 699   pages =        "2351--2354",
 700   numpages =     "3",
 701   year =         "1999",
 702   month =        sep,
 703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 706                  refs",
 707 }
 708
 709 @Article{capaz94,
 710   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 711                  carbon in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "50",
 715   number =       "11",
 716   pages =        "7439--7442",
 717   numpages =     "3",
 718   year =         "1994",
 719   month =        sep,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 723                  dumbbell",
 724 }
 725
 726 @Article{capaz98,
 727   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 728   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 729   journal =      "Phys. Rev. B",
 730   volume =       "58",
 731   number =       "15",
 732   pages =        "9845--9850",
 733   numpages =     "5",
 734   year =         "1998",
 735   month =        oct,
 736   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 737   publisher =    "American Physical Society",
 738   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 739 }
 740
 741 @Article{song90_2,
 742   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 743                  pair in silicon",
 744   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 745                  Watkins",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "42",
 748   number =       "9",
 749   pages =        "5765--5783",
 750   numpages =     "18",
 751   year =         "1990",
 752   month =        sep,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 756 }
 757
 758 @Article{liu02,
 759   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 760                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 763                  interactions in Si",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2002",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "80",
 768   number =       "1",
 769   pages =        "52--54",
 770   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 771                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 772                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 774   doi =          "10.1063/1.1430505",
 775   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 776 }
 777
 778 @Article{dal_pino93,
 779   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 780                  silicon",
 781   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 782                  Joannopoulos",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "47",
 785   number =       "19",
 786   pages =        "12554--12557",
 787   numpages =     "3",
 788   year =         "1993",
 789   month =        may,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 791   publisher =    "American Physical Society",
 792   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 793 }
 794
 795 @Article{car84,
 796   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 797                  Silicon",
 798   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 799                  Sokrates T. Pantelides",
 800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 801   volume =       "52",
 802   number =       "20",
 803   pages =        "1814--1817",
 804   numpages =     "3",
 805   year =         "1984",
 806   month =        may,
 807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 808   publisher =    "American Physical Society",
 809   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 810                  path formation",
 811 }
 812
 813 @Article{car85,
 814   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 815                  Density-Functional Theory",
 816   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 817   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "22",
 820   pages =        "2471--2474",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1985",
 823   month =        nov,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 827 }
 828
 829 @Article{kelires97,
 830   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 831                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 832   author =       "P. C. Kelires",
 833   journal =      "Phys. Rev. B",
 834   volume =       "55",
 835   number =       "14",
 836   pages =        "8784--8787",
 837   numpages =     "3",
 838   year =         "1997",
 839   month =        apr,
 840   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 841   publisher =    "American Physical Society",
 842   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 843                  neighbour dist",
 844 }
 845
 846 @Article{kelires95,
 847   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 848                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 849   author =       "P. C. Kelires",
 850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 851   volume =       "75",
 852   number =       "6",
 853   pages =        "1114--1117",
 854   numpages =     "3",
 855   year =         "1995",
 856   month =        aug,
 857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 858   publisher =    "American Physical Society",
 859   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 860 }
 861
 862 @Article{bean70,
 863   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 864                  containing carbon",
 865   journal =      "Solid State Communications",
 866   volume =       "8",
 867   number =       "3",
 868   pages =        "175--177",
 869   year =         "1970",
 870   note =         "",
 871   ISSN =         "0038-1098",
 872   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 874   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 875 }
 876
 877 @Article{watkins76,
 878   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 879                  Atom in Silicon",
 880   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 881   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 882   volume =       "36",
 883   number =       "22",
 884   pages =        "1329--1332",
 885   numpages =     "3",
 886   year =         "1976",
 887   month =        may,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 891                  silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{song90,
 895   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 896                  interstitial carbon in silicon",
 897   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5759--5764",
 902   numpages =     "5",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 908 }
 909
 910 @Article{tipping87,
 911   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 912   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 913                  silicon",
 914   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 915   volume =       "2",
 916   number =       "5",
 917   pages =        "315--317",
 918   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 919   year =         "1987",
 920   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{strane96,
 925   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 926                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 927   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 928                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 929   journal =      "J. Appl. Phys.",
 930   volume =       "79",
 931   pages =        "637",
 932   year =         "1996",
 933   month =        jan,
 934   doi =          "10.1063/1.360806",
 935   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 936 }
 937
 938 @Article{laveant2002,
 939   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 940   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 941   volume =       "89",
 942   number =       "1-3",
 943   pages =        "241--245",
 944   year =         "2002",
 945   ISSN =         "0921-5107",
 946   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 947   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 948   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 949                  G{\"{o}}sele",
 950   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 951                  stress, avoid sic precipitation",
 952 }
 953
 954 @Article{werner97,
 955   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 956                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 957   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 958                  silicon by transmission electron microscopy",
 959   publisher =    "AIP",
 960   year =         "1997",
 961   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 962   volume =       "70",
 963   number =       "2",
 964   pages =        "252--254",
 965   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 966                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 967                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 968                  layers; precipitation",
 969   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 970   doi =          "10.1063/1.118381",
 971   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 972                  precipitate",
 973 }
 974
 975 @InProceedings{werner96,
 976   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 977                  Eichler",
 978   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 979                  International Conference on",
 980   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 981                  implanted silicon",
 982   year =         "1996",
 983   month =        jun,
 984   volume =       "",
 985   number =       "",
 986   pages =        "675--678",
 987   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 988   ISSN =         "",
 989   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 990 }
 991
 992 @Article{werner98,
 993   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 994                  D. C. Jacobson",
 995   collaboration = "",
 996   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 997   publisher =    "AIP",
 998   year =         "1998",
 999   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1000   volume =       "73",
1001   number =       "17",
1002   pages =        "2465--2467",
1003   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1004                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1005                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1006                  impurity distribution",
1007   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1008   doi =          "10.1063/1.122483",
1009   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1010 }
1011
1012 @Article{strane94,
1013   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1014                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1015   collaboration = "",
1016   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1017                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1018   publisher =    "AIP",
1019   year =         "1994",
1020   journal =      "J. Appl. Phys.",
1021   volume =       "76",
1022   number =       "6",
1023   pages =        "3656--3668",
1024   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1026   doi =          "10.1063/1.357429",
1027   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1028                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1029                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1030                  energy",
1031 }
1032
1033 @Article{fischer95,
1034   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1035                  Osten",
1036   collaboration = "",
1037   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1038                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1039   publisher =    "AIP",
1040   year =         "1995",
1041   journal =      "J. Appl. Phys.",
1042   volume =       "77",
1043   number =       "5",
