From: hackbard Date: Wed, 15 Jun 2005 11:24:06 +0000 (+0000) Subject: ci often and soon .. ;) X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=commitdiff_plain;h=ae9952514cd4c108ac5ec591a971aa4ec52fac0e;p=lectures%2Flatex.git ci often and soon .. ;) --- diff --git a/nlsop/diplom/literatur.tex b/nlsop/diplom/literatur.tex index 6492de4..434cdaa 100644 --- a/nlsop/diplom/literatur.tex +++ b/nlsop/diplom/literatur.tex @@ -1,7 +1,7 @@ \addcontentsline{toc}{chapter}{Literaturverzeichnis} \begin{thebibliography}{99} \bibitem{herstellung_sic_schicht} J. K. N. Lindner, K. Volz, U. Preckwinkel, B. G"otz, A. Frohnwieser, B. Rauschenbach, B. Stritzker. Mat. Chem. and Phys. 46 (1996) 147. - \bibitem{vorstellung_modell} J. K. N. Lindner, M. H"aberlen, M. Schmidt, W. Attenberger, B. Stritzker. Nucl. Instr. and Meth. B 186 (2000) 206-211. + \bibitem{vorstellung_modell} J. K. N. Lindner, M. H"aberlen, M. Schmidt, W. Attenberger, B. Stritzker. Nucl. Instr. and Meth. B 186 (2002) 206-211. \bibitem{park_miller_zufall} S. K. Park, K. W. Miller. Communications of the ACM 31 (1988) 1192-1201 \bibitem{ziegler_biersack_littmark} J. F. Ziegler, J. B. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter, Vol. 1. Pergamon Press, New York, 1985. \bibitem{lss} J. Lindhard, M. Scharff. Phys. Rev. 124 (1961) 128. diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex index 2b53fd8..48e7e70 100644 --- a/nlsop/diplom/modell.tex +++ b/nlsop/diplom/modell.tex @@ -7,7 +7,7 @@ Die Implantationstemperatur muss hoch genug sein um eine komplette Amorphisierung des Targets, und gleichzeitig niedrig genug um die Kristallisation amorpher Ausscheidungen zu kubischen $3C-SiC$ zu verhindern. F"ur Kohlenstoff in Silizium sind Temperaturen zwischen $150$ und $400 \, ^{\circ} C$ geeignet. Da bei diesen Temperaturen kaum Amorphisierung zu erwarten ist, muss sehr viel Kohlenstoff implantiert werden, was letztendlich zur Nukleation kohlenstoffreicher amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen f"uhrt. - \begin{figure}[!h] + \begin{figure}[h] \includegraphics[width=12cm]{k393abild1_.eps} \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 keV \quad C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen, S: sph"arische amorphe Ausscheidungen)} \label{img:xtem_img} @@ -16,9 +16,25 @@ Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ inplantierten Probe. In einer Tiefe von ungef"ahr $300 nm$ beginnt die amorphe durchgehende Schicht. An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen. - + Diese erstrecken sich "uber einen Tiefenbereich von ca. $100 nm$. + Im rechten Teil von Abbildung \ref{img:xtem_img} sieht man einen vergr"osserten Ausschnitt der vorderen Grenzfl"ache. + Man erkennt die regelm"assige Anordnung der lamellaren Ausscheidungen in Abst"anden die ungef"ahr der H"ohe der Ausscheidungen selbst entspricht. + Die Lamellen sind parallel zur Targetoberfl"ache ausgerichtet. + Neben Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in $Al_2O_3$ und $Si^+$ in $SiC$ \cite{snead,van_ommen,ishimaru} gefunden. \section{Formulierung des Modells} + Im Folgenden soll auf das Modell zur Bildung dieser geordneten amorphen Ausscheidungen eingegangen werden. + Es wurde erstmals in \cite{vorstellung_modell} vorgestellt. + Die Idee des Modells ist schematisch in Abbildung \ref{img:modell} gezeigt. + \begin{figure}[h] + \includegraphics[width=12cm]{model1_s_german.eps} + \caption{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu gerodneten Lamellen auf Grund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$-implantierten Silizium} + \label{img:modell} + \end{figure} + + + +