From: hackbard Date: Tue, 13 Sep 2005 11:05:49 +0000 (+0000) Subject: commit often and soon X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=commitdiff_plain;h=463d253236f45b183f53e96994f576efd0824c57;p=lectures%2Flatex.git commit often and soon --- diff --git a/nlsop/diplom/grundlagen.tex b/nlsop/diplom/grundlagen.tex index 644b09b..3b1dbfd 100644 --- a/nlsop/diplom/grundlagen.tex +++ b/nlsop/diplom/grundlagen.tex @@ -464,10 +464,16 @@ Nach dem "Uberlappungsmodell nach Gibbons \cite{gibbons} hinterl"asst jedes Ion ein zylinderf"ormiges, defektreiches Volumen mit der Grundfl"ache $A_i$. Amorphisierung tritt ein, wenn $m$ Ionen den selben Bereich gesch"adigt haben, also nach $m-1$-facher "Uberlappung. Der "Uberlappungsparameter $m$ ist im wesentlichen abh"angig von der Ionenmasse. + Das Verh"altnis des amorphen Fl"achenanteils $A_a$ zur gesamt bestrahlten Fl"ache $A_0$ nach einer Dosis $D$ ergibst sich zu: + \begin{equation} + \frac{A_a}{A_0} = 1 - \Big[ \sum^{m-1}_{k=0} \frac{A_i D}{k!} \, exp(A_i D) \Big] \quad \textrm{.} + \end{equation} - Dennis und Hale erreichten nach diesem Modell f"ur Argon- und Krypton-Ionen in Silizium die beste "Ubereinstimmung mit experimentell bestimmten Sch"adigungsdaten f"ur $m=2$ und $m=3$. + Dennis und Hale \cite{dennis_hale} erreichten nach diesem Modell f"ur Argon- und Krypton-Ionen in Silizium die beste "Ubereinstimmung mit experimentell bestimmten Sch"adigungsdaten f"ur $m=2$ und $m=3$. Dies deutet darauf hin, dass selbst bei schweren Ionen ausschliesslich direkte Amorphisierung ($m=1$) uunwahrscheinlich ist. + Bei niedrigen Dosen zeigt sich auf Grund der direkten Amorphisierung ein linearer Zusammenhang zwischen dem amorphen Fl"achenanteil und der Dosis. + Der lineare Verlauf geht mit steigender Dosis mit der Bildung amorpher Gebiete durch "Uberlappung in einen maximal quadratischen Anstieg "uber. + Der Verlauf s"attigt schliesslich auf Grund der Abnahme ungesch"adigter und kristallin-gesch"adigter Fl"achenanteile. - - + Da das "Uberlappungsmodell keine temperaturabh"angigen Ausheilmechanismen ber"ucksichtigt und somit lediglich f"ur tiefe Temperaturen geeignet ist wurde von Hecking \cite{hecking1,hecking2} ein neues Defekterzeugungs- und Defektwechselwirkungsmodell entwickelt. diff --git a/nlsop/diplom/literatur.tex b/nlsop/diplom/literatur.tex index 9b0d5e6..3da0080 100644 --- a/nlsop/diplom/literatur.tex +++ b/nlsop/diplom/literatur.tex @@ -26,6 +26,9 @@ \bibitem{vook} F. L. Vook in: Radiation Damage and Defects in Semiconductors, ed. by J. E. Whitehouse. Inst. of Phys., London 1972, pp 60. \bibitem{morehead_crowder} F. F. Morehead, B. L. Crowder. Rad. Eff. 6 (1970) 27. \bibitem{gibbons} J. F. Gibbons. Proc. IEEE, Vol. 60, No. 9 (1972) 1062. + \bibitem{dennis_hale} J. R. Dennis, E. B. Hale. J. Appl. Phys. 49 (3) (1978) 1119. + \bibitem{hecking1} N. Hecking. Diplomarbeit. Universit"at Dortmund. 1978. + \bibitem{hecking2} N. Hecking, K. F. Heidemann, E. te Kaat. Nucl. Instr. and Meth. B 15 (1986) 760. \bibitem{biersack_haggmark} J. P. Biersack, L. Haggmark. Nucl. Instr. and Meth. B 174 (1980) 257 \bibitem{lindner_appl_phys} J. K. N. Lindner. Appl. Phys. A 77 (2003) 27. \bibitem{linnross} J. Linnross, R. G. Elliman, W. L. Brown. J. Matter. Res. 3 (1988) 1208.