1044   pages =        "1934--1937",
1045   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1046                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1047                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1048                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1049   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1050   doi =          "10.1063/1.358826",
1051 }
1052
1053 @Article{edgar92,
1054   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1055                  semiconductors",
1056   author =       "J. H. Edgar",
1057   journal =      "J. Mater. Res.",
1058   volume =       "7",
1059   pages =        "235",
1060   year =         "1992",
1061   month =        jan,
1062   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1063   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1064                  polytypes",
1065 }
1066
1067 @Article{zirkelbach2007,
1068   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1069                  process leading to ordered precipitate structures",
1070   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1071                  and B. Stritzker",
1072   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1073   volume =       "257",
1074   number =       "1--2",
1075   pages =        "75--79",
1076   numpages =     "5",
1077   year =         "2007",
1078   month =        apr,
1079   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1080   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1081                  NETHERLANDS",
1082 }
1083
1084 @Article{zirkelbach2006,
1085   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1086                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1087                  during ion irradiation",
1088   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1089                  and B. Stritzker",
1090   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1091   volume =       "242",
1092   number =       "1--2",
1093   pages =        "679--682",
1094   numpages =     "4",
1095   year =         "2006",
1096   month =        jan,
1097   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1098   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1099                  NETHERLANDS",
1100 }
1101
1102 @Article{zirkelbach2005,
1103   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1104                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1105                  ion irradiation",
1106   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1107                  and B. Stritzker",
1108   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1109   volume =       "33",
1110   number =       "1--3",
1111   pages =        "310--316",
1112   numpages =     "7",
1113   year =         "2005",
1114   month =        apr,
1115   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1116   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1117                  NETHERLANDS",
1118 }
1119
1120 @Article{zirkelbach09,
1121   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1122                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1123   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1124   volume =       "159-160",
1125   number =       "",
1126   pages =        "149--152",
1127   year =         "2009",
1128   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1129                  Silicon Materials Research for Electronic and
1130                  Photovoltaic Applications",
1131   ISSN =         "0921-5107",
1132   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1133   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1134   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1135                  B. Stritzker",
1136   keywords =     "Silicon",
1137   keywords =     "Carbon",
1138   keywords =     "Silicon carbide",
1139   keywords =     "Nucleation",
1140   keywords =     "Defect formation",
1141   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10a,
1145   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1146                  classical potentials and first-principles methods",
1147   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1148                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1149   journal =      "Phys. Rev. B",
1150   volume =       "82",
1151   number =       "9",
1152   pages =        "094110",
1153   numpages =     "6",
1154   year =         "2010",
1155   month =        sep,
1156   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1157   publisher =    "American Physical Society",
1158 }
1159
1160 @Article{zirkelbach10b,
1161   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1162                  silicon",
1163   journal =      "to be published",
1164   volume =       "",
1165   number =       "",
1166   pages =        "",
1167   year =         "2010",
1168   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1169                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1170 }
1171
1172 @Article{zirkelbach10c,
1173   title =        "...",
1174   journal =      "to be published",
1175   volume =       "",
1176   number =       "",
1177   pages =        "",
1178   year =         "2010",
1179   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1180                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1181 }
1182
1183 @Article{lindner99,
1184   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1185                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1186                  layers in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "147",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "249--255",
1191   year =         "1999",
1192   note =         "",
1193   ISSN =         "0168-583X",
1194   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1196   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1197   notes =        "two-step implantation process",
1198 }
1199
1200 @Article{lindner99_2,
1201   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1202                  in silicon",
1203   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1204   volume =       "148",
1205   number =       "1-4",
1206   pages =        "528--533",
1207   year =         "1999",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1211   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1212   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1213 }
1214
1215 @Article{lindner01,
1216   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1217                  Basic physical processes",
1218   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1219   volume =       "178",
1220   number =       "1-4",
1221   pages =        "44--54",
1222   year =         "2001",
1223   note =         "",
1224   ISSN =         "0168-583X",
1225   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1226   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1227   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner02,
1231   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1232                  fundamental studies for new technological tricks",
1233   author =       "J. K. N. Lindner",
1234   journal =      "Appl. Phys. A",
1235   volume =       "77",
1236   pages =        "27--38",
1237   year =         "2003",
1238   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1239   notes =        "ibs, burried sic layers",
1240 }
1241
1242 @Article{lindner06,
1243   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1244                  formation and displacive precipitate resolution in the
1245                  {C}-Si system",
1246   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1247   volume =       "26",
1248   number =       "5-7",
1249   pages =        "857--861",
1250   year =         "2006",
1251   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1252                  Applications",
1253   ISSN =         "0928-4931",
1254   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1256   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1257                  and B. Stritzker",
1258   notes =        "c int diffusion barrier",
1259 }
1260
1261 @Article{ito04,
1262   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1263                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1264                  growth",
1265   journal =      "Applied Surface Science",
1266   volume =       "238",
1267   number =       "1-4",
1268   pages =        "159--164",
1269   year =         "2004",
1270   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1271   ISSN =         "0169-4332",
1272   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1274   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1275                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1276   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1277 }
1278
1279 @Article{yamamoto04,
1280   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1281                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1282                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1283   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1284   volume =       "261",
1285   number =       "2-3",
1286   pages =        "266--270",
1287   year =         "2004",
1288   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1289                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1290   ISSN =         "0022-0248",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1293   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1294                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1295   notes =        "gan on 3c-sic",
1296 }
1297
1298 @Article{liu_l02,
1299   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1300   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1301   volume =       "37",
1302   number =       "3",
1303   pages =        "61--127",
1304   year =         "2002",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0927-796X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1309   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1310   notes =        "gan substrates",
1311 }
1312
1313 @Article{takeuchi91,
1314   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1315                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1317   volume =       "115",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "634--638",
1320   year =         "1991",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0022-0248",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1325   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1326                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1327   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1328 }
1329
1330 @Article{alder57,
1331   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1332   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1333   publisher =    "AIP",
1334   year =         "1957",
1335   journal =      "J. Chem. Phys.",
1336   volume =       "27",
1337   number =       "5",
1338   pages =        "1208--1209",
1339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1340   doi =          "10.1063/1.1743957",
1341 }
1342
1343 @Article{alder59,
1344   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1345   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1346   publisher =    "AIP",
1347   year =         "1959",
1348   journal =      "J. Chem. Phys.",
1349   volume =       "31",
1350   number =       "2",
1351   pages =        "459--466",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1353   doi =          "10.1063/1.1730376",
1354 }
1355
1356 @Article{tersoff_si1,
1357   title =        "New empirical model for the structural properties of
1358                  silicon",
1359   author =       "J. Tersoff",
1360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1361   volume =       "56",
1362   number =       "6",
1363   pages =        "632--635",
1364   numpages =     "3",
1365   year =         "1986",
1366   month =        feb,
1367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1368   publisher =    "American Physical Society",
1369 }
1370
1371 @Article{tersoff_si2,
1372   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1373                  covalent systems",
1374   author =       "J. Tersoff",
1375   journal =      "Phys. Rev. B",
1376   volume =       "37",
1377   number =       "12",
1378   pages =        "6991--7000",
1379   numpages =     "9",
1380   year =         "1988",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1383   publisher =    "American Physical Society",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si3,
1387   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1388                  improved elastic properties",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. B",
1391   volume =       "38",
1392   number =       "14",
1393   pages =        "9902--9905",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1988",
1396   month =        nov,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_c,
1402   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1403                  Applications to Amorphous Carbon",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1406   volume =       "61",
1407   number =       "25",
1408   pages =        "2879--2882",
1409   numpages =     "3",
1410   year =         "1988",
1411   month =        dec,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_m,
1417   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1418                  for multicomponent systems",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "39",
1422   number =       "8",
1423   pages =        "5566--5568",
1424   numpages =     "2",
1425   year =         "1989",
1426   month =        mar,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff90,
1432   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1433   author =       "J. Tersoff",
1434   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1435   volume =       "64",
1436   number =       "15",
1437   pages =        "1757--1760",
1438   numpages =     "3",
1439   year =         "1990",
1440   month =        apr,
1441   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1442   publisher =    "American Physical Society",
1443 }
1444
1445 @Article{fahey89,
1446   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1447   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1448   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1449   volume =       "61",
1450   number =       "2",
1451   pages =        "289--384",
1452   numpages =     "95",
1453   year =         "1989",
1454   month =        apr,
1455   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1456   publisher =    "American Physical Society",
1457 }
1458
1459 @Article{wesch96,
1460   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1461   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1462   volume =       "116",
1463   number =       "1-4",
1464   pages =        "305--321",
1465   year =         "1996",
1466   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1470   author =       "W. Wesch",
1471 }
1472
1473 @Article{morkoc94,
1474   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1475                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1476   collaboration = "",
1477   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1478                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1479   publisher =    "AIP",
1480   year =         "1994",
1481   journal =      "J. Appl. Phys.",
1482   volume =       "76",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "1363--1398",
1485   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1486                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1487                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1488                  FILMS; INDUSTRY",
1489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1490   doi =          "10.1063/1.358463",
1491   notes =        "sic intro, properties",
1492 }
1493
1494 @Article{neudeck95,
1495   author =       "P. G. Neudeck",
1496   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1497                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1498   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1499   year =         "1995",
1500   volume =       "24",
1501   number =       "4",
1502   pages =        "283--288",
1503   month =        apr,
1504 }
1505
1506 @Article{foo,
1507   author =       "Noch Unbekannt",
1508   title =        "How to find references",
1509   journal =      "Journal of Applied References",
1510   year =         "2009",
1511   volume =       "77",
1512   pages =        "1--23",
1513 }
1514
1515 @Article{tang95,
1516   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1517                  \beta{}-Si{C}",
1518   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1519   journal =      "Phys. Rev. B",
1520   volume =       "52",
1521   number =       "21",
1522   pages =        "15150--15159",
1523   numpages =     "9",
1524   year =         "1995",
1525   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1526   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1527                  tersoff reparametrization",
1528   publisher =    "American Physical Society",
1529 }
1530
1531 @Article{sarro00,
1532   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1533   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1534   volume =       "82",
1535   number =       "1-3",
1536   pages =        "210--218",
1537   year =         "2000",
1538   ISSN =         "0924-4247",
1539   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1540   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1541   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1542   keywords =     "MEMS",
1543   keywords =     "Silicon carbide",
1544   keywords =     "Micromachining",
1545   keywords =     "Mechanical stress",
1546 }
1547
1548 @Article{casady96,
1549   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1550                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1551                  review",
1552   journal =      "Solid-State Electronics",
1553   volume =       "39",
1554   number =       "10",
1555   pages =        "1409--1422",
1556   year =         "1996",
1557   ISSN =         "0038-1101",
1558   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1559   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1560   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1561   notes =        "sic intro",
1562 }
1563
1564 @Article{giancarli98,
1565   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1566                  structural material in fusion power reactor blankets",
1567   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1568   volume =       "41",
1569   number =       "1-4",
1570   pages =        "165--171",
1571   year =         "1998",
1572   ISSN =         "0920-3796",
1573   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1574   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1575   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1576                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1577 }
1578
1579 @Article{pensl93,
1580   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1581   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1582   volume =       "185",
1583   number =       "1-4",
1584   pages =        "264--283",
1585   year =         "1993",
1586   ISSN =         "0921-4526",
1587   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1588   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1589   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1590 }
1591
1592 @Article{tairov78,
1593   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1594                  carbide single crystals",
1595   journal =      "J. Cryst. Growth",
1596   volume =       "43",
1597   number =       "2",
1598   pages =        "209--212",
1599   year =         "1978",
1600   notes =        "modified lely process",
1601   ISSN =         "0022-0248",
1602   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1604   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1605 }
1606
1607 @Article{tairov81,
1608   title =        "General principles of growing large-size single
1609                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1610   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1611   volume =       "52",
1612   number =       "Part 1",
1613   pages =        "146--150",
1614   year =         "1981",
1615   note =         "",
1616   ISSN =         "0022-0248",
1617   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1619   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1620 }
1621
1622 @Article{nishino83,
1623   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1624                  Will",
1625   collaboration = "",
1626   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1627                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1628   publisher =    "AIP",
1629   year =         "1983",
1630   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1631   volume =       "42",
1632   number =       "5",
1633   pages =        "460--462",
1634   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1635                  monocrystals",
1636   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1637   doi =          "10.1063/1.93970",
1638   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1639 }
1640
1641 @Article{nishino87,
1642   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1643                  and Hiroyuki Matsunami",
1644   collaboration = "",
1645   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1646                  Si{C} on silicon",
1647   publisher =    "AIP",
1648   year =         "1987",
1649   journal =      "J. Appl. Phys.",
1650   volume =       "61",
1651   number =       "10",
1652   pages =        "4889--4893",
1653   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1654   doi =          "10.1063/1.338355",
1655   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1656                  carbonization",
1657 }
1658
1659 @Article{powell87,
1660   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1661                  Kuczmarski",
1662   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1663                  Single-Crystal Films on Si",
1664   publisher =    "ECS",
1665   year =         "1987",
1666   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1667   volume =       "134",
1668   number =       "6",
1669   pages =        "1558--1565",
1670   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1671                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1672   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1673   doi =          "10.1149/1.2100708",
1674   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1675 }
1676
1677 @Article{kimoto93,
1678   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1679                  and Hiroyuki Matsunami",
1680   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1681                  epitaxy",
1682   publisher =    "AIP",
1683   year =         "1993",
1684   journal =      "J. Appl. Phys.",
1685   volume =       "73",
1686   number =       "2",
1687   pages =        "726--732",
1688   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1689                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1690                  VAPOR DEPOSITION",
1691   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1692   doi =          "10.1063/1.353329",
1693   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1694 }
1695
1696 @Article{powell90,
1697   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1698                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1699                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1700   collaboration = "",
1701   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1702                  6{H}-Si{C} substrates",
1703   publisher =    "AIP",
1704   year =         "1990",
1705   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1706   volume =       "56",
1707   number =       "14",
1708   pages =        "1353--1355",
1709   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1710                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1711                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1712                  PHASE EPITAXY",
1713   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1714   doi =          "10.1063/1.102512",
1715   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1716 }
1717
1718 @Article{yuan95,
1719   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1720                  Thokala and M. J. Loboda",
1721   collaboration = "",
1722   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1723                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1724                  silacyclobutane",
1725   publisher =    "AIP",
1726   year =         "1995",
1727   journal =      "J. Appl. Phys.",
1728   volume =       "78",
1729   number =       "2",
1730   pages =        "1271--1273",
1731   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1732                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1733                  SPECTROPHOTOMETRY",
1734   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1735   doi =          "10.1063/1.360368",
1736   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1737 }
1738
1739 @Article{fissel95,
1740   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1741                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1742                  molecular beam epitaxy",
1743   journal =      "J. Cryst. Growth",
1744   volume =       "154",
1745   number =       "1-2",
1746   pages =        "72--80",
1747   year =         "1995",
1748   ISSN =         "0022-0248",
1749   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1750   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1751   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1752                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1753   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1754 }
1755
1756 @Article{fissel95_apl,
1757   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1758   collaboration = "",
1759   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1760                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1761   publisher =    "AIP",
1762   year =         "1995",
1763   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1764   volume =       "66",
1765   number =       "23",
1766   pages =        "3182--3184",
1767   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1768                  RHEED; NUCLEATION",
1769   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1770   doi =          "10.1063/1.113716",
1771   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1772 }
1773
1774 @Article{borders71,
1775   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1776   collaboration = "",
1777   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1778                  {IMPLANTATION}",
1779   publisher =    "AIP",
1780   year =         "1971",
1781   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1782   volume =       "18",
1783   number =       "11",
1784   pages =        "509--511",
1785   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1786   doi =          "10.1063/1.1653516",
1787   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1788                  ideas",
1789 }
1790
1791 @Article{reeson87,
1792   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1793                  J. Davis and G. E. Celler",
1794   collaboration = "",
1795   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1796                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1797   publisher =    "AIP",
1798   year =         "1987",
1799   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1800   volume =       "51",
1801   number =       "26",
1802   pages =        "2242--2244",
1803   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1804                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1805   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1806   doi =          "10.1063/1.98953",
1807   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1808 }
1809
1810 @Article{scace59,
1811   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1812   collaboration = "",
1813   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1814   publisher =    "AIP",
1815   year =         "1959",
1816   journal =      "J. Chem. Phys.",
1817   volume =       "30",
1818   number =       "6",
1819   pages =        "1551--1555",
1820   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1821   doi =          "10.1063/1.1730236",
1822   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1823 }
1824
1825 @Article{cowern96,
1826   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1827                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1828   collaboration = "",
1829   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1830                  {B} in silicon",
1831   publisher =    "AIP",
1832   year =         "1996",
1833   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1834   volume =       "68",
1835   number =       "8",
1836   pages =        "1150--1152",
1837   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1838                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1839                  SILICON",
1840   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1841   doi =          "10.1063/1.115706",
1842   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1843 }
1844
1845 @Article{stolk95,
1846   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1847                  of the silicon self-interstitial",
1848   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1849   volume =       "96",
1850   number =       "1-2",
1851   pages =        "187--195",
1852   year =         "1995",
1853   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1854                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1855   ISSN =         "0168-583X",
1856   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1857   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1858   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1859                  and J. M. Poate",
1860 }
1861
1862 @Article{stolk97,
1863   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1864                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1865                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1866                  E. Haynes",
1867   collaboration = "",
1868   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1869                  diffusion in ion-implanted silicon",
1870   publisher =    "AIP",
1871   year =         "1997",
1872   journal =      "J. Appl. Phys.",
1873   volume =       "81",
1874   number =       "9",
1875   pages =        "6031--6050",
1876   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1877   doi =          "10.1063/1.364452",
1878   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1879 }
1880
1881 @Article{powell94,
1882   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1883   collaboration = "",
1884   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1885                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1886   publisher =    "AIP",
1887   year =         "1994",
1888   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1889   volume =       "64",
1890   number =       "3",
1891   pages =        "324--326",
1892   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1893                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1894                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1895                  SYNTHESIS",
1896   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1897   doi =          "10.1063/1.111195",
1898   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1899 }
1900
1901 @Article{soref91,
1902   author =       "Richard A. Soref",
1903   collaboration = "",
1904   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1905                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1906   publisher =    "AIP",
1907   year =         "1991",
1908   journal =      "J. Appl. Phys.",
1909   volume =       "70",
1910   number =       "4",
1911   pages =        "2470--2472",
1912   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1913                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1914                  TERNARY ALLOYS",
1915   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1916   doi =          "10.1063/1.349403",
1917   notes =        "band gap of strained si by c",
1918 }
1919
1920 @Article{kasper91,
1921   author =       "E Kasper",
1922   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1923                  possibility to produce direct band gap material",
1924   journal =      "Physica Scripta",
1925   volume =       "T35",
1926   pages =        "232--236",
1927   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1928   year =         "1991",
1929   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1930                  quasi-direct one",
1931 }
1932
1933 @Article{osten99,
1934   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1935   collaboration = "",
1936   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1937                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1938                  molecular beam epitaxy",
1939   publisher =    "AIP",
1940   year =         "1999",
1941   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1942   volume =       "74",
1943   number =       "6",
1944   pages =        "836--838",
1945   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1946                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1947                  compounds",
1948   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1949   doi =          "10.1063/1.123384",
1950   notes =        "substitutional c in si",
1951 }
1952
1953 @Article{hohenberg64,
1954   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1955   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1956   journal =      "Phys. Rev.",
1957   volume =       "136",
1958   number =       "3B",
1959   pages =        "B864--B871",
1960   numpages =     "7",
1961   year =         "1964",
1962   month =        nov,
1963   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1964   publisher =    "American Physical Society",
1965   notes =        "density functional theory, dft",
1966 }
1967
1968 @Article{kohn65,
1969   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1970                  Correlation Effects",
1971   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1972   journal =      "Phys. Rev.",
1973   volume =       "140",
1974   number =       "4A",
1975   pages =        "A1133--A1138",
1976   numpages =     "5",
1977   year =         "1965",
1978   month =        nov,
1979   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1980   publisher =    "American Physical Society",
1981   notes =        "dft, exchange and correlation",
1982 }
1983
1984 @Article{ruecker94,
1985   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1986                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1987   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1988                  J. Osten",
1989   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1990   volume =       "72",
1991   number =       "22",
1992   pages =        "3578--3581",
1993   numpages =     "3",
1994   year =         "1994",
1995   month =        may,
1996   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1997   publisher =    "American Physical Society",
1998   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
1999                  si, dft",
2000 }
2001
2002 @Article{chang05,
2003   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2004                  Alloy",
2005   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2006   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2007   volume =       "44",
2008   number =       "4B",
2009   pages =        "2257--2262",
2010   numpages =     "5",
2011   year =         "2005",
2012   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2013   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2014   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2015   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2016 }
2017
2018 @Article{osten97,
2019   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2020   collaboration = "",
2021   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2022                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2023                  Si(001)",
2024   publisher =    "AIP",
2025   year =         "1997",
2026   journal =      "J. Appl. Phys.",
2027   volume =       "82",
2028   number =       "10",
2029   pages =        "4977--4981",
2030   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2031                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2032                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2033   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2034   doi =          "10.1063/1.366364",
2035   notes =        "charge transport in strained si",
2036 }
2037
2038 @Article{kapur04,
2039   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2040                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2041   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2042   journal =      "Phys. Rev. B",
2043   volume =       "69",
2044   number =       "15",
2045   pages =        "155214",
2046   numpages =     "8",
2047   year =         "2004",
2048   month =        apr,
2049   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2050   publisher =    "American Physical Society",
2051   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2052 }
2053
2054 @Article{barkema96,
2055   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2056                  Systems",
2057   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2058   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2059   volume =       "77",
2060   number =       "21",
2061   pages =        "4358--4361",
2062   numpages =     "3",
2063   year =         "1996",
2064   month =        nov,
2065   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2066   publisher =    "American Physical Society",
2067   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2068                  dynamic mds",
2069 }
2070
2071 @Article{cances09,
2072   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2073                  Minoukadeh and F. Willaime",
2074   collaboration = "",
2075   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2076                  technique method for finding transition pathways on
2077                  potential energy surfaces",
2078   publisher =    "AIP",
2079   year =         "2009",
2080   journal =      "J. Chem. Phys.",
2081   volume =       "130",
2082   number =       "11",
2083   eid =          "114711",
2084   numpages =     "6",
2085   pages =        "114711",
2086   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2087                  surfaces; vacancies (crystal)",
2088   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2089   doi =          "10.1063/1.3088532",
2090   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2091                  transition pathways",
2092 }
2093
2094 @Article{parrinello81,
2095   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2096   collaboration = "",
2097   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2098                  molecular dynamics method",
2099   publisher =    "AIP",
2100   year =         "1981",
2101   journal =      "J. Appl. Phys.",
2102   volume =       "52",
2103   number =       "12",
2104   pages =        "7182--7190",
2105   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2106                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2107                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2108                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2109                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2110                  IMPACT SHOCK",
2111   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2112   doi =          "10.1063/1.328693",
2113 }
2114
2115 @Article{stillinger85,
2116   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2117                  of silicon",
2118   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2119   journal =      "Phys. Rev. B",
2120   volume =       "31",
2121   number =       "8",
2122   pages =        "5262--5271",
2123   numpages =     "9",
2124   year =         "1985",
2125   month =        apr,
2126   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2127   publisher =    "American Physical Society",
2128 }
2129
2130 @Article{brenner90,
2131   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2132                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2133                  films",
2134   author =       "Donald W. Brenner",
2135   journal =      "Phys. Rev. B",
2136   volume =       "42",
2137   number =       "15",
2138   pages =        "9458--9471",
2139   numpages =     "13",
2140   year =         "1990",
2141   month =        nov,
2142   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2143   publisher =    "American Physical Society",
2144   notes =        "brenner hydro carbons",
2145 }
2146
2147 @Article{bazant96,
2148   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2149                  Cohesive Energy Curves",
2150   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2151   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2152   volume =       "77",
2153   number =       "21",
2154   pages =        "4370--4373",
2155   numpages =     "3",
2156   year =         "1996",
2157   month =        nov,
2158   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2159   publisher =    "American Physical Society",
2160   notes =        "first si edip",
2161 }
2162
2163 @Article{bazant97,
2164   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2165                  silicon",
2166   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2167                  Justo",
2168   journal =      "Phys. Rev. B",
2169   volume =       "56",
2170   number =       "14",
2171   pages =        "8542--8552",
2172   numpages =     "10",
2173   year =         "1997",
2174   month =        oct,
2175   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2176   publisher =    "American Physical Society",
2177   notes =        "second si edip",
2178 }
2179
2180 @Article{justo98,
2181   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2182                  disordered phases",
2183   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2184                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2185   journal =      "Phys. Rev. B",
2186   volume =       "58",
2187   number =       "5",
2188   pages =        "2539--2550",
2189   numpages =     "11",
2190   year =         "1998",
2191   month =        aug,
2192   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2193   publisher =    "American Physical Society",
2194   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2195 }
2196
2197 @Article{parcas_md,
2198   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2199   author =       "K. Nordlund",
2200   year =         "2008",
2201 }
2202
2203 @Article{voter97,
2204   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2205                  Infrequent Events",
2206   author =       "Arthur F. Voter",
2207   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2208   volume =       "78",
2209   number =       "20",
2210   pages =        "3908--3911",
2211   numpages =     "3",
2212   year =         "1997",
2213   month =        may,
2214   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2215   publisher =    "American Physical Society",
2216   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2217 }
2218
2219 @Article{voter97_2,
2220   author =       "Arthur F. Voter",
2221   collaboration = "",
2222   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2223                  simulation of infrequent events",
2224   publisher =    "AIP",
2225   year =         "1997",
2226   journal =      "J. Chem. Phys.",
2227   volume =       "106",
2228   number =       "11",
2229   pages =        "4665--4677",
2230   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2231                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2232                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2233                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2234                  theory; potential energy surfaces",
2235   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2236   doi =          "10.1063/1.473503",
2237   notes =        "improved hyperdynamics md",
2238 }
2239
2240 @Article{sorensen2000,
2241   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2242   collaboration = "",
2243   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2244                  infrequent events",
2245   publisher =    "AIP",
2246   year =         "2000",
2247   journal =      "J. Chem. Phys.",
2248   volume =       "112",
2249   number =       "21",
2250   pages =        "9599--9606",
2251   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2252                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2253   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2254   doi =          "10.1063/1.481576",
2255   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2256 }
2257
2258 @Article{voter98,
2259   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2260                  events",
2261   author =       "Arthur F. Voter",
2262   journal =      "Phys. Rev. B",
2263   volume =       "57",
2264   number =       "22",
2265   pages =        "R13985--R13988",
2266   numpages =     "3",
2267   year =         "1998",
2268   month =        jun,
2269   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2270   publisher =    "American Physical Society",
2271   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2272 }
2273
2274 @Article{wu99,
2275   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2276   collaboration = "",
2277   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2278                  simulation",
2279   publisher =    "AIP",
2280   year =         "1999",
2281   journal =      "J. Chem. Phys.",
2282   volume =       "110",
2283   number =       "19",
2284   pages =        "9401--9410",
2285   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2286                  potential; crystallisation; liquid theory",
2287   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2288   doi =          "10.1063/1.478948",
2289   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2290                  systematic motion",
2291 }
2292
2293 @Article{choudhary05,
2294   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2295   collaboration = "",
2296   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2297                  to the production of amorphous silicon",
2298   publisher =    "AIP",
2299   year =         "2005",
2300   journal =      "J. Chem. Phys.",
2301   volume =       "122",
2302   number =       "15",
2303   eid =          "154509",
2304   numpages =     "8",
2305   pages =        "154509",
2306   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2307                  amorphous semiconductors",
2308   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2309   doi =          "10.1063/1.1878733",
2310   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2311                  silicon",
2312 }
2313
2314 @Article{taylor93,
2315   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2316   collaboration = "",
2317   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2318                  difficult?",
2319   publisher =    "AIP",
2320   year =         "1993",
2321   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2322   volume =       "62",
2323   number =       "25",
2324   pages =        "3336--3338",
2325   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2326                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2327                  ENERGY",
2328   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2329   doi =          "10.1063/1.109063",
2330   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2331 }
2332
2333 @Article{chaussende08,
2334   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2335   journal =      "J. Cryst. Growth",
2336   volume =       "310",
2337   number =       "5",
2338   pages =        "976--981",
2339   year =         "2008",
2340   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2341                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2342   ISSN =         "0022-0248",
2343   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2344   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2345   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2346                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2347                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2348                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2349   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2350                  metastable",
2351 }
2352
2353 @Article{feynman39,
2354   title =        "Forces in Molecules",
2355   author =       "R. P. Feynman",
2356   journal =      "Phys. Rev.",
2357   volume =       "56",
2358   number =       "4",
2359   pages =        "340--343",
2360   numpages =     "3",
2361   year =         "1939",
2362   month =        aug,
2363   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2364   publisher =    "American Physical Society",
2365   notes =        "hellmann feynman forces",
2366 }
2367
2368 @Article{buczko00,
2369   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2370                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2371                  their Contrasting Properties",
2372   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2373                  T. Pantelides",
2374   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2375   volume =       "84",
2376   number =       "5",
2377   pages =        "943--946",
2378   numpages =     "3",
2379   year =         "2000",
2380   month =        jan,
2381   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2382   publisher =    "American Physical Society",
2383   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2384 }
2385
2386 @Article{djurabekova08,
2387   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2388                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2389   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2390   journal =      "Phys. Rev. B",
2391   volume =       "77",
2392   number =       "11",
2393   pages =        "115325",
2394   numpages =     "7",
2395   year =         "2008",
2396   month =        mar,
2397   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2398   publisher =    "American Physical Society",
2399   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2400                  angular distribution, coordination",
2401 }
2402
2403 @Article{wen09,
2404   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2405                  W. Liang and J. Zou",
2406   collaboration = "",
2407   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2408                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2409                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2410   publisher =    "AIP",
2411   year =         "2009",
2412   journal =      "J. Appl. Phys.",
2413   volume =       "106",
2414   number =       "7",
2415   eid =          "073522",
2416   numpages =     "8",
2417   pages =        "073522",
2418   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2419                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2420                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2421                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2422   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2423   doi =          "10.1063/1.3234380",
2424   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2425                  deconvolution, dislocation defects",
2426 }
2427
2428 @Article{kitabatake93,
2429   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2430                  Hirao",
2431   collaboration = "",
2432   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2433                  growth on Si(001) surface",
2434   publisher =    "AIP",
2435   year =         "1993",
2436   journal =      "J. Appl. Phys.",
2437   volume =       "74",
2438   number =       "7",
2439   pages =        "4438--4445",
2440   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2441                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2442                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2443   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2444   doi =          "10.1063/1.354385",
2445   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2446                  model, interface",
2447 }
2448
2449 @Article{chirita97,
2450   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2451                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2452                  dynamics study",
2453   journal =      "Thin Solid Films",
2454   volume =       "294",
2455   number =       "1-2",
2456   pages =        "47--49",
2457   year =         "1997",
2458   note =         "",
2459   ISSN =         "0040-6090",
2460   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2462   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2463   keywords =     "Strain relaxation",
2464   keywords =     "Interfaces",
2465   keywords =     "Thermal stability",
2466   keywords =     "Molecular dynamics",
2467   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2468 }
2469
2470 @Article{cicero02,
2471   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2472                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2473   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2474                  Catellani",
2475   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2476   volume =       "89",
2477   number =       "15",
2478   pages =        "156101",
2479   numpages =     "4",
2480   year =         "2002",
2481   month =        sep,
2482   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2483   publisher =    "American Physical Society",
2484   notes =        "sic/si interface study",
2485 }
2486
2487 @Article{pizzagalli03,
2488   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2489                  interface: Si{C}/Si(001)",
2490   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2491                  Catellani",
2492   journal =      "Phys. Rev. B",
2493   volume =       "68",
2494   number =       "19",
2495   pages =        "195302",
2496   numpages =     "10",
2497   year =         "2003",
2498   month =        nov,
2499   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2500   publisher =    "American Physical Society",
2501   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2502 }
2503
2504 @Article{tang07,
2505   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2506                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2507                  electron microscopy",
2508   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2509                  H. Zheng and J. W. Liang",
2510   journal =      "Phys. Rev. B",
2511   volume =       "75",
2512   number =       "18",
2513   pages =        "184103",
2514   numpages =     "7",
2515   year =         "2007",
2516   month =        may,
2517   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2518   publisher =    "American Physical Society",
2519   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2520                  si and c",
2521 }
2522
2523 @Article{hornstra58,
2524   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2525   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2526   volume =       "5",
2527   number =       "1-2",
2528   pages =        "129--141",
2529   year =         "1958",
2530   note =         "",
2531   ISSN =         "0022-3697",
2532   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2533   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2534   author =       "J. Hornstra",
2535   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2536 }
2537
2538 @Article{deguchi92,
2539   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2540                  Ion `Hot' Implantation",
2541   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2542                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2543   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2544   volume =       "31",
2545   number =       "Part 1, No. 2A",
2546   pages =        "343--347",
2547   numpages =     "4",
2548   year =         "1992",
2549   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2550   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2551   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2552   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2553                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2554 }
2555
2556 @Article{eichhorn99,
2557   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2558                  K{\"{o}}gler",
2559   collaboration = "",
2560   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2561                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2562                  synchrotron x-ray diffraction",
2563   publisher =    "AIP",
2564   year =         "1999",
2565   journal =      "J. Appl. Phys.",
2566   volume =       "86",
2567   number =       "8",
2568   pages =        "4184--4187",
2569   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2570                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2571                  precipitation; semiconductor doping",
2572   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2573   doi =          "10.1063/1.371344",
2574   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2575                  expansion of si lattice",
2576 }
2577
2578 @Article{eichhorn02,
2579   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2580                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2581   collaboration = "",
2582   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2583                  carbon ion implantation",
2584   publisher =    "AIP",
2585   year =         "2002",
2586   journal =      "J. Appl. Phys.",
2587   volume =       "91",
2588   number =       "3",
2589   pages =        "1287--1292",
2590   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2591                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2592                  electron microscopy",
2593   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2594   doi =          "10.1063/1.1428105",
2595   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2596                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2597 }
2598
2599 @Article{lucas10,
2600   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2601   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2602                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2603                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2604                  amorphous structures",
2605   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2606   volume =       "22",
2607   number =       "3",
2608   pages =        "035802",
2609   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2610   year =         "2010",
2611   notes =        "edip sic",
2612 }
2613
2614 @Article{godet03,
2615   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2616                  Beauchamp",
2617   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2618                  methods for silicon under large shear",
2619   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2620   volume =       "15",
2621   number =       "41",
2622   pages =        "6943",
2623   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2624   year =         "2003",
2625   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2626                  edip, tersoff, ab initio",
2627 }
2628
2629 @Article{moriguchi98,
2630   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2631                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2632   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2633   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2634   volume =       "37",
2635   number =       "Part 1, No. 2",
2636   pages =        "414--422",
2637   numpages =     "8",
2638   year =         "1998",
2639   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2640   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2641   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2642   notes =        "tersoff stringent test",
2643 }
2644
2645 @Article{mazzarolo01,
2646   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2647                  simulations",
2648   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2649                  Lulli and Eros Albertazzi",
2650   journal =      "Phys. Rev. B",
2651   volume =       "63",
2652   number =       "19",
2653   pages =        "195207",
2654   numpages =     "4",
2655   year =         "2001",
2656   month =        apr,
2657   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2658   publisher =    "American Physical Society",
2659 }
2660
2661 @Article{holmstroem08,
2662   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2663                  density functional theory molecular dynamics
2664                  simulations",
2665   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2666   journal =      "Phys. Rev. B",
2667   volume =       "78",
2668   number =       "4",
2669   pages =        "045202",
2670   numpages =     "6",
2671   year =         "2008",
2672   month =        jul,
2673   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2674   publisher =    "American Physical Society",
2675   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2676                  initio",
2677 }
2678
2679 @Article{nordlund97,
2680   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2681                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2682   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2683   volume =       "132",
2684   number =       "1",
2685   pages =        "45--54",
2686   year =         "1997",
2687   note =         "",
2688   ISSN =         "0168-583X",
2689   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2690   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2691   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2692   notes =        "repulsive ab initio potential",
2693 }
2694
2695 @Article{kresse96,
2696   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2697                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2698                  set",
2699   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2700   volume =       "6",
2701   number =       "1",
2702   pages =        "15--50",
2703   year =         "1996",
2704   note =         "",
2705   ISSN =         "0927-0256",
2706   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2707   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2708   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2709   notes =        "vasp ref",
2710 }
2711
2712 @Article{bloechl94,
2713   title =        "Projector augmented-wave method",
2714   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2715   journal =      "Phys. Rev. B",
2716   volume =       "50",
2717   number =       "24",
2718   pages =        "17953--17979",
2719   numpages =     "26",
2720   year =         "1994",
2721   month =        dec,
2722   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2723   publisher =    "American Physical Society",
2724   notes =        "paw method",
2725 }
2726
2727 @Article{hamann79,
2728   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2729   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2730   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2731   volume =       "43",
2732   number =       "20",
2733   pages =        "1494--1497",
2734   numpages =     "3",
2735   year =         "1979",
2736   month =        nov,
2737   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2738   publisher =    "American Physical Society",
2739   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2740 }
2741
2742 @Article{vanderbilt90,
2743   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2744                  eigenvalue formalism",
2745   author =       "David Vanderbilt",
2746   journal =      "Phys. Rev. B",
2747   volume =       "41",
2748   number =       "11",
2749   pages =        "7892--7895",
2750   numpages =     "3",
2751   year =         "1990",
2752   month =        apr,
2753   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2754   publisher =    "American Physical Society",
2755   notes =        "vasp pseudopotentials",
2756 }
2757
2758 @Article{perdew86,
2759   title =        "Accurate and simple density functional for the
2760                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2761                  approximation",
2762   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2763   journal =      "Phys. Rev. B",
2764   volume =       "33",
2765   number =       "12",
2766   pages =        "8800--8802",
2767   numpages =     "2",
2768   year =         "1986",
2769   month =        jun,
2770   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2771   publisher =    "American Physical Society",
2772   notes =        "rapid communication gga",
2773 }
2774
2775 @Article{perdew02,
2776   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2777                  correlation: {A} look backward and forward",
2778   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2779   volume =       "172",
2780   number =       "1-2",
2781   pages =        "1--6",
2782   year =         "1991",
2783   note =         "",
2784   ISSN =         "0921-4526",
2785   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2786   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2787   author =       "John P. Perdew",
2788   notes =        "gga overview",
2789 }
2790
2791 @Article{perdew92,
2792   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2793                  of the generalized gradient approximation for exchange
2794                  and correlation",
2795   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2796                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2797                  and Carlos Fiolhais",
2798   journal =      "Phys. Rev. B",
2799   volume =       "46",
2800   number =       "11",
2801   pages =        "6671--6687",
2802   numpages =     "16",
2803   year =         "1992",
2804   month =        sep,
2805   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2806   publisher =    "American Physical Society",
2807   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2808 }
2809
2810 @Article{baldereschi73,
2811   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2812   author =       "A. Baldereschi",
2813   journal =      "Phys. Rev. B",
2814   volume =       "7",
2815   number =       "12",
2816   pages =        "5212--5215",
2817   numpages =     "3",
2818   year =         "1973",
2819   month =        jun,
2820   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2821   publisher =    "American Physical Society",
2822   notes =        "mean value k point",
2823 }
2824
2825 @Article{zhu98,
2826   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2827                  diffusion in Si",
2828   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2829   volume =       "12",
2830   number =       "4",
2831   pages =        "309--318",
2832   year =         "1998",
2833   note =         "",
2834   ISSN =         "0927-0256",
2835   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2836   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2837   author =       "Jing Zhu",
2838   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2839   keywords =     "Boron dopant",
2840   keywords =     "Carbon dopant",
2841   keywords =     "Defect",
2842   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2843   keywords =     "Impurity cluster",
2844   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2845 }
2846
2847 @Article{nejim95,
2848   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2849   collaboration = "",
2850   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2851                  950 [degree]{C}",
2852   publisher =    "AIP",
2853   year =         "1995",
2854   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2855   volume =       "66",
2856   number =       "20",
2857   pages =        "2646--2648",
2858   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2859                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2860                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2861                  ELECTRON MICROSCOPY",
2862   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2863   doi =          "10.1063/1.113112",
2864   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2865                  self interstitials react with further implanted c",
2866 }
2867
2868 @Article{guedj98,
2869   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2870                  Kolodzey and A. Hairie",
2871   collaboration = "",
2872   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2873                  alloys",
2874   publisher =    "AIP",
2875   year =         "1998",
2876   journal =      "J. Appl. Phys.",
2877   volume =       "84",
2878   number =       "8",
2879   pages =        "4631--4633",
2880   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2881                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2882                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2883                  annealing",
2884   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2885   doi =          "10.1063/1.368703",
2886   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2887 }
2888
2889 @Article{jones04,
2890   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2891   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2892                  semiconductors",
2893   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2894   volume =       "16",
2895   number =       "27",
2896   pages =        "S2643",
2897   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2898   year =         "2004",
2899   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2900 }
2901
2902 @Article{park02,
2903   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2904                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2905                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2906   collaboration = "",
2907   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2908                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2909                  molecular-beam epitaxy",
2910   publisher =    "AIP",
2911   year =         "2002",
2912   journal =      "J. Appl. Phys.",
2913   volume =       "91",
2914   number =       "9",
2915   pages =        "5716--5727",
2916   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2917   doi =          "10.1063/1.1465122",
2918   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2919 }
2920
2921 @Article{leary97,
2922   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2923                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2924   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2925                  Torres",
2926   journal =      "Phys. Rev. B",
2927   volume =       "55",
2928   number =       "4",
2929   pages =        "2188--2194",
2930   numpages =     "6",
2931   year =         "1997",
2932   month =        jan,
2933   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2934   publisher =    "American Physical Society",
2935   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2936                  energies, different migration barriers and paths",
2937 }
2938
2939 @Article{burnard93,
2940   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2941                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2942                  calculations",
2943   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2944   journal =      "Phys. Rev. B",
2945   volume =       "47",
2946   number =       "16",
2947   pages =        "10217--10225",
2948   numpages =     "8",
2949   year =         "1993",
2950   month =        apr,
2951   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2952   publisher =    "American Physical Society",
2953   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2954                  carbon defect, formation energies",
2955 }
2956
2957 @Article{besson91,
2958   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2959                  silicon",
2960   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2961   journal =      "Phys. Rev. B",
2962   volume =       "43",
2963   number =       "5",
2964   pages =        "4028--4033",
2965   numpages =     "5",
2966   year =         "1991",
2967   month =        feb,
2968   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2969   publisher =    "American Physical Society",
2970 }
2971
2972 @Article{kaxiras96,
2973   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2974                  and growth on semiconductors",
2975   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2976   volume =       "6",
2977   number =       "2",
2978   pages =        "158--172",
2979   year =         "1996",
2980   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2981                  Epitaxy",
2982   ISSN =         "0927-0256",
2983   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2984   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2985   author =       "Efthimios Kaxiras",
2986   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2987                  tight binding, first principles",
2988 }
2989
2990 @Article{kaukonen98,
2991   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2992                  diamond
2993                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2994                  surfaces",
2995   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2996                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2997                  Th. Frauenheim",
2998   journal =      "Phys. Rev. B",
2999   volume =       "57",
3000   number =       "16",
3001   pages =        "9965--9970",
3002   numpages =     "5",
3003   year =         "1998",
3004   month =        apr,
3005   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3006   publisher =    "American Physical Society",
3007   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3008                  (crt)",
3009 }
3010
3011 @Article{gali03,
3012   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3013                  center in Si{C}",
3014   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3015                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3016                  W. J. Choyke",
3017   journal =      "Phys. Rev. B",
3018   volume =       "67",
3019   number =       "15",
3020   pages =        "155203",
3021   numpages =     "5",
3022   year =         "2003",
3023   month =        apr,
3024   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3025   publisher =    "American Physical Society",
3026 }
3027
3028 @Article{chen98,
3029   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3030                  irradiation and deformation",
3031   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3032   volume =       "258-263",
3033   number =       "Part 2",
3034   pages =        "1803--1808",
3035   year =         "1998",
3036   note =         "",
3037   ISSN =         "0022-3115",
3038   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3039   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3040   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3041 }
3042
3043 @Article{weber01,
3044   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3045                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3046   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3047   volume =       "175-177",
3048   number =       "",
3049   pages =        "26--30",
3050   year =         "2001",
3051   note =         "",
3052   ISSN =         "0168-583X",
3053   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3054   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3055   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3056 }
3057
3058 @Article{bockstedte03,
3059   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3060                  in $3{C}-Si{C}$",
3061   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3062                  Pankratov",
3063   journal =      "Phys. Rev. B",
3064   volume =       "68",
3065   number =       "20",
3066   pages =        "205201",
3067   numpages =     "17",
3068   year =         "2003",
3069   month =        nov,
3070   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3071   publisher =    "American Physical Society",
3072   notes =        "defect migration in sic",
3073 }
3074
3075 @Article{rauls03a,
3076   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3077                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3078   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3079                  De\'ak",
3080   journal =      "Phys. Rev. B",
3081   volume =       "68",
3082   number =       "15",
3083   pages =        "155208",
3084   numpages =     "9",
3085   year =         "2003",
3086   month =        oct,
3087   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3088   publisher =    "American Physical Society",
3089 }
3090
3091 @Article{losev27,
3092   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3093   volume =       "44",
3094   pages =        "485--494",
3095   year =         "1927",
3096   author =       "O. V. Lossev",
3097 }
3098
3099 @Article{losev28,
3100   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3101                  oscillations with crystals",
3102   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3103   volume =       "6",
3104   number =       "39",
3105   pages =        "1024--1044",
3106   year =         "1928",
3107   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3108   author =       "O. V. Lossev",
3109 }
3110
3111 @Article{losev29,
3112   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3113   volume =       "30",
3114   pages =        "920--923",
3115   year =         "1929",
3116   author =       "O. V. Lossev",
3117 }
3118
3119 @Article{losev31,
3120   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3121   volume =       "32",
3122   pages =        "692--696",
3123   year =         "1931",
3124   author =       "O. V. Lossev",
3125 }
3126
3127 @Article{losev33,
3128   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3129   volume =       "34",
3130   pages =        "397--403",
3131   year =         "1933",
3132   author =       "O. V. Lossev",
3133 }
3134
3135 @Article{round07,
3136   title =        "A note on carborundum",
3137   journal =      "Electrical World",
3138   volume =       "49",
3139   pages =        "308",
3140   year =         "1907",
3141   author =       "H. J. Round",
3142 }
3143
3144 @Article{vashishath08,
3145   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3146   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3147   volume =       "2",
3148   number =       "03",
3149   pages =        "444--470",
3150   year =         "2008",
3151   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3152   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3153   notes =        "sic polytype electronic properties",
3154 }
3155
3156 @Article{nelson69,
3157   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3158   collaboration = "",
3159   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3160   publisher =    "AIP",
3161   year =         "1966",
3162   journal =      "Journal of Applied Physics",
3163   volume =       "37",
3164   number =       "1",
3165   pages =        "333--336",
3166   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3167   doi =          "10.1063/1.1707837",
3168   notes =        "sic melt growth",
3169 }
3170
3171 @Article{arkel25,
3172   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3173   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3174                  und Thoriummetall",
3175   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3176   year =         "1925",
3177   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3178   volume =       "148",
3179   pages =        "345--350",
3180   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3181   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3182   notes =        "van arkel apparatus",
3183 }
3184
3185 @Article{moers31,
3186   author =       "K. Moers",
3187   year =         "1931",
3188   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3189   volume =       "198",
3190   pages =        "293",
3191   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3192                  process",
3193 }
3194
3195 @Article{kendall53,
3196   author =       "J. T. Kendall",
3197   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3198   publisher =    "AIP",
3199   year =         "1953",
3200   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3201   volume =       "21",
3202   number =       "5",
3203   pages =        "821--827",
3204   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3205   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3206                  process",
3207 }
3208
3209 @Article{lely55,
3210   author =       "J. A. Lely",
3211   year =         "1955",
3212   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3213   volume =       "32",
3214   pages =        "229",
3215   notes =        "lely sublimation growth process",
3216 }
3217
3218 @Article{knippenberg63,
3219   author =       "W. F. Knippenberg",
3220   year =         "1963",
3221   journal =      "Philips Res. Repts.",
3222   volume =       "18",
3223   pages =        "161",
3224   notes =        "acheson process",
3225 }
3226
3227 @Article{hoffmann82,
3228   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3229                  Weyrich",
3230   collaboration = "",
3231   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3232                  improved external quantum efficiency",
3233   publisher =    "AIP",
3234   year =         "1982",
3235   journal =      "Journal of Applied Physics",
3236   volume =       "53",
3237   number =       "10",
3238   pages =        "6962--6967",
3239   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3240                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3241                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3242                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3243                  electroluminescence; spectra; current density;
3244                  optimization",
3245   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3246   doi =          "10.1063/1.330041",
3247 }
3248